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离散半导体产品（（4522）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CBR1-L010M PBFRE	-	RFQ	9303	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR1-L010	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	35	1 V @ 1 A	10 µA @ 100 V	1.5 a	单相	100 v
CBR1-L060M PBFRE	-	RFQ	8537	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR1-L060	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	35	1 V @ 1 A	10 µA @ 600 V	1.5 a	单相	600 v
CBR1-L080M	0.5794	RFQ	7554	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR1-L080	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	CBR1-L080M PBFRE	Ear99	8541.10.0080	35	1 V @ 1 A	10 µA @ 800 V	1.5 a	单相	800 v
CBR2-L010M	0.5562	RFQ	6714	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR2-L010	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	CBR2-L010M PBFRE	Ear99	8541.10.0080	25	1.1 V @ 2 A	10 µA @ 100 V	2 a	单相	100 v
CBR2-L020M PBFRE	-	RFQ	2838	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR2-L020	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	35	1.1 V @ 2 A	10 µA @ 200 V	2 a	单相	200 v
CBR2-L060M	0.5639	RFQ	3380	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR2-L060	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	CBR2-L060M PBFRE	Ear99	8541.10.0080	35	1.1 V @ 2 A	10 µA @ 600 V	2 a	单相	600 v
CBR2-L080M	0.5639	RFQ	3793	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR2-L080	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	CBR2-L080M PBFRE	Ear99	8541.10.0080	25	1.1 V @ 2 A	10 µA @ 800 V	2 a	单相	800 v
1N4711 TR PBFRE	0.2190	RFQ	7976	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000	1.5 V @ 100 ma	10 na @ 20.4 V				27 V
1N4712 bk pbfree	0.2190	RFQ	8640	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.5 V @ 100 ma	10 na @ 21.2 V				28 V
1N5237B bk pbfree	0.0353	RFQ	8321	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 6.5 V				8.2 v	8欧姆
1N5241B bk pbfree	0.0353	RFQ	1501	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 8.4 V				11 V	22欧姆
1N5250B bk pbfree	0.0353	RFQ	5150	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 15 V				20 v	25欧姆
1N5251B bk pbfree	0.0353	RFQ	9267	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 17 V				22 v	29欧姆
1N5928B TR PBFRE	-	RFQ	2844	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000	1.5 V @ 200 ma	1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
1N5938B TR PBFRE	-	RFQ	8905	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000	1.5 V @ 200 ma	1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
1N5946B tr	-	RFQ	4780	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000	1.5 V @ 200 ma	1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
1N5988B bk pbfree	0.0494	RFQ	3495	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.5 V @ 100 ma	25 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
1N5994B bk pbfree	0.0494	RFQ	4204	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.5 V @ 100 ma	2 µA @ 3 V				5.6 v	25欧姆
1N5994B TR PBFRE	-	RFQ	7737	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000	1.5 V @ 100 ma	2 µA @ 3 V				5.6 v	25欧姆
1N6004B bk pbfree	0.0494	RFQ	4262	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.5 V @ 100 ma	100 na @ 11 V				15 v	32欧姆
1N6006B tr pbfree	0.0494	RFQ	5267	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000	1.5 V @ 100 ma	100 na @ 14 V				18 V	42欧姆
1N971B bk pbfree	0.0734	RFQ	8463	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 20.6 V				27 V	41欧姆
CBR1U-D020S TR13 h	-	RFQ	3926	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	CBR1U	标准		4-smdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CBR1U-D020STR13H	Ear99	8541.10.0080	1,000	1.05 V @ 1 A	5 µA @ 200 V	1 a	单相	200 v
CBR1U-D010	-	RFQ	4256	中央半导体公司	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-smdip	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	1.05 V @ 1 A	5 µA @ 100 V	1 a	单相	100 v
CZ5384C bk	-	RFQ	2589	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-201aa，do-27，轴向			5 w	DO-201-201	下载		（1 （无限）		CZ5384CBK	Ear99	8541.10.0050	500	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 122 V				160 v	350欧姆
CZ5335B Tr	-	RFQ	8481	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-201aa，do-27，轴向			5 w	DO-201-201	下载		（1 （无限）		CZ5335BTR	Ear99	8541.10.0050	1,400	1.2 V @ 1 A	50 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
CBR1A-020	-	RFQ	8413	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR1A-020 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250	1 V @ 1 A	10 µA @ 200 V	1.5 a	单相	200 v
CBR1A-040	-	RFQ	1444	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR1A-040 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250	1 V @ 1 A	10 µA @ 400 V	1.5 a	单相	400 v
CBR1A-060	-	RFQ	1725年	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR1A-060 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250	1 V @ 1 A	10 µA @ 600 V	1.5 a	单相	600 v
CBR2-010	-	RFQ	3806	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		（1 （无限）		CBR2-010 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250	1.1 V @ 2 A	10 µA @ 100 V	2 a	单相	100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4522）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²