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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | CMKZ5251B BK | - | ![]() | 1250 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 17 V | 22 v | 29欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4923 PBFRE | 1.6200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | 30 W | TO-126 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 V | 1 a | - | NPN | - | - | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4002SP TR TIN/LEAD | 0.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5361B bk | - | ![]() | 1953年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | T-18,轴向 | 5 w | AX-5W | 下载 | 1514-1N5361BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 20.6 V | 27 V | 5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3392 PBFRE | 0.6800 | ![]() | 717 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 25 v | 100NA(ICBO) | NPN | - | 150 @ 2mA,4.5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1-06M TR13 PBFRE | 0.6200 | ![]() | 77 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMR1-06 | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4444 bk | - | ![]() | 6333 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | do-35 | 下载 | 1514-1N444444BK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 100 ma | 7 ns | 50 na @ 50 V | -65°C 〜200°C | 200mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ92M | - | ![]() | 4383 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 5 ma | 内部触发 | 600 v | 1 a | 2 v | - | 5 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5245B TR PBFRE | 0.4100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ5245 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n825a bk | - | ![]() | 1800 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | 1514-1N825ABK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1-06M BK PBFRE | 0.2187 | ![]() | 3061 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMR1-06 | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6433 PBFRE | 4.2300 | ![]() | 8593 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 v | 100 ma | 250NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 10mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5279B tr | - | ![]() | 7693 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 NA @ 137 V | 180 v | 2200欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM8005 TR PBFRE | 0.7600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM8005 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 650mA | 360MOHM @ 350mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1.2nc @ 4.5V | 100pf @ 16V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ7V5 TR PBFRE | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ7 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5280B bk | - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35a | 下载 | (1 (无限) | 1N5280BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 NA @ 144 V | 190 v | 2400欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2n2652a | - | ![]() | 1498年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2652 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 500mA | - | 2 NPN (双) | - | 50 @ 1mA,5v | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5244B TR PBFRE | 0.3600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | CMHZ5244 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM7004 BK PBFRE | 0.2183 | ![]() | 3116 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CEDM7004 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 30 V | 1.78a(ta) | 1.8V,4.5V | 460MOHM @ 200MA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.79 NC @ 4.5 V | 8V | 43 pf @ 25 V | - | 100mW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5625 bk | - | ![]() | 2227 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5625 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4740A BK PBFRE | 0.0522 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 v | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4693 bk | - | ![]() | 1009 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | 1514-CLL4693BK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 µA @ 5.7 V | 7.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3646 TRE PBFRE | - | ![]() | 9874 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 1514-PN3646TREPBFREETR | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 提示30Bpbfre | - | ![]() | 6787 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示30 | 30 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 1 a | 300µA | PNP | 700mv @ 125mA,1a | 40 @ 200ma,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMZ5916B TR13 | - | ![]() | 7559 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1.5 w | SMA | 下载 | (1 (无限) | CMZ5916BTR13 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 6欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1n4730a bk | - | ![]() | 7471 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3.9 v | 9欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N961B tr pbfree | 0.0734 | ![]() | 1757年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 v | 8.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2925 PBFRE | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 25 v | 100NA(ICBO) | NPN | - | - | 160MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mpsa42锡/铅 | 0.1429 | ![]() | 3364 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | MPSA42 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 300 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 30mA,10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZDA5V6 TR PBFRE | 0.5100 | ![]() | 2290 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSZDA5 | 275兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 |
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