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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | 当前的 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | AON7902 | - | ![]() | 2400 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AON790 | MOSFET (金属 o化物) | 1.8W | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 8a,13a | 21mohm @ 8a,10v | 2.3V @ 250µA | 11NC @ 10V | 710pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||
![]() | AO7400 | 0.4000 | ![]() | 422 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | AO740 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 1.7A(TA) | 2.5V,10V | 85MOHM @ 1.5A,10V | 1.4V @ 250µA | 4.82 NC @ 4.5 V | ±12V | 390 pf @ 15 V | - | 350MW(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | AOD516_051 | - | ![]() | 1436年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD51 | TO-252(DPAK) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | 4.5V,10V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOD256 | 1.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 3A(3A),19a (TC) | 4.5V,10V | 85mohm @ 10a,10v | 2.8V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1165 PF @ 75 V | - | 2.5W(ta),83W(tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AON2810 | 0.2116 | ![]() | 1003 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | AON281 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 2a | 44mohm @ 2a,10v | 1.4V @ 250µA | 10NC @ 10V | 235pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||
AOW11S60 | 1.1876 | ![]() | 1941年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 399MOHM @ 3.8A,10V | 4.1V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 545 pf @ 100 V | - | 178W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AO3418_101 | - | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | AO34 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 3.8A(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4838 | 0.7600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO483 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 11a | 9.6mohm @ 11a,10v | 2.6V @ 250µA | 22nc @ 10V | 1300pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||
![]() | AO3406L_104 | - | ![]() | 5804 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | AO34 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 3.6a(ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOZ5517QI-02 | 2.6100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5517 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 60 a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AONE36182 | 0.7095 | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AONE361 | MOSFET (金属 o化物) | (2W)(25W(ta)(2.5w(ta)(35.5W(ta)(TC) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONE36182TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 25V | (17a)(60a)(60a tc),34a(ta(60a tc)(60a tc) | 4.6mohm @ 17a,10v,1.4Mohm @ 20a,10v | 1.8V @ 250µA | 21nc @ 10v,80nc @ 10V | 880pf @ 12.5V,3215pf @ 12.5V | 标准 | ||||||||||||||||||||
![]() | AONS66520 | 3.1300 | ![]() | 4347 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS665 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 150 v | 17a(17A),100A(tc) | 4.5V,10V | 9.5Mohm @ 20a,10v | 2.6V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±20V | 3200 PF @ 75 V | - | 6.2W(TA),215W(tc) | |||||||||||||||||||
![]() | AON7758_001 | - | ![]() | 6233 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | aon77 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 36a(36A),75A (TC) | 4.5V,10V | 1.85MOHM @ 20A,10V | 2V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±12V | 5200 PF @ 15 V | - | 4.2W(TA),34W(tc) | |||||||||||||||||||
![]() | AO4442L | - | ![]() | 5512 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 75 v | 3.1a(ta) | 4.5V,10V | 130mohm @ 3.1a,10v | 3V @ 250µA | 3.5 NC @ 4.5 V | ±25V | 350 pf @ 37.5 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||||||
AON6270 | - | ![]() | 6871 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon62 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 75 v | 31.5a(ta),85a tc) | 6V,10V | 3.9mohm @ 20a,10v | 3.2V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 4100 PF @ 37.5 V | - | 7.3W(ta),83W(tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | AO4421 | 0.8400 | ![]() | 503 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 6.2a(ta) | 4.5V,10V | 40mohm @ 6.2a,10v | 3V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2900 PF @ 30 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF780A70L | 0.7092 | ![]() | 5937 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF780 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOTF780A70LTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 700 v | 7A(TJ) | 10V | 780MOHM @ 1.4A,10V | 4.1V @ 250µA | 11.5 NC @ 10 V | ±20V | 675 PF @ 100 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOE8910 | - | ![]() | 7150 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | AOE891 | - | 到达不受影响 | 785-AOE8910 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF15B65M1 | 1.2235 | ![]() | 7264 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF15 | 标准 | 36 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1768 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,15a,20欧姆,15V | 317 ns | - | 650 v | 30 a | 45 a | 2.15V @ 15V,15a | 290µJ(在)上,200µj(() | 32 NC | 15NS/94NS | |||||||||||||||||
AON6160 | - | ![]() | 7664 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon61 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 100A(TC) | 10V | 1.58MOHM @ 20A,10V | 3.4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 7790 pf @ 30 V | - | 215W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOB360A70L | 2.1600 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB360 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 700 v | 12A(TC) | 10V | 360MOHM @ 6A,10V | 4V @ 250µA | 22.5 NC @ 10 V | ±20V | 1360 pf @ 100 V | - | 156W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOT418L_001 | - | ![]() | 6200 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 9.5A(ta),105a (TC) | 7V,10V | 10mohm @ 20a,10v | 3.9V @ 250µA | 83 NC @ 10 V | ±25V | 5200 PF @ 50 V | - | 2.1W(TA),333W(tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AOSP21307 | 0.2741 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AOSP213 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1798-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 14A(TA) | 4.5V,10V | 11.5MOHM @ 14A,10V | 2.3V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±25V | 1995 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | AOC2417 | - | ![]() | 6011 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | AOC24 | MOSFET (金属 o化物) | 4-Alphadfn(1.57x1.57) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.5A(ta) | 2.5V,10V | 32MOHM @ 1.5A,10V | 1.4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±12V | 1355 pf @ 10 V | - | 550MW(TA) | |||||||||||||||||||
![]() | AO6801E | - | ![]() | 3598 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | AO680 | MOSFET (金属 o化物) | 700MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 2a | 110MOHM @ 2A,10V | 1.5V @ 250µA | 12nc @ 10V | 305pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||
![]() | AOT20N60L | 1.5073 | ![]() | 6880 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 370MOHM @ 10a,10v | 4.5V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ±30V | 3680 pf @ 25 V | - | 417W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOT13N50 | 0.8770 | ![]() | 3075 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 13A(TC) | 10V | 510MOHM @ 6.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | ||||||||||||||||||
AOWF10N60 | 0.8328 | ![]() | 3315 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOWF10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 750MOHM @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1600 pf @ 25 V | - | 25W(TC) | |||||||||||||||||||
AON6368P | - | ![]() | 9275 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon63 | 8-DFN(5x6) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOT292L | 1.7111 | ![]() | 7883 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT292 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1636-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 14.5A(TA),105A (TC) | 6V,10V | 4.5MOHM @ 20A,10V | 3.4V @ 250µA | 126 NC @ 10 V | ±20V | 6775 PF @ 50 V | - | 2.1W(TA),300W(TC) |
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