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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
irfr1205pbf	-	RFQ	7675	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
AUIRFP2907	4.7100	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	90A（TC）	10V	4.5MOHM @ 125A，10V	4V @ 250µA	620 NC @ 10 V	±20V	13000 PF @ 25 V	-	470W（TC）
AUIRF3205Z	1.1700	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	257		n通道		55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRG4BC30S-STRLP	1.2300	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		100 W	D2PAK	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	800			480V，18a，23ohm，15v												-	600 v	34 a	68 a	1.6V @ 15V，18A	（260µJ）（在3.45MJ上）	50 NC	22NS/540NS
IRGP4790pbf	1.0000	RFQ	6459	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V												-	650 v	140 a	225 a	2V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRG4PH50UDPBF	-	RFQ	3601	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			800V，24A，5OHM，15V											90 ns	-	1200 v	45 a	180 a	3.7V @ 15V，24a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	160 NC	47NS/110NS
Auirrr3114z	1.0700	RFQ	14	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	42A（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
irlr2908pbf	-	RFQ	3616	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		80 V	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1890 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IRGSL4640DPBF	2.2400	RFQ	800	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		250 w	TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			400V，24a，10ohm，15V											89 ns	-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
AUIRF7799L2TR	-	RFQ	5314	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载						0000.00.0000	1		n通道		250 v	375a（TC）	10V	38mohm @ 21a，10v	5V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±30V	6714 PF @ 25 V	-	4.3W（ta），125W（tc）
IRFP048NPBF	0.7100	RFQ	38	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	64A（TC）	10V	16mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRLL024ZPBF	-	RFQ	3174	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	5A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFSL7734PBF	1.4900	RFQ	280	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL7734		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		75 v	183A（TC）	6V，10V	3.5MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	10150 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IRFR9120NPBF	-	RFQ	8371	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	6.6A（TC）		480MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
AUIRFL014NTR	0.4200	RFQ	16	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道		55 v	1.5A（TA）	10V	160MOHM @ 1.9A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF7807ZPBFPRO	1.0000	RFQ	7202	国际整流器	*	大部分	积极的				IRF7807		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1												-
IRF7313PBF	1.0000	RFQ	1064	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF731		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			30V	6.5a		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	-
AUIRF9952QTR	0.5700	RFQ	42	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF9952		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	n和p通道			30V	3.5a，2.3a		100mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
auirfz44v	0.8900	RFQ	10	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	55A（TC）		16.5MOHM @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V		1812 PF @ 25 V	-	115W（TC）
IRG7PH35UD1-EP	3.3300	RFQ	586	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		179 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	91			600V，20a，10ohm，15V												沟	1200 v	50 a	150 a	2.2V @ 15V，20A	620µJ（离）	130 NC	- /160NS
AUIRFS8408-7P	-	RFQ	4693	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	195a（TC）		1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
AUIRF1010ZS	-	RFQ	2758	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRR3705Z	0.9600	RFQ	750	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
irfu1205pbf	-	RFQ	8316	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRLH7134TRPBF	-	RFQ	4707	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-10	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		40 V	26a（26A），50A（tc）		3.3mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	58 NC @ 4.5 V	±16V	3720 PF @ 25 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
IRLR7807ZTRPBF	-	RFQ	8634	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
IRF6716MTRPBF	1.4700	RFQ	86	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载					Ear99	8541.29.0095	205		n通道		25 v	39a（ta），180a（tc）	4.5V，10V	1.6mohm @ 40a，10v	2.4V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	5150 pf @ 13 V	-	3.6W（TA），78W（tc）
irgp35b60pd-ep	-	RFQ	2350	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		308 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			390V，22a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	160 NC	26NS/110NS
IRGS4064DPBF	1.2400	RFQ	6989	国际整流器	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		101 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	181			400V，10a，22ohm，15V											62 ns	沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	32 NC	27NS/79NS
AUIRF1404ZSTRLCT	1.9900	RFQ	548	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRF1404ZSTRLCT-600047			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²