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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | (ID) - 最大 |
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![]() | 1N5240B tr pbfree | 0.0353 | ![]() | 9276 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N756A TR PBFRE | 0.4600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 8.2 v | 8欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5943B bk pbfree | - | ![]() | 2199 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 v | 86欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4728 Tr | - | ![]() | 2230 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 1514-CLL4728TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP788X-BC556B-WR | - | ![]() | 8435 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | 表面安装 | 死 | CP788 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP788X-BC556B-WR | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2608 | - | ![]() | 2561 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 300兆 | TO-18 | 下载 | 供应商不确定 | 2N2608CS | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | P通道 | - | 30 V | 900 µA @ 5 V | 1 V @ 1 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPF4393 TR PBFRE | 1.0800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPF4393 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 14pf @ 20V | 40 V | 5 ma @ 20 V | 500 mv @ 1 na | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MD7003B | - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD700 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 40V | 50mA | - | 2 PNP (双) | - | 40 @ 100µA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX23 PBFRE | 4.7520 | ![]() | 2217 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BCX23 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 125 v | 100NA(ICBO) | PNP | - | 40 @ 200ma,1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4616 TR PBFRE | 0.2190 | ![]() | 4278 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4616 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 MA | 4 µA @ 1 V | 2.2 v | 1300欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5924B bk pbfree | - | ![]() | 9255 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 7 V | 9.1 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT853-M833S TR | - | ![]() | 3168 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | 2.5 w | TLM833S | 下载 | (1 (无限) | CTLT853-M833STR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 100 v | 6 a | 10NA | NPN | 340mv @ 500mA,5a | 100 @ 2a,2v | 190MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5255B TR | - | ![]() | 2943 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSZ5255 | 275兆 | SOT-323 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 21 V | 28 V | 44欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5226B TR PBFRE | 0.3800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ5226 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1F-D020S TR13 | - | ![]() | 6929 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | 4-smdip | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.3 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBR25-040p | - | ![]() | 9910 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,fp | 标准 | 4 fp | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6071B PBFRE | - | ![]() | 8290 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜110°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | TO-126 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-2N6071BPBFRE | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 15 ma | 逻辑 -敏感门 | 200 v | 4 a | 2 v | 30a @ 60Hz | 5 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741A BK锡/铅 | 0.0565 | ![]() | 5642 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 8欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3-020GPP Tr | - | ![]() | 2418 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | (1 (无限) | CR3-020GPPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cllr1u-02 bk | - | ![]() | 9861 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | 标准 | 梅尔 | 下载 | 1514-CLLR1U-02BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ5267B TR PBFRE | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPZ5267 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 56 V | 75 v | 270欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4393-CM | - | ![]() | 3581 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 1.8 w | 死 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP226V-2N4393-CM | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 5 mv @ 3 V | 500 mv @ 1 na | 100欧姆 | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP208-CEN1315-CT | - | ![]() | 7793 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP208-CEN1315-CTTB | Ear99 | 8541.29.0040 | 1,000 | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP307-MPSA13-WN | - | ![]() | 4673 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 625兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP307-MPSA13-WN | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 100mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1373 TR PBFRE | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5235b bk | - | ![]() | 1952年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | 请求库存验证 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5227B BK | - | ![]() | 7017 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP617-CEN1271-WN | - | ![]() | 3769 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | 1514-CP617-CEN1271-WN | 过时的 | 500 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP41A PBFRE | 0.6296 | ![]() | 3642 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示41 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 6 a | 700µA | NPN | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M621H TR | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM621H | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 950mA(ta) | 1.8V,4.5V | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | 3.56 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 16 V | - | 1.6W(TA) |
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