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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF7807ZPBFPRO	1.0000	RFQ	7202	国际整流器	*	大部分	积极的				IRF7807		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1												-
irg7ph50upbf	6.1200	RFQ	90	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		556 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			600V，50A，5OHM，15V												沟	1200 v	140 a	150 a	2V @ 15V，50a	3.6mj（在）上，2.2mj off）	290 NC	35NS/430NS
Auirfr5305trl	1.0000	RFQ	5245	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		55 v	31a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IPS70R2K0CEAKMA1	-	RFQ	1786年	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251	-				2156-IPS70R2K0CEAKMA1			1		n通道		700 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 1a，10v	3.5V @ 70µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	163 pf @ 100 V	-	42W（TC）
IRFH7936TRPBF	0.3600	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	20A（20A），54A （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2360 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
IRLS3036PBF	-	RFQ	4499	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	48		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRF225	2.1600	RFQ	288	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	3.3a	-	-	-		-		-	40W
IRG4PC50FD-EPBF	-	RFQ	9734	国际整流器	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			480V，39A，5OHM，15V											50 ns	-	600 v	70 a	280 a	1.6V @ 15V，39a	1.5MJ（在）上，2.4MJ off）	190 NC	55NS/240NS
AUIRR3705ZL	1.1700	RFQ	9	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	75A（TC）		8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V		2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRF60B217	0.7000	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRF60B217	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	60a（TC）	6V，10V	9mohm @ 36a，10v	3.7V @ 50µA	66 NC @ 10 V	±20V	2230 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IRF7413TRPBF-1	-	RFQ	2729	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1,090		n通道		30 V	13A（TA）	4.5V，10V	11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
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IRF7307pbf	-	RFQ	1986	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n和p通道			20V	5.2a，4.3a		50mohm @ 2.6a，4.5V	700MV @ 250µA	20NC @ 4.5V		660pf @ 15V	逻辑级别门
IRG4PH50UDPBF	-	RFQ	3601	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			800V，24A，5OHM，15V											90 ns	-	1200 v	45 a	180 a	3.7V @ 15V，24a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	160 NC	47NS/110NS
AUIRFS3307Z	-	RFQ	4605	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
AUIRR1404STRL	1.7900	RFQ	820	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
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Auirfr8405trl	1.5200	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	100A（TC）	10V	1.98mohm @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²