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离散半导体产品（（4522）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电压 -输出	fet	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大	电压 -偏移（ vt）	电流 -阳极泄漏的门（ -igao）	电流-iv（iv）	电流 -峰值
CBR2-100	-	RFQ	6376	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR2-100 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250																1.1 V @ 2 A		10 µA @ 1000 V		2 a				单相	1 kV
CBR35-100PW	-	RFQ	6969	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，fpw		标准		4盘FPW	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	100																1.2 V @ 17.5 A		10 µA @ 1000 V		35 a				单相	1 kV
CTLDM8120-M621H bk	-	RFQ	7213	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		TLM621H	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道		20 v	950mA（ta）	1.8V，4.5V	150MOHM @ 950mA，4.5V	1V @ 250µA	3.56 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 16 V	-	1.6W（TA）
CMPP6028R TR	-	RFQ	4904	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					下载		（1 （无限）	到达不受影响	CMPP6028RTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		6V		40V										167兆																								600 mv	10 na	25 µA	150 NA
cmpfj310 bk	-	RFQ	1142	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	下载		供应商不确定		CMPFJ310BK	Ear99	8541.21.0095	1			n通道		25 v							5pf @ 10V														25 v	24 mA @ 10 V	2 V @ 1 na
1N3324RB PBFRE	-	RFQ	7447	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3324		50 W	DO-203AB（DO-5）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-1N3324RBPBFRE	Ear99	8541.10.0050	100																1.5 V @ 10 A		5 µA @ 22.8 V												30 V	3欧姆
cmpsh1-4l tr pbfree	-	RFQ	6727	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-23-3平线		肖特基		SOT-23F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CMPSH1-4LTRPBFREETR	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V	390 mv @ 1 a		1.5 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	50pf @ 10V，1MHz
cmpsh1-4le bk pbfree	-	RFQ	2000	中央半导体公司	-	大部分	过时的			表面安装	SOT-23-3平线		肖特基		SOT-23F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CMPSH1-4LEBKPBFRE	Ear99	8541.10.0080	3,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V	400 mV @ 1 A		900 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	50pf @ 10V，1MHz
CP805-CXDM4060P-WN	-	RFQ	6882	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP805	MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP805-CXDM4060P-WN	Ear99	8541.29.0040	1,000			P通道		40 V	6.4a（ta）		31MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA		±20V		-	-
CP805-CXDM4060P-CT	-	RFQ	5213	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP805	MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP805-CXDM4060P-CT	Ear99	8541.29.0040	400			P通道		40 V	6.4a（ta）		31MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA		±20V		-	-
CEN1235 TR	-	RFQ	5256	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CEN1235TR	过时的		1,000
Cll4625 Tr tin/铅	0.4900	RFQ	2	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	CLL4625		500兆	SOD-80	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 200 MA		10 µA @ 3 V												5.1 v	1500欧姆
CLL5227B BK TIN/LEAD	0.3800	RFQ	2	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	CLL5227		500兆	SOD-80	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																1.25 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V												3.6 v	24欧姆
CBR1U-D020S锡/铅	4.2000	RFQ	44	中央半导体公司	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	CBR1U-D020	标准		4-smdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CBR1U-D020STIN/LEAD	Ear99	8541.10.0080	50																1.05 V @ 1 A		5 µA @ 200 V		1 a				单相	200 v
CP375-CWDM3011N-WN	-	RFQ	9854	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP375-CWDM3011N-WN	Ear99	8541.29.0040	18,670			n通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	20mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	6.3 NC @ 5 V	±20V	860 pf @ 15 V	-	2.5W
CP337V-2N4013-CT20	-	RFQ	3343	中央半导体公司	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			360兆w	死	下载				1514-CP337V-2N4013-CT20	Ear99	8541.21.0040	20																						30 V	1 a						10µA				NPN	750mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	300MHz
Cll5222b tr	-	RFQ	4936	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载				1514-CLL5222BTR	Ear99	8541.10.0050	1																1.25 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V												2.5 v	30欧姆
CMLT3474 TR	-	RFQ	3899	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLT3474		350MW	SOT-563	下载			到达不受影响	1514-CMLT3474TR	Ear99	8541.21.0095	1																						25V	1a						100NA（ICBO）				NPN，PNP	450mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
CP588-BC556B-CM	-	RFQ	1712	中央半导体公司	-	大部分	过时的									-			到达不受影响	1514-CP588-BC556B-CM	Ear99	8541.29.0040	1
CP611-TIP42-CT	-	RFQ	9835	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			2 w	死	-			到达不受影响	1514-CP611-TIP42-CT	Ear99	8541.29.0040	1																						100 v	6 a						700µA				PNP	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
2N6421	-	RFQ	4818	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	-		35 w	到66	下载				1514-2N6421	过时的		1																						250 v	2 a						5mA				PNP	750mv @ 125mA，1a	8 @ 1a，2v	10MHz
1N5917B tr	-	RFQ	3168	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,000																1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V												4.7 v	5欧姆
1N821A TR	-	RFQ	6738	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载				1514-1N821ATR	Ear99	8541.10.0050	1																														6.2 v	10欧姆
1n914b bk锡/铅	0.1600	RFQ	1	中央半导体公司	-	盒子	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0070	2,500	小信号= <200ma（io（io），任何速度														100 v	1 V @ 20 ma	4 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C	150mA	4pf @ 0v，1MHz
1N4730A BK锡/铅	0.3800	RFQ	1	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V												3.9 v	9欧姆
1N4002SP BK锡/铅	0.4700	RFQ	1	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														100 v	1.1 V @ 1 A		5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	-
CEDM7001VL BK	-	RFQ	4282	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）		SOT-883VL	下载		（1 （无限）		1514-CEDM7001VLBK	Ear99	8541.21.0095	1			n通道		20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	3ohm @ 10mA，4V	900mv @ 250µA	0.566 NC @ 4.5 V	10V	9 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
CP226V-2N4393-CT20	-	RFQ	4975	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死			1.8 w	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP226V-2N4393-CT20	Ear99	8541.29.0095	20			n通道		40 V							20pf @ 20V														40 V	5 ma @ 3 V	500 mv @ 1 na				100欧姆					50 mA
1N5930C bk	-	RFQ	4576	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-1N5930CBK	Ear99	8541.10.0050	2,000																1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V												16 V	10欧姆
CPZ28X-C5242B-CM200	-	RFQ	1472	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			500兆	死	下载			到达不受影响	1514-CPZ28X-C5242B-CM200	Ear99	8541.10.0040	1																1 V @ 100 ma

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4522）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²