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（2357）

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AO4616L_102	-	RFQ	5770	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO461	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道				30V	8a，7a		20mohm @ 8a，10v	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		888pf @ 15V	逻辑级别门
AOTF7T60L	-	RFQ	3071	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		AOTF7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			600 v	7A（TC）	10V	1.1OHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	962 PF @ 100 V	-	29W（TC）
AO3400A_101	-	RFQ	8276	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					AO34				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000						5.7A（ta）
AON6405L_102	-	RFQ	4094	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线		AON640	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			30 V	（15A）（TA），30a （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	1.6V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
AON6734	-	RFQ	2667	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线		aon67	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	37A（TA），85A（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±12V	1900 pf @ 15 V	-	6.2W（TA），32.2W（TC）
AOTF11C60PL	-	RFQ	3850	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		AOTF11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	785-1715-5	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			600 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2333 PF @ 100 V	-	37W（TC）
AON6756_101	-	RFQ	1298	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		aon67	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	36a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	2796 pf @ 15 V	（（（）	7.3W（ta），83W（tc）
AOZ5507QI	1.8600	RFQ	10	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	22-PowerVFQFN模块	MOSFET	AOZ5507				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	1期		30 a	-
AOT8N65	0.6647	RFQ	1157	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AOT8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			650 v	8A（TC）	10V	1.15OHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	208W（TC）
AON6204	0.8500	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线		aon62	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	14a（TA），24A （TC）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 15 V	-	1.9W（TA），31W（tc）
AOTF2142L	1.2987	RFQ	8225	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		AOTF2142	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	112a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	8320 PF @ 20 V	-	41W（TC）
AON2392	0.3015	RFQ	5352	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-PowerWFDFN		AON23	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			100 v	8a（8a）	4.5V，10V	32MOHM @ 8A，10V	2.4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 50 V	-	4.1W（TA）
Aony36306	0.4557	RFQ	6565	Alpha＆欧米茄半导体公司	Xspairfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		Aony363	MOSFET （金属 o化物）	2.9W（22W）（22W（tc），3.4W ta（33W（ta）（TC）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONY36306TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	17.5a（TA），32a （TC），24a（ta（32a t tc）		6mohm @ 20a，10v，3.8Mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA，1.9V @ 250µA	30nc @ 10v，42nc @ 10V		1000pf @ 15V，1930pf @ 15V	标准
AONR36368	0.5100	RFQ	1265	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		AONR363	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	23A（23A），32A （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.1V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1305 pf @ 15 V	-	4.1W（TA），24W（24W）TC）
AON4705L	-	RFQ	6387	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		AON470	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN （3x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道			20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	65MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±8V	745 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA）
AON3814L	-	RFQ	2369	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		AON381	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-DFN （3x3）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水				20V	6A（TC）		17mohm @ 6a，4.5V	1.1V @ 250µA	13nc @ 4.5V		1100pf @ 10V	-
AON3810	-	RFQ	4156	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		AON381	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水				20V	-		24mohm @ 7a，10v	1V @ 250µA	5.2nc @ 4.5V		280pf @ 10V	逻辑级别门
AOY2610E	0.3624	RFQ	7749	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		AOY2610	MOSFET （金属 o化物）		TO-251B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道			60 V	（19a ta）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	59.5W（TC）
AOB1606L	-	RFQ	3407	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		AOB16	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			60 V	（12a）（TA），178a （TC）	10V	6mohm @ 20a，10v	3.7V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	2.1W（ta），417W（tc）
AO4821	-	RFQ	8938	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO482	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）				12V	9a		19mohm @ 9a，4.5V	850mv @ 250µA	23nc @ 4.5V		2100pf @ 6V	逻辑级别门
AOT430	0.6993	RFQ	5361	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AOT43	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			75 v	80A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±25V	4700 PF @ 30 V	-	268W（TC）
AO4433	-	RFQ	3943	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO44	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			30 V	11a（11a）	5V，20V	14mohm @ 11a，20v	3.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	2200 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
AOT12N50	0.8328	RFQ	1922年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AOT12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			500 v	12A（TC）	10V	520MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	1633 PF @ 25 V	-	250W（TC）
AOD425	-	RFQ	5482	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AOD42	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			30 V	（9a）（50A），50A （TC）	5V，10V	17mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	2200 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），71W（71W）TC）
AOC3864	-	RFQ	2079	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XDFN		AOC386	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	6-DFN（2.7x1.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水				-	-		-	1.3V @ 250µA	38nc @ 4.5V		-	-
aonp36332	1.2000	RFQ	1594年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		aonp363	MOSFET （金属 o化物）	3.4W（33W（ta）（33W（ta），3.1W（ta（30W）（30W to）TC）	8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	（24A）（50a ta）（50a tc），20A（），50a tc（50a tc）（TC）		3.7MOHM @ 20A，10V，4.7MOHM @ 20A，10V	1.9V @ 250µA	40nc @ 10v，30nc @ 10V		1520pf @ 15V	标准
AON2409	0.6500	RFQ	706	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		AON24	MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			30 V	8a（8a）	4.5V，10V	32MOHM @ 8A，10V	2.3V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
AOD256_001	-	RFQ	6662	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AOD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			150 v	3A（3A），19a （TC）	4.5V，10V	85mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1165 PF @ 75 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
AOTF190A60L_001	-	RFQ	7497	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的					AOTF190				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF190A60L_001	Ear99	8541.29.0095	1,000
AO4806L	-	RFQ	3926	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO480	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				20V	-		14mohm @ 9.4a，10v	1V @ 250µA	17.9nc @ 4.5V		1810pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2357）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²