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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRGP50B60PD1E	6.2300	RFQ	70	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AUIRGP50	标准		390 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			390V，33a，3.3孔，15V														42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
AUIRGF66524D0-IR	4.3700	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AUIRGF66524	标准		214 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，24a，10ohm，15V														176 ns	-	600 v	60 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（915µJ）（在），280µJ（（（（（（）	80 NC	30ns/75ns
IRFR13N20DPBF-IR	-	RFQ	3841	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					200 v	13A（TC）		235mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	830 pf @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRFP064N-IR	-	RFQ	1047	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	110A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFH7921TRPBF-IR	0.3600	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）单个死亡	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	（15a）（34A （TC）（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	2.35V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
AUIRGSL30B60K-IR	-	RFQ	1759年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		AUIRGSL30	标准		370 w	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，30a，10ohm，15V															npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	153 NC	46NS/185NS
AUIRF6218S-IR	-	RFQ	6333	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		P通道					150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRG4PC40KDPBF-IR	1.0000	RFQ	6710	国际整流器	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
irg7pk35ud1pbf	-	RFQ	3045	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		167 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			600V，20a，10ohm，15V															-	1400 v	40 a	200 a	2.35V @ 15V，20A	650µJ（离）	98 NC	- /150ns
IRGR3B60KD2TRRP	-	RFQ	8242	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRGR3B60	标准		52 w	D-pak	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000			400V，3A，100OHM，15V														77 ns	npt	600 v	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V，3A	（62µJ）（在），39µJ（39µJ）中	13 NC	18NS/110NS
IRG4PC50SDPBF	-	RFQ	8710	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		200 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，41A，5OHM，15V														50 ns	-	600 v	70 a	140 a	1.36V @ 15V，41a	（720µJ）（在），8.27MJ（OFF）	280 NC	33NS/650NS
IRAM256-1067A2	-	RFQ	9536	国际整流器	Imotion™	大部分	积极的		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT						下载	不适用	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1	3期			10 a	600 v	2000vrms
IRG4RC20FPBF	0.7700	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRG4RC20FPBF	标准		66 W	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，12A，50OHM，15V															-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	27 NC	26NS/194NS
Auirgp35b60pd-e	-	RFQ	2812	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		auirgp35b	标准		308 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			390V，22a，3.3孔，15V														42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	240 NC	26NS/110NS
AUIRFR2407TRL	-	RFQ	6821	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR2407		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					75 v	42A（TC）		26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRF6802SDTRPBF	0.8100	RFQ	5	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SA		IRF6802		MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA），21W（21W）TC）	DirectFet™等距SA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1,117	2 n 通道（双）						25V	16a（16A），57A （TC）		4.2MOHM @ 16a，10v	2.1V @ 35µA	13nc @ 4.5V		1350pf @ 13V	-
IRFR3410pbf	-	RFQ	5795	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	31a（TC）		39mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	（3W）（110W）（TC）
IRFS59N10DTRLP	-	RFQ	4464	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	59A（TC）		25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
AUIRFB3806	-	RFQ	6614	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
IRF7739L2TRPBF	1.0000	RFQ	7657	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L8	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	246		n通道					40 V	46A（TA），375A （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
IRGS4045DTRLPBF	1.0400	RFQ	5	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			标准		77 w	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，6A，47OHM，15V														74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
AUIRFR3504	1.0600	RFQ	10	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	56A（TC）	10V	9.2MOHM @ 30a，10V	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRGR3B60KD2TRLP	-	RFQ	6439	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRGR3B60	标准		52 w	D-pak	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000			400V，3A，100OHM，15V														77 ns	npt	600 v	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V，3A	（62µJ）（在），39µJ（39µJ）中	13 NC	18NS/110NS
AUIRFR8401TRL	-	RFQ	6221	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					0000.00.0000	1		n通道					40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 50µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
IRGSL4B60KD1PBF	0.9500	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			标准		63 W	TO-262	下载				Ear99	8542.39.0001	1			400V，4A，100OHM，15V														93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
AUIRFS3107-7P	1.0000	RFQ	6024	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道					75 v	240a（TC）	10V	2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRF6775MTRPBF	1.2100	RFQ	597	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载				Ear99	8541.29.0095	249		n通道					150 v	4.9a（ta），28a tc）（TC）	10V	56mohm @ 5.6A，10V	5V @ 100µA	36 NC @ 10 V	±20V	1411 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRG4PC40FDPBF	1.0000	RFQ	8316	国际整流器	-	大部分	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		160 w	TO-247AC	下载				Ear99	8542.39.0001	1			480V，27a，10ohm，15V														42 ns	-	600 v	49 a	196 a	1.7V @ 15V，27a	（950µJ）（在），2.01mj（（）	100 NC	63NS/230NS
AUIRGP4062D	5.4100	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AUIRGP4062	标准		250 w	TO-247AC	下载				Ear99	8541.29.0095	56			400V，24a，10ohm，15V														89 ns	-	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	50 NC	41NS/104NS
IRG8P75N65UD1-EPBF	3.8000	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的										-				Ear99	8542.39.0001	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²