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（2357）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
AOV15S60	1.4244	RFQ	7033	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		AOV15	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,500		n通道				600 v	520mA（ta），12a （TC）	10V	360MOHM @ 7.5A，10V	3.8V @ 250µA	15.6 NC @ 10 V	±30V	717 PF @ 100 V	-	8.3W（ta），208w（tc）
AOI360A70	0.8392	RFQ	5743	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		AOI360	MOSFET （金属 o化物）		TO-251A	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOI360A70	Ear99	8541.29.0095	70		n通道				700 v	12A（TC）	10V	360MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 100 V	-	138W（TC）
AOSD62666E	1.1600	RFQ	15	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AOSD62666	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					60V	9.5A（TA）		14.5MOHM @ 9.5A，10V	2.2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		755pf @ 30V	逻辑级别门
AOI518_001	-	RFQ	9563	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	-	-		AOI51	MOSFET （金属 o化物）		-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				30 V	18A（18A），46A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	951 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
AO3413L	-	RFQ	5604	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体		AO34	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	97MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	6.1 NC @ 4.5 V	±8V	540 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
AO6424	0.1542	RFQ	6980	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		AO642	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	5A（5A）	4.5V，10V	31MOHM @ 5A，10V	2.4V @ 250µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
AOT66518L	6.7000	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AOT66518	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				150 v	30a（30A），120A （TC）	8V，10V	5mohm @ 20a，10v	3.7V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	6460 pf @ 75 V	-	10W（10W），375W（TC）
AO4202L	-	RFQ	9814	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO42	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				30 V	（19a ta）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 19a，10v	2.3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
AOZ5279QI-01	3.2500	RFQ	2	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	39-PowerVFQFN	MOSFET	AOZ5279				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	3期		60 a	30 V	-
AOZ5316NQI	2.2700	RFQ	2	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	31-PowerVFQFN模块	MOSFET	AOZ5316				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	1期		55 a		-
AOWF600A70	1.0490	RFQ	1771年	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		AOWF600	MOSFET （金属 o化物）		TO-262F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOWF600A70	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				700 v	8.5A（TJ）	10V	600mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	25W（TC）
AOZ5317NQI	2.5500	RFQ	2	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	31-PowerVFQFN模块	MOSFET	AOZ5317				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	1期		60 a		-
AOI2610E	0.3304	RFQ	4306	Alpha＆欧米茄半导体公司	*	管子	积极的		通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		AOI261			TO-251A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-3750	Ear99	8541.29.0095	70
AOD254	-	RFQ	9883	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AOD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				150 v	4.5a（ta），28a （TC）	4.5V，10V	46mohm @ 20a，10v	2.7V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 75 V	-	2.5W（TA），115W（tc）
AOH3106	0.1660	RFQ	8883	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		AOH31	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				100 v	2A（TA）	4.5V，10V	360MOHM @ 2A，10V	2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	185 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
AOD600A70	1.3500	RFQ	3	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AOD600	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				700 v	8.5A（TC）	10V	600mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	104W（TC）
AOCA33103E	1.0900	RFQ	5190	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，没有铅		AOCA33103	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）	10-Alphadfn（2.52x2.52）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000	2 n 通道（双）公共排水					12V	40a（ta）		1.8MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 250µA	45nc @ 4.5V		-	-
AOT404	-	RFQ	3195	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AOT40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				105 v	40a（TC）	6V，10V	28mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	2445 PF @ 25 V	-	100W（TC）
AOE6932	0.7598	RFQ	4328	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		AOE693	MOSFET （金属 o化物）	24W，52W	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					30V	55A（TC），85A （TC）		5mohm @ 20a，10v，1.4Mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA，1.9V @ 250µA	15nc @ 4.5V，50nc @ 4.5V		1150pf @ 15V，4180pf @ 15V	-
AO6608	0.5200	RFQ	69	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		AO660	MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道互补					30V，20V	3.4a（3.4a），3.3a（ta）		60mohm @ 3.4a，10v，75mohm @ 3.3a，4.5V	1.5V @ 250µA，1V @ 250µA	3NC @ 4.5V，10NC @ 4.5V		235pf @ 15V，510pf @ 10V	-
AOTF9N70L	-	RFQ	9175	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		AOTF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-			到达不受影响	785-AOTF9N70L			1		n通道				700 v	9A（TC）	10V	1.2OHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1630 PF @ 25 V	-	27.8W（TC）
AON7242	-	RFQ	9359	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		aon72	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				40 V	30a（30a），50a（tc）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2365 PF @ 20 V	-	6.2W（ta），83W（tc）
AO4807L	-	RFQ	3987	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO480	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）					30V	6a		35mohm @ 6a，10v	2.4V @ 250µA	16NC @ 10V		760pf @ 15V	逻辑级别门
AON2290	0.6100	RFQ	291	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		AON22	MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				100 v	4.5A（ta）	4.5V，10V	72MOHM @ 4.5A，10V	2.8V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	415 PF @ 50 V	-	2.8W（ta）
AO6804	-	RFQ	5780	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		AO680	MOSFET （金属 o化物）	800MW	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水					20V	4a		32MOHM @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		725pf @ 10V	逻辑级别门
AOTF66613L	1.6023	RFQ	6101	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		AOTF66613	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF66613L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				60 V	44.5a（ta），90a（tc）	8V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 30 V	-	8.3W（ta），34.5W（TC）
AO3402	0.4600	RFQ	26	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体		AO34	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	4A（ta）	2.5V，10V	55mohm @ 4A，10V	1.4V @ 250µA	4.34 NC @ 4.5 V	±12V	390 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
AO3400A_101	-	RFQ	8276	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					AO34				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000							5.7A（ta）
AOC2804	-	RFQ	6403	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XDFN		AOC280	MOSFET （金属 o化物）	700MW	4-DFN（1.5x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水					-	-		-	-	9.5NC @ 4.5V		-	-
AOSP66925	0.3226	RFQ	7966	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AOSP669	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOSP66925TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				100 v	11a（11a）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 11A，10V	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2357）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²