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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFSL3806PBF	-	RFQ	3003	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道					60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
IRLR3114ZPBF	1.0000	RFQ	2739	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					40 V	42A（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRFB38N20DPBF	1.3300	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	226			n通道					200 v	43A（TC）	10V	54mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
AUIRFS4410Z	1.9000	RFQ	5	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IRFS4410		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道					100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRAMS06UP60A	-	RFQ	1022	国际整流器	Imotion™	管子	积极的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT						下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期				6 a	600 v	2000vrms
IRF7809AVTRPBF-1	-	RFQ	9279	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					30 V	13.3a（ta）	4.5V	9mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	62 NC @ 5 V	±12V	3780 pf @ 16 V	-	2.5W（TA）
IRF8788PBF	-	RFQ	5001	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	24A（24A）	4.5V，10V	2.8MOHM @ 24A，10V	2.35V @ 100µA	66 NC @ 4.5 V	±20V	5720 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFF9233	1.6200	RFQ	289	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐				MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	185			n通道					150 v	3.5a	-	-	-		-		-	25W
IRFI1010NPBF-IR	-	RFQ	9807	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道					55 v	49A（TC）	10V	12mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	58W（TC）
irlu2905zpbf	-	RFQ	3101	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道					55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IKFW60N60DH3EXKSA1	-	RFQ	2200	国际整流器	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		141 w	pg-to247-3-ai	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IKFW60N60DH3EXKSA1-600047			1				400V，50a，7ohm，15V																68 ns					沟渠场停止	600 v	53 a	150 a	2.7V @ 15V，50a	1.57MJ（在）上，720µJ（（）	210 NC	23ns/170ns
HFA15TB60PBF	-	RFQ	7013	国际整流器	hexfred®	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2				标准		TO-220AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v	1.7 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
IRG7PG35U-EPBF	2.6400	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		210 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1				600V，20a，10ohm，15V																					沟	1000 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06mj（在）（620µJ）上）	85 NC	30NS/160NS
IRL3715ZPBF	-	RFQ	2997	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	46			n通道					20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
irg7ph50upbf	6.1200	RFQ	90	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		556 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				600V，50A，5OHM，15V																					沟	1200 v	140 a	150 a	2V @ 15V，50a	3.6mj（在）上，2.2mj off）	290 NC	35NS/430NS
AUIRF4905	-	RFQ	8761	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1			P通道					55 v	74A（TC）	10V	20mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	200W（TC）
AUIRFS6535	-	RFQ	9088	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道					300 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a，10v	5V @ 150µA	57 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	210W（TC）
IRF6665TRPBF	0.5600	RFQ	49	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距sh				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SH	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					100 v	4.2A（TA），19a （TC）	10V	62MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRGP4760DPBF	3.8500	RFQ	2	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		325 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25				400V，48a，10ohm，15V																170 ns					-	650 v	90 a	144 a	2V @ 15V，48a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	145 NC	70NS/140NS
IRG4PSC71KDPBF	-	RFQ	3383	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA			标准		350 w	SUPER-247™to-274AA）	下载					Ear99	8541.29.0095	1				480V，60a，5ohm，15V																82 ns					-	600 v	85 a	200 a	2.3V @ 15V，60a	3.95MJ（在）上，2.33mj off）	340 NC	82NS/282NS
IRF7313PBF	1.0000	RFQ	1064	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF731		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）							30V	6.5a		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	-
AUIRFS8408-7P	-	RFQ	4693	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					40 V	195a（TC）		1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
IRF7807ZPBFPRO	1.0000	RFQ	7202	国际整流器	*	大部分	积极的					IRF7807		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1																-
IRG7PH35UD1-EP	3.3300	RFQ	586	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		179 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	91				600V，20a，10ohm，15V																					沟	1200 v	50 a	150 a	2.2V @ 15V，20A	620µJ（离）	130 NC	- /160NS
AUIRF1010ZS	-	RFQ	2758	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道					55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRR3705Z	0.9600	RFQ	750	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
94-2354pbf	-	RFQ	4160	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-94-2354PBF-600047			1			n通道					55 v	110A（TC）		8mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V		3247 PF @ 25 V	-
irfu1205pbf	-	RFQ	8316	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道					55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRFU3607TRL701P	-	RFQ	1343	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			n通道					75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
irgp35b60pd-ep	-	RFQ	2350	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		308 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				390V，22a，3.3孔，15V																42 ns					npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	160 NC	26NS/110NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²