电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | 当前的 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOWF9N70 | 0.8556 | ![]() | 6881 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOWF9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 700 v | 9A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 4.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1630 PF @ 25 V | - | 28W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOD421_001 | - | ![]() | 5408 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD42 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 20 v | 12.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 75mohm @ 12.5a,10v | 1.4V @ 250µA | 4.6 NC @ 4.5 V | ±12V | 620 pf @ 10 V | - | 2W(TA),18.8W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOI4T60P | - | ![]() | 9406 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | AOI4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251A | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.1OHM @ 2A,10V | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 522 PF @ 100 V | - | 83W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOT10B65M1 | 1.9900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT10 | 标准 | 150 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1761 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,10A,30OHM,15V | 262 ns | - | 650 v | 20 a | 30 a | 2V @ 15V,10a | 180µJ(在)(130µJ)上 | 24 NC | 12NS/91NS | |||||||||||||||||
![]() | AON7458 | 0.2226 | ![]() | 6777 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON745 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 250 v | 1.5A(ta),5a(tc) | 10V | 560MOHM @ 1.5A,10V | 4.3V @ 250µA | 7.2 NC @ 10 V | ±30V | 370 pf @ 25 V | - | 3.1W(TA),33W(tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AO4627 | 0.2116 | ![]() | 2170 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO462 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4.5a,3.5a | 50MOHM @ 4.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 5NC @ 10V | 210pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||
![]() | AOZ5311NQI-03 | 2.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5311 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | H桥 | 55 a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOT29S50L | 2.4696 | ![]() | 4878 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT29 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1440-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 29A(TC) | 10V | 150MOHM @ 14.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 26.6 NC @ 10 V | ±30V | 1312 PF @ 100 V | - | 357W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | AOKS40B60D1 | 3.7900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOKS40 | 标准 | 278 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1759 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V,40a,7.5Ohm,15V | - | 600 v | 80 a | 140 a | 2.4V @ 15V,40a | 1.55MJ(在)上,300µJ off) | 45 NC | 29NS/74NS | ||||||||||||||||||
AON6752 | - | ![]() | 7933 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 54A(ta),85A(tc) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 3509 pf @ 15 V | ((() | 7.4W(ta),83W(tc) | |||||||||||||||||||
![]() | AOD4102L | - | ![]() | 5287 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 8a(8a ta),19a (TC) | 4.5V,10V | 37mohm @ 12a,10v | 3V @ 250µA | 8.1 NC @ 10 V | ±20V | 432 PF @ 15 V | - | 4.2W(21W),21W(((((() | |||||||||||||||||||
![]() | AON5820_101 | - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WFDFN暴露垫 | AON582 | MOSFET (金属 o化物) | 1.7W | 6-DFN-EP(2x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双)公共排水 | 20V | 10a | 9.5MOHM @ 10a,4.5V | 1V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | 1510pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||
![]() | AON6974A | - | ![]() | 5704 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON697 | MOSFET (金属 o化物) | 3.6W,4.3W | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 22a,30a | 5.2MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 22nc @ 10V | 1037pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||
AON6796 | 0.2497 | ![]() | 5618 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 32a(ta),70a (TC) | 4.5V,10V | 3.9mohm @ 20a,10v | 1.9V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±12V | 1350 pf @ 15 V | - | 6.2W(ta),31W(31W)TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOK040A60 | 6.7519 | ![]() | 6361 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK040 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOK040A60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | n通道 | 600 v | 70A(TC) | 10V | 40mohm @ 25a,10v | 3.6V @ 250µA | 175 NC @ 10 V | ±20V | 9320 PF @ 100 V | - | 500W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOB15B65M1 | 2.3600 | ![]() | 2392 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB15 | 标准 | 214 w | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V,15a,20欧姆,15V | 317 ns | - | 650 v | 30 a | 45 a | 2.15V @ 15V,15a | 290µJ(在)上,200µj(() | 32 NC | 13NS/116NS | ||||||||||||||||||
![]() | AO4444 | - | ![]() | 8501 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 11a(11a) | 7V,10V | 12mohm @ 11a,10v | 3.8V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±25V | 2865 PF @ 40 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | AOWF450A70 | 0.8468 | ![]() | 1129 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOWF450 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOWF450A70TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 700 v | 11A(TJ) | 10V | 450MOHM @ 2.3A,10V | 3.6V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 1115 PF @ 100 V | - | 26W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOZ5237QI | 1.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5237 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 40 a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF600A70FL | 0.8511 | ![]() | 6132 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF600 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOTF600A70FL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 700 v | 8.5A(TJ) | 10V | 600mohm @ 2.5a,10v | 4V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±20V | 900 PF @ 100 V | - | 26W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | AOZ5239QI | 2.0200 | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5239 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 50 a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO3457 | - | ![]() | 9852 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AO3457Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4.3a(ta) | 4.5V,10V | 48mohm @ 4.3A,10V | 2.4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 520 pf @ 15 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | AON7400B | 0.4400 | ![]() | 9380 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON740 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 18A(18A),40A (TC) | 4.5V,10V | 7.5MOHM @ 18A,10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 1440 pf @ 15 V | - | 4.1W(TA),24W(24W)TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AONR34332C | 0.4969 | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AONR34332 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AONR34332CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 48A(TA),50A (TC) | 2.5V,10V | 1.8mohm @ 20a,10v | 1.2V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±12V | 4175 pf @ 15 V | - | 6.2W(ta),83.3w(tc) | |||||||||||||||||
![]() | AONH36328 | 0.2364 | ![]() | 2418 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | AONH363 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W(TA),23W(tc)(TC) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONH36328TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 13.8a(ta),18a tc) | 8.5mohm @ 20a,10v | 2.1V @ 250µA | 20NC @ 10V | 700pf @ 15V | 标准 | ||||||||||||||||||||
AON6400 | - | ![]() | 5465 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON640 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | (31a)(ta),85A(tc) | 4.5V,10V | 1.4mohm @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 8300 PF @ 15 V | - | 2.3W(TA),83W(tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | AOTF11C60_001 | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 440MOHM @ 5.5A,10V | 5V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±30V | 2000 pf @ 100 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AOTF5B65M1 | 1.4400 | ![]() | 907 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF5 | 标准 | 25 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1773 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,5A,60OHM,15V | 195 ns | - | 650 v | 10 a | 15 a | 1.98V @ 15V,5A | 80µJ(在)上,70µJ(70µJ) | 14 NC | 8.5NS/106NS | |||||||||||||||||
![]() | AOI4130 | - | ![]() | 4233 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | AOI41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251A | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n通道 | 60 V | 6.5A(TA),30a (TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 20a,10v | 2.8V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 1900 pf @ 30 V | - | 2.5W(TA),52W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AON5802ALS | - | ![]() | 6139 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-WFDFN暴露垫 | AON5802 | - | 6-DFN-EP(2x5) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库