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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | AOU4N60_001 | - | ![]() | 8954 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | aou4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251-3 | - | 到达不受影响 | 785-AOU4N60_001 | 1 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.3OHM @ 2A,10V | 4.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±30V | 640 pf @ 25 V | - | 104W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AON6912ALS | - | ![]() | 8709 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | AON6912 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON7702A_101 | - | ![]() | 6593 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 大部分 | 过时的 | -55°C〜155°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | aon77 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 13.5A(TA),36a (TC) | 4.5V,10V | 10mohm @ 13a,10v | 2.1V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±12V | 1400 pf @ 15 V | ((() | 3.1W(TA),23W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AO4822L_101 | - | ![]() | 6838 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO482 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 30V | 8a | 19mohm @ 8a,10v | 2.4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF20C60 | - | ![]() | 9493 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 250mohm @ 10a,10v | 5V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ±30V | 3500 PF @ 50 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||
AON6528 | - | ![]() | 2352 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON652 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 6.3MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1037 PF @ 15 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AO4441 | 0.6500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 4A(ta) | 4.5V,10V | 100mohm @ 4A,10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 1120 PF @ 30 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AON7403L | - | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON740 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | 8a(8a ta),20A (TC) | 4.5V,10V | 18mohm @ 8a,10v | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±25V | 1400 pf @ 15 V | - | 1.6W(ta),27W((((((((( | ||||||||||||||||
AON6282 | 0.7232 | ![]() | 3695 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon62 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 26.5A(ta),85a tc) | 6V,10V | 5.6mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±20V | 2848 PF @ 40 V | - | 7.4W(ta),83W(tc) | ||||||||||||||||
AON6702 | - | ![]() | 8953 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 26A(26A),85A (TC) | 4.5V,10V | 2mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 123 NC @ 10 V | ±20V | 7080 pf @ 15 V | ((() | 2.3W(TA),83W(tc) | |||||||||||||||||
AOWF10N65 | 0.7871 | ![]() | 5517 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOWF10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 10A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1645 PF @ 25 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AO4450_101 | - | ![]() | 8679 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 7a(ta) | 4.5V,10V | 30mohm @ 7a,10v | 3V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 516 pf @ 20 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF7T60 | - | ![]() | 6368 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 1.1OHM @ 3.5A,10V | 5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 962 PF @ 100 V | - | 38W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF20B65M2 | 2.9100 | ![]() | 802 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF20 | 标准 | 45 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1771 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,20a,15ohm,15V | 292 ns | - | 650 v | 40 a | 60 a | 2.15V @ 15V,20A | (580µJ)(在),280µJ(((() | 46 NC | 26ns/123ns | ||||||||||||||
![]() | AOD4144_002 | - | ![]() | 2455 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | (13a)(ta),55a(tc) | 4.5V,10V | 8mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 1430 pf @ 15 V | - | 2.3W(TA),50W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOTS26108 | 0.1820 | ![]() | 4627 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | AOTS261 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TA) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOTS26108TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V,20V | 3.8A(ta),4.5a(ta) | 50mohm @ 3.8A,10V,44MOHM @ 4.5a,4.5V | 1.5V @ 250µA,950mv @ 250µA | 16nc @ 10v,17nc @ 4.5V | 340pf @ 15V,930pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||||||
![]() | AO4447AL_201 | - | ![]() | 9778 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 17A(TA) | 4V,10V | 7mohm @ 17a,10v | 1.6V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±20V | 5500 PF @ 15 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||||
![]() | AO3454 | - | ![]() | 6476 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AO3454Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.8A(ta) | 4.5V,10V | 25mohm @ 5.8A,10V | 2.6V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 373 PF @ 15 V | - | 1.4W(TA) | ||||||||||||||
AON6278 | 2.6800 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon62 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 34A(ta),85a(tc) | 6V,10V | 3.3mohm @ 20a,10v | 3.3V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±20V | 4646 pf @ 40 V | - | 7.4W(TA),208W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF12N50_008 | - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF12N50_008 | 1 | n通道 | 500 v | 12A(TC) | 10V | 520MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOD21357 | 0.8400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD21 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 70A(TC) | 10V | 8mohm @ 20a,10v | 2.3V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±25V | 2830 pf @ 15 V | - | 78W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOD403_003 | - | ![]() | 1926年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 30 V | (15a)(ta),70a(tc) | 10V,20V | 6.2MOHM @ 20A,20V | 3.5V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±25V | 3500 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),90w(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOD3N60 | 0.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 2.5A(TC) | 10V | 3.5OHM @ 1.25A,10V | 4.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 370 pf @ 25 V | - | 56.8W(TC) | |||||||||||||||
AOW14N50 | 0.9653 | ![]() | 3401 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 278W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOK20B60D1 | 2.0924 | ![]() | 4477 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK20 | 标准 | 167 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V,20a,15ohm,15V | 107 ns | - | 600 v | 40 a | 74 a | 2.4V @ 15V,20A | (760µJ)(在180µJ上) | 24.6 NC | 20NS/66NS | |||||||||||||||
![]() | AON7764 | - | ![]() | 6532 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | aon77 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | (30a)(32A)(32a tc) | 4.5V,10V | 3.2MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1990 pf @ 15 V | - | 4.2W(TA),30W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOK30B65M2 | 4.6700 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK30 | 标准 | 300 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1753 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,10ohm,15V | 339 ns | - | 650 v | 60 a | 90 a | 2.1V @ 15V,30a | 1.02mj(在)上,410µJ off) | 63 NC | 34NS/138NS | ||||||||||||||
![]() | AOTF10B65M1 | 1.7700 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF10 | 标准 | 30 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1766 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,10A,30OHM,15V | 263 ns | - | 650 v | 20 a | 30 a | 2V @ 15V,10a | 180µJ(在)(130µJ)上 | 24 NC | 12NS/91NS | ||||||||||||||
![]() | AOTS40B65H1 | 2.9100 | ![]() | 1661年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTS40 | 标准 | 300 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1774 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,40a,7.5Ohm,15V | - | 650 v | 80 a | 120 a | 2.4V @ 15V,40a | (1.27mj)(在),460µJ(OFF)上) | 63 NC | 41NS/130NS | |||||||||||||||
![]() | AOI206_002 | - | ![]() | 2416 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | AOI206 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251A | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 18A(18A),46A (TC) | 4.5V,10V | 5mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1333 PF @ 15 V | - | 2.5W(ta),50W(50W)(TC) |
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