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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRLR7807ZPBF	-	RFQ	4293	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
Auirlr2905trl	-	RFQ	3720	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000	n通道		55 v	42A（TC）	4V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRFS4127pbf	-	RFQ	6340	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	72A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRGP20B120U-EP	1.0000	RFQ	2518	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		300 w	TO-247AD	-					Ear99	8542.39.0001	1		600V，20A，5OHM，15V												npt	1200 v	40 a	120 a	4.85V @ 15V，40a	（850µJ）（在），425µj（（（（（）	169 NC	-
AUIRF3205Z	-	RFQ	3054	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRG4PC30KPBF	1.6700	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		480V，16a，23ohm，15v												-	600 v	28 a	58 a	2.7V @ 15V，16a	360µJ（在）上，510µJ（OFF）	67 NC	26NS/130NS
IRLS3034-7PPBF	-	RFQ	5984	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 200a，10v	2.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 V	±20V	10990 pf @ 40 V	-	380W（TC）
IRL2203NSPBF	1.0000	RFQ	9095	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
Auirl1404S	1.7900	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
AUIRFR3806	1.0000	RFQ	8191	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
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auirfs3306trl	-	RFQ	3904	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRFS3306		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	125 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRLL024NPBF	-	RFQ	6013	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	3.1a（ta）		65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
Auirrr024ntrl	0.6000	RFQ	75	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000	n通道		55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
AUIRF3710ZSTRR	1.2300	RFQ	6113	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	73	n通道		100 v	59A（TC）		18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V		2900 PF @ 25 V	-
IRF6726MTRPBFTR	1.1900	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MT	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRF6726MTRPBFTR-600047			1	n通道		30 V	32A（TA），180a （TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 32A，10V	2.35V @ 150µA	77 NC @ 4.5 V	±20V	6140 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF3205pbf	-	RFQ	4291	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-IRF3205PBF-600047			1	n通道		55 v	110A（TC）	10V	8mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	3247 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFL024NTRPBF	-	RFQ	8798	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		55 v	2.8A（ta）	10V	75MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF5805TRPBF	-	RFQ	7325	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	-	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道		30 V	3.8A（TA）	4.5V，10V	98MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	511 pf @ 25 V	-	2W（TA）
Auirfz44ns	1.1100	RFQ	9	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	49A（TC）		17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRFR3704ZPBF	-	RFQ	7778	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		20 v	60a（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1190 pf @ 10 V	-	48W（TC）
IRF7406PBF	-	RFQ	8368	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道		30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	45mohm @ 2.8a，10v	1V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
auirfz44z	0.8300	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	51A（TC）	10V	13.9mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IRF630NSPBF	1.0000	RFQ	4978	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	9.3A（TC）	10V	300MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W（TC）
IRFZ46ZSTRLPBF	0.7100	RFQ	62	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ46		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		55 v	51A（TC）	10V	13.6mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	82W（TC）
IRF7470pbf	0.3600	RFQ	3088	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,800	n通道		40 V	10a（10a）	2.8V，10V	13mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±12V	3430 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
IRFB3006GPBF	-	RFQ	5939	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		60 V	195a（TC）	10V	2.5MOHM @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRGSL6B60KDPBF	1.0300	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		90 W	TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，5A，100OHM，15V											70 ns	npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
AIKQ100N60CTXKSA1	-	RFQ	7069	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		714 w	pg-to247-3	-				2156-AIKQ100N60CTXKSA1			1		400V，100A，3.6ONM，15V											225 ns	沟	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
IRLR8259pbf	-	RFQ	7570	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	425	n通道		25 v	57A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 21a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	900 pf @ 13 V	-	48W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²