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（2357）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
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AOZ5311NQI-03	2.2100	RFQ	3	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	31-PowerVFQFN模块	MOSFET	AOZ5311					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	H桥			55 a	-
AOB256L	0.8738	RFQ	2346	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AOB256		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				150 v	3A（3A），19a （TC）	4.5V，10V	85mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1165 PF @ 75 V	-	2.1W（TA），83W（tc）
AOD421_001	-	RFQ	5408	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AOD42		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道				20 v	12.5A（TA）	2.5V，4.5V	75mohm @ 12.5a，10v	1.4V @ 250µA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	620 pf @ 10 V	-	2W（TA），18.8W（TC）
AON6752	-	RFQ	7933	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线		aon67		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	54A（ta），85A（tc）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	3509 pf @ 15 V	（（（）	7.4W（ta），83W（tc）
AO4466_102	-	RFQ	2916	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				30 V	10a（10a）	4.5V，10V	23mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V	448 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
AON7932_101	-	RFQ	1515年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫		AON793		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-DFN-EP（3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）					30V	6.6a，8.1a		20mohm @ 6.6a，10v	2.4V @ 250µA	6.5nc @ 10V		460pf @ 15V	逻辑级别门
AON6162	1.3438	RFQ	7962	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线		aon61		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				60 V	100A（TC）	6V，10V	2.1MOHM @ 20A，10V	3.2V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4850 pf @ 30 V	-	215W（TC）
AOTF10B60D2	0.7747	RFQ	1022	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		AOTF10	标准		31.2 w	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，5A，60OHM，15V													98 ns	-	600 v	23 a	20 a	1.8V @ 15V，5A	140µJ（在）上，40µJ（OFF）	9.4 NC	12NS/83NS
AOB2608L	-	RFQ	3931	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AOB260		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				60 V	（11a）（ta），72a（tc）	10V	7.6mohm @ 20a，10v	3.6V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2995 pf @ 30 V	-	2.1W（TA），100W（TC）
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AOW2502	-	RFQ	2004	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		AOW25		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1728-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				150 v	16A（16A），106A （TC）	10V	10.7MOHM @ 20A，10V	5.1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3010 PF @ 75 V	-	6.2W（ta），277W（TC）
AON7402L	-	RFQ	2439	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		AON740		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				30 V	13.5A（TA），39A （TC）	4.5V，10V	10mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	17.8 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），26W（tc）
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AO3415A	0.4900	RFQ	235	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体		AO34		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				20 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	45mohm @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±8V	940 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
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AOT5N60	-	RFQ	5974	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AOT5		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	785-1188-5	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				600 v	5A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	132W（TC）
AON7418	1.1000	RFQ	80	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		AON741		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	46a（ta），50a（tc）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2994 pf @ 15 V	-	6.2W（ta），83W（tc）
AONS66966	2.9000	RFQ	2	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线		AONS669		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				100 v	31.3a（TA），100A（tc）	6V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	3.6V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5325 PF @ 50 V	-	6.2W（TA），215W（tc）
AOD4TL60	-	RFQ	1487	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					AOD4					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500							-
AOK40B60D1	4.2000	RFQ	7288	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AOK40	标准		278 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1623-5	Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，7.5Ohm，15V													127 ns	-	600 v	80 a	140 a	2.4V @ 15V，40a	1.55MJ（在）上，300µJ off）	45 NC	29NS/74NS
AOK10B60D	2.0865	RFQ	6425	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AOK10	标准		163 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1593-5	Ear99	8541.29.0095	30			400V，10A，30OHM，15V													105 ns	-	600 v	20 a	40 a	1.8V @ 15V，10a	（260µJ）（在70µj（（）上	17.4 NC	10NS/72NS
AON2403	0.6000	RFQ	3	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		AON24		MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				12 v	8a（8a）	1.5V，4.5V	21MOHM @ 8A，4.5V	900mv @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1370 pf @ 6 V	-	2.8W（ta）
AO6810	-	RFQ	4473	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		AO681		MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					30V	3.5a		50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	5NC @ 10V		210pf @ 15V	逻辑级别门
AOK53S60	6.2118	RFQ	9054	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AOK53		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道				600 v	53A（TC）	10V	70MOHM @ 26.5A，10V	3.8V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	3034 PF @ 100 V	-	520W（TC）
AO4264_DELTA	-	RFQ	2487	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO42		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				60 V	12a（12a）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	2007 PF @ 30 V	-	3.1W（TA）
AO4447A_DELTA	-	RFQ	5087	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO4447A_DELTATR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				30 V	18.5a（ta）	4.5V，10V	5.8mohm @ 18.5a，10v	2.2V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5020 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
AO3404_102	-	RFQ	7752	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体		AO34		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	5A（5A）	4.5V，10V	31MOHM @ 5A，10V	2.4V @ 250µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2357）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²