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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRG4PC30FPBF	1.8800	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，17a，23ohm，15v												-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	77 NC	21NS/200NS
IRF7811AVTRPBF	-	RFQ	2547	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	10.8a（ta）	4.5V	14mohm @ 15a，4.5V	3V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1801 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRG4PH40KDPBF	-	RFQ	4682	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			800V，15a，10ohm，15V											63 ns	-	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.31mj（在）上，1.12mj off）	140 NC	50NS/96NS
IRGP35B60PDPBF	-	RFQ	9966	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		308 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			390V，22a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	240 NC	26NS/110NS
AUIRGP50B60PD1E	6.2300	RFQ	70	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP50	标准		390 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			390V，33a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
Auirfr3710ztrl	-	RFQ	8408	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	42A（TC）		18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V		2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRG4BC30F-SPBF	1.3300	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30F-SPBF	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			480V，17a，23ohm，15v												-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
AUIRF2907ZS7PTL	-	RFQ	1459	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	180a（TC）	10V	3.8mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7580 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFR3711TRLPBF	0.4900	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		20 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），120W（tc）
AUIRFR3607	-	RFQ	7019	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRLR8743PBF	-	RFQ	9970	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	4880 pf @ 15 V	-	135W（TC）
IRF7905TRPBF	-	RFQ	7911	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7905		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	407	2 n 通道（双）			30V	7.8a，8.9a		21.8mohm @ 7.8A，10V	2.25V @ 25µA	6.9nc @ 4.5V		600pf @ 15V	逻辑级别门
IRLB4132PBF	-	RFQ	4652	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	78A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 40a，10v	2.35V @ 100µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	5110 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IRFB4310pbf	1.0000	RFQ	8280	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRG4RC20FTRLPBF	1.1100	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		66 W	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			480V，12A，50OHM，15V												-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	40 NC	26NS/194NS
IRFU4510pbf	0.8200	RFQ	5003	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	114		n通道		100 v	56A（TC）	10V	13.9mohm @ 38a，10v	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IRFS4410pbf	-	RFQ	4835	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	88A（TC）		10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
irlu8729-701pbf	0.3200	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		PG至251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	944		n通道		30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
IRGB10B60KDPBF	-	RFQ	3410	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		156 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，10a，47ohm，15V											90 ns	npt	600 v	22 a	44 a	2.2V @ 15V，10a	140µJ（在）上，250µJ（OFF）	38 NC	30NS/230NS
IRGS4607DPBF	0.8500	RFQ	850	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		58 w	D2PAK	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50			400V，4A，100OHM，15V											48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IRFB4615pbf	-	RFQ	8373	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		150 v	35A（TC）	10V	39mohm @ 21a，10v	5V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
IRFAE42	-	RFQ	1351	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		800 v	4.4a	-	-	-		-		-	125W
IRFB5620pbf	-	RFQ	8564	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRFB5620PBF-600047			1		n通道		200 v	25A（TC）	10V	72.5Mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRFS77347PPBF	-	RFQ	6797	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	197a（TC）		3.05MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	10130 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IRGP4640pbf	1.9000	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，24a，10ohm，15V												-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（100µJ）（600µJ）（off）	75 NC	40NS/105NS
IRF3808SPBF	1.0000	RFQ	5209	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
AUIRF7734M2TR	0.9400	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M2			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距M2	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	17A（TA）	10V	4.9MOHM @ 43A，10V	4V @ 100µA	72 NC @ 10 V	±20V	2545 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
IRG7PH35UPBF	2.4500	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		210 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			600V，20a，10ohm，15V												沟	1200 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06mj（在）（620µJ）上）	130 NC	30NS/160NS
IRGP4062D-EPBF	-	RFQ	6386	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，24a，10ohm，15V											89 ns	沟	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
Auirrr024z	0.5800	RFQ	21	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²