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离散半导体产品（（4522）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N707A TR	-	RFQ	6339	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载			到达不受影响	1514-1N707ATR	Ear99	8541.10.0050	1																											7.1 v
1n705a bk	-	RFQ	7301	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5.29％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载			到达不受影响	1514-1N705ABK	Ear99	8541.10.0050	1																		5 µA @ 1.5 V									5.1 v
CMLM8205 TR	-	RFQ	1810	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		MOSFET （金属 o化物）		SOT-563	下载			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	50 V	280mA（TA）	5V，10V	2.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		20V	70 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	150MW（TA）
CPD200-CEN1384C-CT	-	RFQ	2008	中央半导体公司	-	大部分	积极的									-			到达不受影响	1514-CPD200-CEN1384C-CT			1
cmfsh-3i tr tin/铅	-	RFQ	5549	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-253-4，TO-253AA		肖特基		SOT-143	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CMFSH-3ITRTIN/LEADTR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												2独立	30 V	100mA（dc）	1 V @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 V	-65°C〜150°C
CZT32C TR	-	RFQ	7783	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			2 w	SOT-223	下载			到达不受影响	1514-CZT32CTR	Ear99	8541.29.0095	1																						100 v	3 a			300µA			1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
2N4900	-	RFQ	4234	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			25 w	到66	下载			到达不受影响	1514-2N4900	Ear99	8541.29.0095	1																						80 V	1 a			-			-	-	3MHz
CEN747 PBFRE	-	RFQ	9855	中央半导体公司	-	大部分	过时的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CEN747PBFRE	过时的		1
CMDSH-3G TR TIN/LED	-	RFQ	5294	中央半导体公司	CMDSH-3	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-76，SOD-323	CMDSH-3	肖特基		SOD-323	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CMDSH-3GTRTIN/LEADTR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		800 mv @ 100 ma		1 µA @ 25 V	-65°C〜150°C	100mA	7pf @ 1V，1MHz
CBR4M-L040锡/铅	-	RFQ	3474	中央半导体公司	CBR4M-L040	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，DM	CBR4M	标准		DM	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1																1.1 V @ 6.28 A		10 µA @ 400 V		4 a				单相	400 v
CBR4M-L040 PBFRE	-	RFQ	2319	中央半导体公司	CBR4M-L040	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，DM	CBR4M	标准		DM	下载			到达不受影响	1514-CBR4M-L040PBFRE	Ear99	8541.10.0080	1																1.1 V @ 6.28 A		10 µA @ 400 V		4 a				单相	400 v
CMXSTB300 BK PBFRE	-	RFQ	8778	中央半导体公司	-	大部分	过时的			表面安装	SOT-23-6		标准		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CMXSTB300BKPBFRE	Ear99	8541.10.0070	3,500	小信号= <200ma（io（io），任何速度												3对系列连接	20 v	100mA	2.91 V @ 100 mA		10 µA @ 20 V	-65°C〜150°C
cmxd2004s bk pbfree	-	RFQ	2829	中央半导体公司	-	大部分	过时的			表面安装	SOT-23-6		标准		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CMXD2004SBKPBFRE	Ear99	8541.10.0070	3,500	小信号= <200ma（io（io），任何速度												2对系列连接	240 v	200mA	1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 240 V	-65°C〜150°C
CDM2208-800FP	-	RFQ	7289	中央半导体公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载		（1 （无限）		1514-CDM2208-800FP	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	8A（TC）	10V	1.6OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	24.45 NC @ 10 V	30V	1110 PF @ 25 V	-	57W（TC）
1N5190 TR	-	RFQ	5693	中央半导体公司	-	（TB）	上次购买			通过洞	R-4，轴向	1N5190	标准		GPR-4am	-			到达不受影响				1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.5 V @ 10 mA	400 ns	2 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
CPR4-020 bk	-	RFQ	7083	中央半导体公司	-	大部分	上次购买			通过洞	R-4，轴向	CPR4	标准		GPR-4am	-			到达不受影响				1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1.1 V @ 10 mA	3 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
CPR4F-040 bk	-	RFQ	6692	中央半导体公司	-	大部分	上次购买			通过洞	R-4，轴向	CPR4F	标准		GPR-4am	-			到达不受影响				1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.3 V @ 10 mA	250 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
CEN619 bk	-	RFQ	1971年	中央半导体公司	-	大部分	上次购买					CEN619				-			到达不受影响				1
1N5614 tr	-	RFQ	4424	中央半导体公司	-	（TB）	上次购买			通过洞	R-1，轴向	1N5614	标准		GPR-1A	-			到达不受影响				1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1.2 V @ 10 mA	2 µs	500 na @ 200 V	-65°C 〜200°C	1a	35pf @ 12v，130kHz
1N5621 bk	-	RFQ	7795	中央半导体公司	-	大部分	上次购买			通过洞	R-1，轴向	1N5621	标准		GPR-1A	-			到达不受影响				1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													800 v		1.2 V @ 10 mA	2 µs	500 NA @ 800 V	-65°C 〜200°C	1a	18pf @ 5V，1MHz
1N5550 bk	-	RFQ	4108	中央半导体公司	-	大部分	上次购买			通过洞	R-4，轴向	1N5550	标准		GPR-4am	-			到达不受影响				1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1 V @ 10 mA	2 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
CPZ58X-1N5237B-CT	-	RFQ	5461	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			500兆	死	-				1514-CPZ58X-1N5237B-CT	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V									8.2 v	8欧姆
CPZ58X-1N4692-WN	-	RFQ	7090	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死				死	-				1514-CPZ58X-1N4692-WN	Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 100 ma		10 µA @ 5.1 V									6.8 v
CPZ58X-BZX55C6V8-CT	-	RFQ	4064	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5.88％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死				死	-				1514-CPZ58X-BZX55C6V8-CT	Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 100 ma		100 na @ 3 V									6.8 v	8欧姆
CDM7-650 bk	-	RFQ	4502	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-				1514-CDM7-650BK			1		n通道	650 v	7a（ta）	10V	1.5OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	30V	754 pf @ 25 V	-	1.12W（TA），140W（tc）
CUD10-04 bk	-	RFQ	4977	中央半导体公司	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		CUD10-04BK	Ear99	8541.10.0080	150	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.3 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	10a	62pf @ 4V，1MHz
CMPZ4101 TR	-	RFQ	6842	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		CMPZ4101TR	Ear99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 200 MA		1 µA @ 6.3 V									8.2 v	200欧姆
CP398X-CPDM303NH-CT	-	RFQ	9768	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	cp398	MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，2.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	-
CP373-CMPDM303NH-CT	-	RFQ	1779年	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0040	1		n通道	30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，2.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	-
CP373-CTLDM303N-CT	-	RFQ	5293	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0040	1		n通道	30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，2.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4522）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²