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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | AONR62921 | 0.6733 | ![]() | 4871 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | AONR629 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aoy526 | - | ![]() | 2163 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | Aoy52 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251B | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 30 V | 18A(18A),50A(50A)(TC) | 4.5V,10V | 5mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1550 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),50W(50W)(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AO5803E | - | ![]() | 5544 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | AO580 | MOSFET (金属 o化物) | 400MW | SC-89-6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | - | 800MOHM @ 600mA,4.5V | 900mv @ 250µA | - | 100pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||
![]() | AOT5B65M1 | 1.5800 | ![]() | 738 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT5 | 标准 | 83 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1765 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,5A,60OHM,15V | 195 ns | - | 650 v | 10 a | 15 a | 1.98V @ 15V,5A | 80µJ(在)上,70µJ(70µJ) | 14 NC | 8.5NS/106NS | ||||||||||||||
![]() | AOT10B65M1 | 1.9900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT10 | 标准 | 150 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1761 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,10A,30OHM,15V | 262 ns | - | 650 v | 20 a | 30 a | 2V @ 15V,10a | 180µJ(在)(130µJ)上 | 24 NC | 12NS/91NS | ||||||||||||||
AON6786_001 | - | ![]() | 7602 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 24A(24A),85A (TC) | 4.5V,10V | 2.4mohm @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±12V | 6780 pf @ 15 V | ((() | 2.5W(ta),83W(tc) | |||||||||||||||||
![]() | AON3825_001 | - | ![]() | 5325 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | AON3825 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | AOSP36326C | 0.4600 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AOSP363 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 11mohm @ 12a,10v | 2.3V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 542 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA) | |||||||||||||||
AON6734 | - | ![]() | 2667 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 37A(TA),85A(tc) | 4.5V,10V | 2.8mohm @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±12V | 1900 pf @ 15 V | - | 6.2W(TA),32.2W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOB292L | 1.9487 | ![]() | 8164 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB292 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 14.5A(TA),105A (TC) | 6V,10V | 4.1MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 126 NC @ 10 V | ±20V | 6775 PF @ 50 V | - | 2.1W(TA),300W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AONR21307 | 0.7100 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AONR213 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | 24A(TC) | 4.5V,10V | 11mohm @ 17a,10v | 2.3V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±25V | 1995 pf @ 15 V | - | (5W)(TA),28W(28W)TC) | |||||||||||||||
![]() | AON3818 | 0.1888 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | AON381 | MOSFET (金属 o化物) | 2.7W | 8-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 24V | 8a | 13.5MOHM @ 8A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | 840pf @ 12V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||
![]() | AO4413_101 | - | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 30 V | 15A(TA) | 10V,20V | 7mohm @ 15a,20v | 3.5V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±25V | 3500 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||||
![]() | AONS34304C | 0.9914 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS343 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONS34304CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 84A(ta),200a(tc) | 6.5V,10V | 0.68MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 340 NC @ 10 V | ±20V | 11200 PF @ 15 V | - | 7.3W(ta),208W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AONS18314 | - | ![]() | 5946 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | AONS183 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONS18314TR | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON7700 | - | ![]() | 7580 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | aon77 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 16a(16A),40A (TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 12a,10v | 3V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 V | ±12V | 4250 pf @ 15 V | ((() | 3.1W(TA),26W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOT416 | - | ![]() | 3942 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1239-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 4.7a(42A),42a(tc) | 7V,10V | 37mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±25V | 1450 pf @ 50 V | - | 1.92W(TA),150w(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOMU66414Q | 1.4670 | ![]() | 4111 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | AOMU66414 | MOSFET (金属 o化物) | 6.2W(68W(ta)(68W tc),6.2w(ta(65W)(65W(tc) | 8-DFN(8x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOMU66414QTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n通道 | 40V | 40a(40a),85a tc(85a)(TC) | 2.3MOHM @ 20A,10V | 2.4V @ 250µA | 60nc @ 10V | 3350pf @ 20V | 标准 | |||||||||||||||||
![]() | AO4616L_103 | - | ![]() | 4574 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO461 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 8.1a(ta),7.1a(7.1a)(ta) | 20mohm @ 8.1a,10v,25mohm @ 7.1a,10v | 3V @ 250µA,2.7V @ 250µA | 19.2nc @ 10v,30.9nc @ 10v | 1250pf @ 15V,1573pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||
![]() | AO4862E | 0.1579 | ![]() | 9532 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO486 | MOSFET (金属 o化物) | 1.7W | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 4.5A(ta) | 46mohm @ 4.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | 215pf @ 15V | - | |||||||||||||||||
![]() | AON2812 | 0.1542 | ![]() | 4417 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | AON281 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 4.5a | 37MOHM @ 2A,10V | 1.4V @ 250µA | 10NC @ 10V | 235pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||
![]() | AO4435L | - | ![]() | 8661 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 10.5a(ta) | 5V,20V | 14mohm @ 11a,20v | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±25V | 1400 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AO4407L | - | ![]() | 7317 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 30 V | 12a(12a) | 5V,20V | 14mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±25V | 2500 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||||
AON6754 | - | ![]() | 9093 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 52a(ta),85a(tc) | 4.5V,10V | 1.8mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 2796 pf @ 15 V | ((() | 7.3W(ta),83W(tc) | |||||||||||||||||
![]() | AONV110A60 | 2.4412 | ![]() | 9512 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-POWERTSFN | AONV110 | MOSFET (金属 o化物) | 4-DFN(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONV110A60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n通道 | 600 v | 5.3a(ta),35a(tc) | 10V | 110mohm @ 19a,10v | 3.6V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 4140 pf @ 100 V | - | 8.3W(357W),357W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOTF2610L | 0.6710 | ![]() | 1888年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF2610 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1638-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | (9A)(35A) | 4.5V,10V | 10.7MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 2007 PF @ 30 V | - | 2.1W(TA),31W((((( | ||||||||||||||
![]() | AO4806 | 0.3704 | ![]() | 4676 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO480 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | - | 14mohm @ 9.4a,10v | 1V @ 250µA | 17.9nc @ 4.5V | 1810pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||
![]() | AOT482L | 1.2789 | ![]() | 2630 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT482 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 80 V | 11a(11a),105a(tc) | 7V,10V | 7.2MOHM @ 20A,10V | 3.7V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ±25V | 4870 pf @ 40 V | - | 2.1W(TA),333W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOB262L | - | ![]() | 5527 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB262 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 20A(20A),140a (TC) | 6V,10V | 2.8mohm @ 20a,10v | 3.2V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ±20V | 9800 PF @ 30 V | - | 2.1W(TA),333W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOT12N60_001 | - | ![]() | 1644年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 12A(TC) | 10V | 550MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 2100 PF @ 25 V | - | 278W(TC) |
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