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离散半导体产品（（4522）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电压 -输出	fet	电压	（VDSS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -偏移（ vt）	电流 -阳极泄漏的门（ -igao）	电流-iv（iv）	电流 -峰值
Cll4729c Tr	-	RFQ	3011	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	梅尔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	1,500									1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V												3.6 v	10欧姆
CBR1F-D020S	-	RFQ	2968	中央半导体公司	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-smdip	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1									1.3 V @ 1 A	5 µA @ 200 V		1 a				单相	200 v
CBR1F-D040S	-	RFQ	1403	中央半导体公司	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-smdip	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1									1.3 V @ 1 A	5 µA @ 400 V		1 a				单相	400 v
CBR1F-D080	-	RFQ	9798	中央半导体公司	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）		标准		4点	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1									1.3 V @ 1 A	10 µA @ 800 V		1 a				单相	800 v
1N979B bk	-	RFQ	8253	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500									1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 42.6 V												56 v	150欧姆
CMKBR-6F bk	-	RFQ	2063	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		标准		SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	5,000									1 V @ 20 ma	10 na @ 50 V		140 MA				单相	60 V
CMFBR-6F Tr	-	RFQ	9168	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		标准		SOT-143	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000									1 V @ 20 ma	10 na @ 50 V		140 MA				单相	60 V
J112	-	RFQ	4393	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			350兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	J112CS	Ear99	8541.21.0095	1			n通道			5pf @ 10V（vgs）												35 v	5 ma @ 15 V	5 V @ 1 µA				50欧姆
CBR10A-J080	-	RFQ	2225	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	通过洞	4平方英尺，厘米		雪崩		厘米	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1									1.2 V @ 5 A	10 µA @ 800 V		10 a				单相	800 v
CBR6-010	-	RFQ	9341	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，厘米		标准		厘米	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1									1.1 V @ 3 A	10 µA @ 100 V		6 a				单相	100 v
CBR6-080	-	RFQ	5231	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，厘米		标准		厘米	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1									1.1 V @ 3 A	10 µA @ 800 V		6 a				单相	800 v
CBR6A-040	-	RFQ	2345	中央半导体公司	-	大部分	过时的			通过洞	4平方英尺，厘米				厘米	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1
CBR6F-060	-	RFQ	8146	中央半导体公司	-	大部分	过时的			通过洞	4平方英尺，厘米				厘米	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1
CMKTC825E BK	-	RFQ	3693	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			325兆	SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																						6.2 v	20欧姆
CRSH2-4 Tr	-	RFQ	9433	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		肖特基		do-15	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							40 V	500 mv @ 2 a	500 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	2a	170pf @ 4V，1MHz
2N3646	-	RFQ	7724	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-106-3 DOMED			200兆	TO-106	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500														15 v	200 ma						500NA				NPN	500mv @ 30mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	350MHz
CP647-PMD19K100-WS	-	RFQ	7637	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP647			死	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1														100 v	30 a						-				pnp-达灵顿	2.8V @ 60mA，15a	800 @ 15a，3v	4MHz
CP547-2N6287-CM	-	RFQ	4810	中央半导体公司	CP547	托盘	过时的			表面安装	死				死	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	49
2N3820	-	RFQ	8008	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			360兆w	到92	下载					Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道		20 v	32pf @ 10V												20 v	300 ma @ 10 V	8 V @ 10 µA
2N6027 PBFRE	1.2383	RFQ	8585	中央半导体公司	-	大部分	积极的				TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		6V		40V			300兆																						1.6 v	10 na	50 µA	2 µA
1N4118 tr	0.2400	RFQ	4067	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000									1.1 V @ 200 ma	10 na @ 20.5 V												27 V	150欧姆
1N4620 TR PBFRE	0.2190	RFQ	9509	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000									1 V @ 200 MA	7.5 µA @ 1.5 V												3.3 v	1650年
1N4621 bk pbfree	0.2190	RFQ	2526	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500									1 V @ 200 MA	7.5 µA @ 2 V												3.6 v	1700欧姆
1N4626 TR PBFRE	0.2190	RFQ	4595	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000									1 V @ 200 MA	10 µA @ 4 V												5.6 v	1400欧姆
1N4682 TR PBFRE	0.2190	RFQ	5649	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000									1.5 V @ 100 ma	1 µA @ 1 V												2.7 v
1N4683 bk pbfree	0.2190	RFQ	6175	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500									1.5 V @ 100 ma	800 na @ 1 V												3 V
1N4699 bk pbfree	0.2190	RFQ	9527	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500									1.5 V @ 100 ma	50 NA @ 9.1 V												12 v
1N4706 TR PBFRE	0.2190	RFQ	4911	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4706		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000									1.5 V @ 100 ma	50 NA @ 14.4 V												19 v
1N4707 bk pbfree	0.2190	RFQ	2378	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500									1.5 V @ 100 ma	10 na @ 15.2 V												20 v
CBR1-020	-	RFQ	8932	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		不适用		CBR1-020 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250									1 V @ 1 A	10 µA @ 200 V		1.5 a				单相	200 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4522）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²