RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SUM90P10-19-E3	-	RFQ	9815	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	100 v	90A（TC）	10V	19mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	13.6W（TA），375W （TC）
SI7664DP-T1-GE3	-	RFQ	4873	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7664	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 20A，10V	1.8V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±12V	7770 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIJ484DP-T1-GE3	-	RFQ	7114	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij484	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
IRFR420ATRLPBF	0.7088	RFQ	4990	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	500 v	3.3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SI4158DY-T1-GE3	-	RFQ	6438	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4158	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	36.5A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±16V	5710 PF @ 10 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SI7104DN-T1-E3	0.9923	RFQ	9071	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7104	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.7MOHM @ 26.1A，4.5V	1.8V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±12V	2800 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI4409DY-T1-E3	-	RFQ	3513	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4409	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	150 v	1.3A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），4.6W（TC）
SIHG30N60E-E3	-	RFQ	6920	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG30	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG30N60EE3	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIR698DP-T1-GE3	1.3100	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir698	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	7.5A（TC）	6V，10V	195mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	210 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），23W（tc）
IRF9640SPBF	2.4000	RFQ	569	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SI4398DY-T1-E3	-	RFQ	8832	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4398	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	（19a ta）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5620 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
SI2343CDS-T1-GE3	0.6200	RFQ	30	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2343	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	5.9a（TC）	4.5V，10V	45mohm @ 4.2A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SI3464DV-T1-GE3	0.6200	RFQ	143	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3464	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	24mohm @ 7.5a，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±8V	1065 pf @ 10 V	-	2W（TA），3.6W（TC）
SUP85N03-3M6P-GE3	-	RFQ	8312	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3535 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），78.1W（tc）
TP0202K-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP0202	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	385mA（ta）	4.5V，10V	1.4OHM @ 500mA，10V	3V @ 250µA	1 NC @ 10 V	±20V	31 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
IRF530STRR	-	RFQ	7918	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFR9210	-	RFQ	2040	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9210	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	P通道	200 v	1.9A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIR626LDP-T1-RE3	1.8000	RFQ	3581	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir626	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	45.6a（ta），186a （TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SISS30DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS30	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	15.9A（TA），54.7a （TC）	7.5V，10V	8.25mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1666 pf @ 10 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SQJ469EP-T1_GE3	2.9100	RFQ	2464	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ469	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	80 V	32A（TC）	6V，10V	25mohm @ 10.2a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 40 V	-	100W（TC）
SUM110N05-06L-E3	-	RFQ	2085	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	110A（TC）		6mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V		3300 PF @ 25 V	-
SI1401EDH-T1-GE3	0.4100	RFQ	8266	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1401	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	4A（TC）	1.5V，4.5V	34MOHM @ 5.5A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±10V		-	1.6W（TA），2.8W（TC）
SIHA22N60E-E3	3.9000	RFQ	4436	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha22	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SI1442DH-T1-BE3	0.4500	RFQ	4936	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1442	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	12 v	4A（ta）		20mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±8V	1010 pf @ 6 V	-	1.56W（TA）
SQ2361E-T1_GE3	0.6300	RFQ	7852	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2361	MOSFET （金属 o化物）		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	2.8A（TC）	10V	177MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 30 V	-	2W（TC）
SIHG24N80AEF-GE3	4.8700	RFQ	500	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG24N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	800 v	20A（TC）	10V	195mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1889 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SQP120N10-3M8_GE3	-	RFQ	5436	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500	n通道	100 v	120A（TC）	10V	3.8mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	7230 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SIA441DJ-T1-GE3	0.6900	RFQ	103	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA441	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	47MOHM @ 4.4A，10V	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 20 V	-	19w（tc）
SIR664DP-T1-GE3	1.1400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	PowerPak®SO-8	Sir664	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	60a（TC）		6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V		1750 pf @ 30 V	-
SI3454ADV-T1-GE3	-	RFQ	2403	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²