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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | 当前的 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | AOSP36326C | 0.4600 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AOSP363 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 11mohm @ 12a,10v | 2.3V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 542 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA) | ||||||||||||||||||
AON6734 | - | ![]() | 2667 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 37A(TA),85A(tc) | 4.5V,10V | 2.8mohm @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±12V | 1900 pf @ 15 V | - | 6.2W(TA),32.2W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOTF8N50L_004 | - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | AOTF8 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOTF8N50L_004 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOD3N80 | 1.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 800 v | 2.8A(TC) | 10V | 4.8OHM @ 1.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±30V | 510 pf @ 25 V | - | 83W(TC) | ||||||||||||||||||
AON6774 | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 44A(ta),85A(85A)TC) | 4.5V,10V | 2.05MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 15 V | - | 6.2W(ta),48W(tc) | |||||||||||||||||||
![]() | AOC2415 | - | ![]() | 6836 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | AOC24 | MOSFET (金属 o化物) | 4-Alphadfn(1.57x1.57) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.5A(ta) | 1.5V,4.5V | 33mohm @ 1.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 V | ±8V | 1685 pf @ 10 V | - | 550MW(TA) | |||||||||||||||||||
![]() | AOB280L | 2.4890 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | AOB280 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 80 V | 20.5A(TA),140A (TC) | 6V,10V | 2.2MOHM @ 20A,10V | 3.4V @ 250µA | 224 NC @ 10 V | ±20V | 11135 PF @ 40 V | - | 2.1W(TA),333W(tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AOT190A60CL | 2.4800 | ![]() | 7912 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT190 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOT190A60CL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 190MOHM @ 7.6A,10V | 4.6V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±30V | 1935 PF @ 100 V | - | 208W(TC) | |||||||||||||||||
AOL1454 | 0.4322 | ![]() | 7829 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 3-PowersMD,平坦的铅 | AOL14 | MOSFET (金属 o化物) | Ultraso-8™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | (12A)(ta),50a(tc) | 4.5V,10V | 9mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1920 PF @ 20 V | - | 2.1W(ta),60W(60W)TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOTF8T50P | - | ![]() | 8162 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF8 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 8A(TC) | 10V | 810MOHM @ 4A,10V | 5V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±30V | 905 PF @ 100 V | - | 38W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOT16N50 | 1.0079 | ![]() | 9369 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT16 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 16A(TC) | 10V | 370MOHM @ 8A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 278W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AONR62921 | 0.6733 | ![]() | 4871 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | AONR629 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF6N90 | 0.7844 | ![]() | 9382 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 900 v | 6A(TC) | 10V | 2.2OHM @ 3A,10V | 4.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1450 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AON3825_001 | - | ![]() | 5325 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | AON3825 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
AON6514_102 | - | ![]() | 1965年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON651 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 23A(23A),30A (TC) | 4.5V,10V | 5mohm @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 22.5 NC @ 10 V | ±20V | 951 PF @ 15 V | - | 4.1W(TA),25W(TC) | |||||||||||||||||||
AON6786_001 | - | ![]() | 7602 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 24A(24A),85A (TC) | 4.5V,10V | 2.4mohm @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±12V | 6780 pf @ 15 V | ((() | 2.5W(ta),83W(tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | AOT5B65M1 | 1.5800 | ![]() | 738 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT5 | 标准 | 83 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1765 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,5A,60OHM,15V | 195 ns | - | 650 v | 10 a | 15 a | 1.98V @ 15V,5A | 80µJ(在)上,70µJ(70µJ) | 14 NC | 8.5NS/106NS | |||||||||||||||||
![]() | AOT10B65M1 | 1.9900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT10 | 标准 | 150 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1761 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,10A,30OHM,15V | 262 ns | - | 650 v | 20 a | 30 a | 2V @ 15V,10a | 180µJ(在)(130µJ)上 | 24 NC | 12NS/91NS | |||||||||||||||||
![]() | AO5803E | - | ![]() | 5544 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | AO580 | MOSFET (金属 o化物) | 400MW | SC-89-6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | - | 800MOHM @ 600mA,4.5V | 900mv @ 250µA | - | 100pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||
![]() | Aoy526 | - | ![]() | 2163 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | Aoy52 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251B | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 30 V | 18A(18A),50A(50A)(TC) | 4.5V,10V | 5mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1550 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),50W(50W)(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOT29S50L | 2.4696 | ![]() | 4878 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT29 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1440-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 29A(TC) | 10V | 150MOHM @ 14.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 26.6 NC @ 10 V | ±30V | 1312 PF @ 100 V | - | 357W(TC) | |||||||||||||||||
AOW29S50 | 2.4520 | ![]() | 8875 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW29 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1427-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 29A(TC) | 10V | 150MOHM @ 14.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 26.6 NC @ 10 V | ±30V | 1312 PF @ 100 V | - | 357W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AO9926C | 0.2344 | ![]() | 1744年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO9926 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 7.6a | 23mohm @ 7.6A,10V | 1.1V @ 250µA | 12.5nc @ 10V | 630pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||
![]() | AOV11S60 | 1.2417 | ![]() | 1674年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-POWERTSFN | AOV11 | MOSFET (金属 o化物) | 4-DFN(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n通道 | 600 v | 650mA(TA),8a tc) | 10V | 500MOHM @ 3.8A,10V | 4.1V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 545 pf @ 100 V | - | 8.3W(ta),156w(tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AOZ5038QI_2 | - | ![]() | 1294 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5038 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 50 a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4354_101 | - | ![]() | 7684 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO43 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 23a(23A) | 4.5V,10V | 3.7MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ±20V | 2010 PF @ 15 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||||||
![]() | AOK10N90 | - | ![]() | 2897 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | n通道 | 900 v | 10A(TC) | 10V | 980MOHM @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±30V | 3160 pf @ 25 V | - | 403W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOD6N50 | 0.3793 | ![]() | 9640 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 500 v | 5.3A(TC) | 10V | 1.4OHM @ 2.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 670 pf @ 25 V | - | 104W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AON3818 | 0.1888 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | AON381 | MOSFET (金属 o化物) | 2.7W | 8-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 24V | 8a | 13.5MOHM @ 8A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | 840pf @ 12V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||
![]() | AO4421L | - | ![]() | 2346 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 60 V | 6.2a(ta) | 4.5V,10V | 40mohm @ 6.2a,10v | 3V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2900 PF @ 30 V | - | 3.1W(TA) |
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