分立半导体产品(61)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
FDN338P	0.3500	询价	1	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道	20V	2.8A（塔）	2.5V、4.5V	112毫欧@2.8A，4.5V	1V@250μA	10nC@4.5V	±8V	405pF@10V	-	400毫W（塔）
NDC7002N	0.4100	询价	8309	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	NDC7002	-	700毫W（塔）	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		50V	510mA（塔）		2欧姆@510mA，10V	2.5V@250μA	1nC@10V		20pF@25V	标准
AO4480	0.7700	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		2,500人	N沟道	40V	14A（塔）	4.5V、10V	12毫欧@14A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1920pF@20V	-	3.1W（塔）
SI2318A	0.3600	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	40V	4.3A（Ta）、5.6A（Tc）	4.5V、10V	42毫欧@4.3A，10V	2.5V@250μA	9nC@20V	±20V	340pF@20V	-	1.25W（Ta）、2.1W（Tc）
AO3415A	0.4300	询价	7358	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道	20V	4A（塔）	2.5V、4.5V	36mOhm@4A，4.5V	1V@250μA	17.2nC@4.5V	±8V	1450pF@10V	-	350毫W（塔）
AO4459	0.6600	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道	30V	6.5A（塔）	4.5V、10V	42毫欧@6.5A，10V	2.5V@250μA	11nC@10V	±20V	520pF@15V	-	3.1W（塔）
SI2303	0.4600	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道	30V	1.7A（塔）	4.5V、10V	190毫欧@1.7A，10V	3V@250μA	4nC@4.5V	±20V	155pF@15V	-	900毫W（塔）
SI2300A	0.5300	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	20V	6A（塔）	2.5V、4.5V	25毫欧@6A，4.5V	1V@50μA	10nC@4.5V	±12V	574pF@10V	-	-
1N60G	0.5300	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		2,500人	N沟道	600伏	1A（Tj）	10V	11欧姆@500mA，10V	4V@250μA	4.8nC@10V	±30V	150pF@25V	-	-
AO3409A	0.4300	询价	3	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		3,000	P沟道	30V	2.6A（塔）	4.5V、10V	130毫欧@2.6A，10V	3V@250μA	9nC@10V	±20V	15V时为370pF	-	1.4W（塔）
ULN2803A	1.1000	询价	18	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ULN2803		-	18-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	2,000												-	500毫安	20微安	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	-	-
AO3403A	0.5000	询价	3	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		3,000	P沟道	30V	2.6A（塔）	4.5V、10V	75毫欧@2.6A，10V	1.4V@250μA	10V时为7.2nC	±12V	15V时为315pF	-	1.4W（塔）
SI2310A	0.5000	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	60V	3A（塔）	4.5V、10V	80毫欧@3A，10V	3V@250μA	10nC@4.5V	±20V	780pF@25V	-	1.38W（塔）
SI2312A	0.4600	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	20V	5A（塔）	1.8V、4.5V	26毫欧@5A，4.5V	850mV@250μA	14nC@4.5V	±8V		-	750毫W（塔）
1N65G	0.6400	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		2,500人	N沟道	650伏	1A（Tj）	10V	11欧姆@500mA，10V	4V@250μA	4.8nC@10V	±30V	150pF@25V	-	-
APM4953	0.5900	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	APM49		2W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		3,000		30V	5.3A（塔）		41毫欧@5.3A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V		504pF@15V	标准
AO3416A	0.5000	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	20V	6A（塔）	1.8V、4.5V	25毫欧@6.5A，4.5V	1.1V@250μA	10nC@4.5V	±8V	1650pF@10V	-	1.4W（塔）
SS8050	0.2100	询价	1	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			300毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												25V	1.5A	100纳安	NPN	500毫伏@80毫安，800毫安	120@100mA，1V	100兆赫兹
SI2308A	0.4600	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	60V	3A（塔）	4.5V、10V	80毫欧@3A，10V	3V@250μA	10nC@10V	±20V	240pF@25V	-	1.25W（塔）
40N06	0.6900	询价	5872	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	60V	50A（温度）	4.5V、10V	18毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2928pF@25V	-	105W（温度）
STD15NF10L	1.2000年	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	100V	5A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	75毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	10V时为26.2nC	±20V	1535pF@15V	-	2W（Ta）、34.7W（Tc）
AO4466	0.5600	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	30V	10A（塔）	4.5V、10V	18毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	10V时为8.6nC	±20V	448pF@15V	-	3.1W（塔）
SI2305A	0.4800	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		3,000	P沟道	20V	4.2A（塔）	2.5V、4.5V	40毫欧@4.2A，4.5V	500mV@250μA	10.6nC@4.5V	±12V	740pF@15V	-	1.38W（塔）
AO4410	0.6600	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		3,000	N沟道	30V	18A（塔）	4.5V、10V	5.5毫欧@18A，10V	1.5V@250μA	85nC@10V	±12V	10500pF@15V	-	3.1W（塔）
AO3407A	0.4300	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99		3,000	P沟道	30V	4.2A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@4.1A，10V	3V@250μA	14.3nC@4.5V	±20V	700pF@15V	-	1.4W（塔）
30N06	0.7000	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	60V	30A（温度）	4.5V、10V	29毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	25nC@10V	±20V	1562pF@25V	-	55W（温度）
30N03A	0.5600	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	30V	90A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	41nC@10V	±20V	1963pF@15V	-	105W（温度）
100N03A	0.6400	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	30V	90A（温度）	4.5V、10V	4.9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	41nC@10V	±20V	1963pF@15V	-	105W（温度）
SI2302A	0.3900	询价	2	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	20V	3.6A（塔）	2.5V、4.5V	45毫欧@3.6A，4.5V	1.9V@250μA	10nC@4.5V	±8V	300pF@10V	-	1.25W（塔）
FDN335N	0.5200	询价	第420章	UMW	UMW	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道	20V	1.7A（塔）	2.5V、4.5V	70毫欧@1.7A，4.5V	1.5V@250μA	3.5nC@4.5V	±8V	10V时为310pF	-	1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(61)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²