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（2357）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	当前的	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
AOD421_001	-	RFQ	5408	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AOD42	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道			20 v	12.5A（TA）	2.5V，4.5V	75mohm @ 12.5a，10v	1.4V @ 250µA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	620 pf @ 10 V	-	2W（TA），18.8W（TC）
AO8804_100	-	RFQ	3282	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		AO880	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共排水				20V	-		13mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	17.9nc @ 4.5V		1810pf @ 10V	逻辑级别门
AOTF11C60PL	-	RFQ	3850	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		AOTF11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	785-1715-5	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			600 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2333 PF @ 100 V	-	37W（TC）
AONR32308C	0.1942	RFQ	5518	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					AONR323				-	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONR32308CTR			5,000
AOT440L	-	RFQ	8812	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	过时的		通过洞	TO-220-3		AOT44			TO-220	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	50						-
AO7600	-	RFQ	4091	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		AO760	MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道				20V	900mA，600mA		300MOHM @ 900mA，4.5V	900mv @ 250µA	1.9nc @ 4.5V		120pf @ 10V	逻辑级别门
AO4482	0.4410	RFQ	9728	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO44	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			100 v	6a（6a）	4.5V，10V	37mohm @ 6a，10v	2.7V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
AO3498	-	RFQ	4993	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体		AO34	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO3498Tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	3.8A（TA）	2.5V，10V	55MOHM @ 3.8A，10V	1.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±12V	235 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
AOW284	-	RFQ	1224	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		AOW28	MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1696-5	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			80 V	（15a）（TA），105a（tc）	6V，10V	4.3mohm @ 20a，10v	3.3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5154 pf @ 40 V	-	1.9W（TA），250W（TC）
AOTF7N60FD	0.7481	RFQ	8271	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		AOTF7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			600 v	7A（TC）	10V	1.45OHM @ 3.5A，10V	4.2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	995 pf @ 25 V	-	39W（TC）
AO4484_101	-	RFQ	5552	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO44	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			40 V	10a（10a）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 20 V	-	1.7W（TA）
AOD2810	0.4998	RFQ	2884	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AOD281	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			80 V	10.5a（ta），46A（tc）	6V，10V	8.5mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	1871 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
AOD240_001	-	RFQ	9058	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AOD24	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			40 V	23A（23A），70A （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 20 V	-	2.7W（ta），150W（TC）
AOTF18N65_001	-	RFQ	8936	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-		AOTF18	MOSFET （金属 o化物）		-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				-	-	-	-		-		-	-
AO3413L_101	-	RFQ	3376	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体		AO34	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	97MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	6.1 NC @ 4.5 V	±8V	540 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
AOC2414	-	RFQ	1095	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅		AOC24	MOSFET （金属 o化物）		4-Alphadfn（1.57x1.57）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			8 V	4.5A（ta）	1.2V，2.5V	19mohm @ 1.5A，2.5V	800MV @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±5V	2042 PF @ 4 V	-	550MW（TA）
AO4818BL_101	-	RFQ	7586	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO481	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				30V	8a		19mohm @ 8a，10v	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		888pf @ 15V	逻辑级别门
AON6816	1.0100	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线		AON681	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水				30V	17a		6.2MOHM @ 16a，10v	2.2V @ 250µA	45nc @ 10V		1540pf @ 15V	逻辑级别门
AOT095A60L	2.6195	RFQ	1930年	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AOT095	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOT095A60L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	38A（TJ）	10V	95mohm @ 19a，10v	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	4010 PF @ 100 V	-	378W（TC）
AO4411L	-	RFQ	1655年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO44	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道			30 V	8a（8a）	4.5V，10V	32MOHM @ 8A，10V	2.4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
AOT5N100	1.2302	RFQ	6785	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AOT5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			1000 v	4A（TC）	10V	4.2OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	1150 pf @ 25 V	-	（195W）（TC）
AOK20S60L	2.8477	RFQ	4223	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AOK20	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道			600 v	20A（TC）	10V	199mohm @ 10a，10v	4.1V @ 250µA	19.8 NC @ 10 V	±30V	1038 PF @ 100 V	-	266W（TC）
AON5802ALS	-	RFQ	6139	Alpha＆欧米茄半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-WFDFN暴露垫		AON5802	-		6-DFN-EP（2x5）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000													-
AON2409	0.6500	RFQ	706	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		AON24	MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			30 V	8a（8a）	4.5V，10V	32MOHM @ 8A，10V	2.3V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
AOSX32128	0.0958	RFQ	2637	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		AOSX321	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOSX32128TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			20 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	75MOHM @ 3.2A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	190 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
AOB210L	-	RFQ	5130	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AOB21	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			30 V	20A（20A），105A（tc）	4.5V，10V	2.6mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 15 V	-	1.9W（TA），176w（tc）
AOZ5339QI	2.5700	RFQ	2	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	31-PowerVFQFN模块	MOSFET	AOZ5339				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	1期		50 a	-
AON7290	0.7584	RFQ	1278	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		aon72	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			100 v	（15a）（TA），50A （TC）	6V，10V	12.6mohm @ 15a，10v	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），83W（tc）
AON6562	-	RFQ	8248	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		AON656	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	29A（ta），32a（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	6W（6W），25W（25W）TC）
AO4612L	-	RFQ	5343	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AO461	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道				60V	4.5a（ta），3.2a（ta）		56mohm @ 4.5a，10v，105mohm @ 3.2a，10v	3V @ 250µA	10.5nc @ 10v，20nc @ 10v		540pf @ 30v，1120pf @ 30v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2357）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²