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离散半导体产品（（4522）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电压 -输出	fet	（ih）（IH））	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	（ID） - 最大	电压 -偏移（ vt）	电流 -阳极泄漏的门（ -igao）	电流-iv（iv）	电流 -峰值
CBR1U-D010	-	RFQ	4256	中央半导体公司	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-smdip	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																											1.05 V @ 1 A		5 µA @ 100 V		1 a		单相	100 v
CZ5384C bk	-	RFQ	2589	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-201aa，do-27，轴向			5 w	DO-201-201	下载		（1 （无限）		CZ5384CBK	Ear99	8541.10.0050	500																											1.2 V @ 1 A		500 NA @ 122 V									160 v	350欧姆
CZ5335B Tr	-	RFQ	8481	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-201aa，do-27，轴向			5 w	DO-201-201	下载		（1 （无限）		CZ5335BTR	Ear99	8541.10.0050	1,400																											1.2 V @ 1 A		50 µA @ 1 V									3.9 v	2欧姆
CBR1A-020	-	RFQ	8413	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR1A-020 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250																											1 V @ 1 A		10 µA @ 200 V		1.5 a		单相	200 v
CBR1A-040	-	RFQ	1444	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR1A-040 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250																											1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V		1.5 a		单相	400 v
CBR1A-060	-	RFQ	1725年	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR1A-060 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250																											1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V		1.5 a		单相	600 v
CBR2-010	-	RFQ	3806	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR2-010 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250																											1.1 V @ 2 A		10 µA @ 100 V		2 a		单相	100 v
CBR2-100	-	RFQ	6376	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR2-100 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250																											1.1 V @ 2 A		10 µA @ 1000 V		2 a		单相	1 kV
CTLDM8120-M621H bk	-	RFQ	7213	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		TLM621H	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000				P通道			20 v	950mA（ta）	1.8V，4.5V	150MOHM @ 950mA，4.5V	1V @ 250µA	3.56 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 16 V	-	1.6W（TA）
cmpfj310 bk	-	RFQ	1142	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	下载		供应商不确定		CMPFJ310BK	Ear99	8541.21.0095	1				n通道			25 v							5pf @ 10V																					25 v	24 mA @ 10 V	2 V @ 1 na
2N4852	-	RFQ	5824	中央半导体公司	-	盒子	过时的				TO-206AA，TO-18-3					下载		不适用			过时的	0000.00.0000	1			5V			-										300兆																												4 mA	2 µA
CR2-160 BK	-	RFQ	4267	中央半导体公司	-	盒子	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载		不适用		CR2-160BK	Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1600 v	1.1 V @ 2 A		10 µA @ 1600 V	-65°C〜175°C	2a	-
CSDD-16M TR13	-	RFQ	2010	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				D2PAK	下载		（1 （无限）		CSDD-16MTR13	Ear99	8541.30.0080	800					20 ma												600 v	16 a	1.5 v	160a @ 60Hz	15 ma	1.6 v	32 a	10 µA	敏感门
CMPP6028R TR	-	RFQ	4904	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					下载		（1 （无限）	到达不受影响	CMPP6028RTR	Ear99	8541.21.0095	3,000			6V			40V										167兆																										600 mv	10 na	25 µA	150 NA
CUD10-04 bk	-	RFQ	4977	中央半导体公司	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		CUD10-04BK	Ear99	8541.10.0080	150		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								400 v	1.3 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	10a	62pf @ 4V，1MHz
CMPZ4101 TR	-	RFQ	6842	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		CMPZ4101TR	Ear99	8541.10.0050	3,000																											1 V @ 200 MA		1 µA @ 6.3 V									8.2 v	200欧姆
CMKZ5232B BK	-	RFQ	8662	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	1	3独立																										900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3 V									5.6 v	11欧姆
CMKZ5242B BK	-	RFQ	7822	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	1	3独立																										900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V									12 v	30欧姆
CMKZ5224B TR	-	RFQ	1180	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																										900 mv @ 10 ma		75 µA @ 1 V									2.8 v	30欧姆
CMKZ5233B TR	-	RFQ	2690	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																										900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3.5 V									6 V	7欧姆
CMKZ5235B TR	-	RFQ	4518	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																										900 mv @ 10 ma		3 µA @ 5 V									6.8 v	5欧姆
CMKZ5254B TR	-	RFQ	6947	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																										900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V									27 V	41欧姆
CMKZ5257B TR	-	RFQ	3941	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																										900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V									33 V	58欧姆
CBRDFSH1-60 TR13	0.6000	RFQ	3	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	4-DLFN	CBRDFSH1	肖特基		4-BR DFN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000																											700 mv @ 1 A		200 µA @ 60 V		1 a		单相	60 V
CBRDFSH1-100 TR13	-	RFQ	6687	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	4-DLFN	CBRDFSH1	肖特基		4-BR DFN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000																											850 mv @ 1 a		200 µA @ 100 V		1 a		单相	100 v
CBRSDSH2-40 bk	-	RFQ	1626年	中央半导体公司	-	管子	过时的		-50°C〜125°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		肖特基		4-smdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CBRSDSH2-40BK	Ear99	8541.10.0080	50																											450 mv @ 2 a		70 µA @ 40 V		2 a		单相	40 V
CBRHDSH2-40 bk	-	RFQ	2795	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-50°C〜125°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	CBRHDSH2	肖特基		4-HD蘸酱	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CBRHDSH2-40BK	Ear99	8541.10.0080	350																											500 mv @ 2 a		50 µA @ 40 V		2 a		单相	40 V
CBRSDSH2-60 bk	-	RFQ	9983	中央半导体公司	-	管子	过时的		-50°C〜125°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		肖特基		4-smdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CBRSDSH2-60BK	Ear99	8541.10.0080	50																											600 mv @ 2 a		70 µA @ 60 V		2 a		单相	60 V
CP206-2N4856-CM	-	RFQ	7831	中央半导体公司	*	托盘	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP206-2N4856-CM	过时的		400
CP216-2N4393-CT20	-	RFQ	3462	中央半导体公司	-	托盘	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死				死	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP216-2N4393-CT20	过时的		20				n通道			40 V							20pf @ 20V																					40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na			100欧姆	50 mA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4522）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²