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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IRFP4227pbf	-	RFQ	9408	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载						0000.00.0000	1		n通道		200 v	65A（TC）	10V	25mohm @ 46a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRGS4062DTRLPBF	1.0000	RFQ	5832	国际整流器	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRGS4062DTRLPBF-600047			1
IRFH8337TRPBF	1.0000	RFQ	7798	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载						0000.00.0000	1		n通道		30 V	12a（12a），35a（tc）	4.5V，10V	12.8mohm @ 16.2a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 10 V	-	3.2W（TA），27W（TC）
IRGS4630DPBF	1.0000	RFQ	5550	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		206 w		pg-to263-3-2	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50			400V，18A，22OHM，15V											100 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
IRGP4072DPBF	3.9400	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w		TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRGP4072DPBF	Ear99	8541.29.0095	1			240V，40a，10ohm，15V											122 ns	沟	300 v	70 a	120 a	1.7V @ 15V，40a	409µJ（在）上，838µJ降低）	73 NC	18NS/144NS
IRGP4266D-EPBF	5.5400	RFQ	141	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V											170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRGPS40B120UDP	1.0000	RFQ	3151	国际整流器	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRGPS40B120UDP-600047			1
AUIRFS4115-7P	2.8900	RFQ	323	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRFS4115-7P-600047			1		n通道		150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
AUIRFL024NTR	-	RFQ	5769	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRFL024NTR-600047			1		n通道		55 v	2.8A（ta）	10V	75MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRAM535-1065AS	-	RFQ	8678	国际整流器	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRAM535-1065AS-600047			1
IRL3714ZSPBF	1.0000	RFQ	9621	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	36a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	35W（TC）
IRGB4607DPBF	0.8100	RFQ	24	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		58 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			400V，4A，100OHM，15V											48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IKA08N65H5XKSA1	-	RFQ	2861	国际整流器	Trenchstop™5	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		31.2 w		PG-TO220-3-111	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IKA08N65H5XKSA1-600047			1			400V，4A，48ohm，15V											40 ns	沟渠场停止	650 v	10.8 a	24 a	2.1V @ 15V，8a	（70µJ）（在），30µj（30µJ）	22 NC	11NS/115NS
Auirlz44z	-	RFQ	2648	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	51A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
AUIRFS8409	2.4500	RFQ	10	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
AUIRF3805S-7P	-	RFQ	3642	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
auirfs3107-7trl	1.0000	RFQ	4840	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	240a（TC）		2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V		9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
AUIRF1405ZS-7P	1.0000	RFQ	2820	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRF1405ZS-7P-600047			1		n通道		55 v	120A（TC）	10V	4.9mohm @ 88a，10v	4V @ 150µA	230 NC @ 10 V	±20V	5360 pf @ 25 V	-	230W（TC）
FP30R06W1E3B11BOMA1	-	RFQ	9455	国际整流器	EasyPim™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				115 w	三相桥梁整流器	-	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FP30R06W1E3B11BOMA1-600047			1	三相逆变器														沟渠场停止	600 v	37 a		2V @ 15V，30a				1 MA	是的	1650 pf @ 25 V
AUIRFB3207	-	RFQ	9778	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	75A（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRFF311	-	RFQ	6331	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	163		n通道		350 v	1.35a	-	-	-		-		-	15W
IRFB61N15DPBF	-	RFQ	4102	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	60a（TC）		32mohm @ 36a，10v	5.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3470 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），330W（tc）
AUIRR7736M2TR	1.0000	RFQ	6393	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M4			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距M4	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	179a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 67a，10v	2.5V @ 150µA	78 NC @ 4.5 V	±16V	5055 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
AUIRRU3114Z-701TRL	1.0800	RFQ	2	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	42A（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRFS4115-7PPBF	2.5600	RFQ	9405	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14		n通道		150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRF6646TRPBF	1.3800	RFQ	433	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™Mn	下载					Ear99	8542.39.0001	217		n通道		80 V	（12a）（TA），68a tc（TC）	10V	9.5MOHM @ 12A，10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2060 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRL3103PBF	1.0000	RFQ	2105	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	64A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1650 pf @ 25 V	-	94W（TC）
IRFBA1404PPBF	1.5600	RFQ	258	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）			SUPER-220™to-273AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	206a（TC）	10V	3.7MOHM @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRF640NSTRRPBF	-	RFQ	5934	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	18A（TC）	10V	150mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	150W（TC）
irlr7821pbf	-	RFQ	7115	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	75W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²