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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | Cllrh-06 bk | - | ![]() | 6876 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 标准 | SOD-80 | 下载 | 请求库存验证 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 500 mA | 200 NA @ 600 V | -65°C〜175°C | 500mA | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4624 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 2233 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550年 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3565 | - | ![]() | 6334 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5246B tr pbfree | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C15 bk pbfree | 0.1341 | ![]() | 1013 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 10.5 V | 15 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||
1N5915B bk | - | ![]() | 9273 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 7.5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLT3820G TR PBFRE | 0.6500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLT3820 | 250兆 | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 280mv @ 100mA,1a | 200 @ 500mA,5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM7003 TR | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM7003 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 50V | 280mA | 2ohm @ 50mA,5v | 1V @ 250µA | 0.76NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
CEN955 W/数据 | - | ![]() | 1286 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | CEN9 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP188-BC546B-WR | - | ![]() | 1061 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP188-BC546B-WR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | ||||||||||||||||||||||||||
1N4754A bk pbfree | 0.0522 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 29.7 V | 39 v | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3906 PBFRE | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 V | 50NA(iCBO) | PNP | - | 100 @ 10mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR5-020 bk | - | ![]() | 7316 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CR5-010 | 盒子 | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | (1 (无限) | CR5-020BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 5 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR5-040 bk | - | ![]() | 4392 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CR5-010 | 盒子 | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | (1 (无限) | CR5-040BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 5 A | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBRLD1-02 bk | - | ![]() | 4900 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | 4-lpdip | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 1 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR10-J090 | - | ![]() | 7434 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,厘米 | 标准 | 厘米 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.2 V @ 5 A | 10 µA @ 100 V | 5 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMZ5916B bk | - | ![]() | 2286 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1.5 w | SMA | 下载 | (1 (无限) | CMZ5916BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 6欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMZ5915BP TR13 | - | ![]() | 9718 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 3 W | SMB | 下载 | (1 (无限) | CMZ5915BPTR13 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 7.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5270B bk | - | ![]() | 9351 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 69 V | 91 v | 400欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5281B tr | - | ![]() | 8490 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35a | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 NA @ 152 V | 200 v | 2500欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1F-D020S | - | ![]() | 2968 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | 4-smdip | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1F-D040S | - | ![]() | 1403 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | 4-smdip | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3 V @ 1 A | 5 µA @ 400 V | 1 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1F-D080 | - | ![]() | 9798 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) | 标准 | 4点 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | 1 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5229b tr | - | ![]() | 1523年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5230c Tr | - | ![]() | 7109 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5234D BK | - | ![]() | 7777 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±1% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5265b Tr | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 100 na @ 47 V | 62 v | 185欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4729c Tr | - | ![]() | 3011 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | 梅尔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR35-100PW | - | ![]() | 6969 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,fpw | 标准 | 4盘FPW | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.2 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1U-D020S TR13 h | - | ![]() | 3926 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | CBR1U | 标准 | 4-smdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CBR1U-D020STR13H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.05 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1 a | 单相 | 200 v |
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