RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRGS4615DTRRPBF	-	RFQ	3546	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		99 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，8A，47OHM，15V														60 ns	-	600 v	23 a	24 a	1.85V @ 15V，8a	（70µJ）（在145µJ上）	19 nc	30ns/95ns
IRF9335pbf	-	RFQ	8839	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1,262		P通道					30 V	5.4A（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 5.4A，10V	2.4V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±20V	386 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
AUIRGF65G40D0	-	RFQ	7938	国际整流器	Coolirigbt™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		Auirgf65	标准		625 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，20A，4.7OHM，15V														41 ns	-	600 v	62 a	84 a	2.2V @ 15V，20A	298µJ（在）上，147µJ降低）	270 NC	35NS/142NS
IRFZ44NSTRRPBF	0.7900	RFQ	450	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	450		n通道					55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRF7807VPBF	1.0000	RFQ	2076	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
IRGP4266DPBF	-	RFQ	6264	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		455 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，75A，10欧姆，15V														170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	1059	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道					150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
IRG4PC30FPBF	1.8800	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		100 W	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，17a，23ohm，15v															-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	77 NC	21NS/200NS
IRF7811AVTRPBF	-	RFQ	2547	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道					30 V	10.8a（ta）	4.5V	14mohm @ 15a，4.5V	3V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1801 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
64-9174pbf	1.0000	RFQ	3748	国际整流器	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定			336
irlr3410pbf	-	RFQ	8585	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRGP35B60PDPBF	-	RFQ	9966	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		308 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			390V，22a，3.3孔，15V														42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	240 NC	26NS/110NS
IRG4PH40KDPBF	-	RFQ	4682	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		160 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			800V，15a，10ohm，15V														63 ns	-	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.31mj（在）上，1.12mj off）	140 NC	50NS/96NS
AUIRGP50B60PD1E	6.2300	RFQ	70	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AUIRGP50	标准		390 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			390V，33a，3.3孔，15V														42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
AUIRGF66524D0-IR	4.3700	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AUIRGF66524	标准		214 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，24a，10ohm，15V														176 ns	-	600 v	60 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（915µJ）（在），280µJ（（（（（（）	80 NC	30ns/75ns
IRFR13N20DPBF-IR	-	RFQ	3841	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					200 v	13A（TC）		235mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	830 pf @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRFP064N-IR	-	RFQ	1047	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	110A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFH7921TRPBF-IR	0.3600	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）单个死亡	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	（15a）（34A （TC）（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	2.35V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
AUIRGSL30B60K-IR	-	RFQ	1759年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		AUIRGSL30	标准		370 w	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，30a，10ohm，15V															npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	153 NC	46NS/185NS
AUIRF6218S-IR	-	RFQ	6333	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		P通道					150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRG4PC40KDPBF-IR	1.0000	RFQ	6710	国际整流器	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
irg7pk35ud1pbf	-	RFQ	3045	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		167 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			600V，20a，10ohm，15V															-	1400 v	40 a	200 a	2.35V @ 15V，20A	650µJ（离）	98 NC	- /150ns
IRGR3B60KD2TRRP	-	RFQ	8242	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRGR3B60	标准		52 w	D-pak	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000			400V，3A，100OHM，15V														77 ns	npt	600 v	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V，3A	（62µJ）（在），39µJ（39µJ）中	13 NC	18NS/110NS
IRG4PC50SDPBF	-	RFQ	8710	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		200 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，41A，5OHM，15V														50 ns	-	600 v	70 a	140 a	1.36V @ 15V，41a	（720µJ）（在），8.27MJ（OFF）	280 NC	33NS/650NS
IRAM256-1067A2	-	RFQ	9536	国际整流器	Imotion™	大部分	积极的		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT						下载	不适用	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1	3期			10 a	600 v	2000vrms
IRG4RC20FPBF	0.7700	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRG4RC20FPBF	标准		66 W	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，12A，50OHM，15V															-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	27 NC	26NS/194NS
Auirgp35b60pd-e	-	RFQ	2812	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		auirgp35b	标准		308 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			390V，22a，3.3孔，15V														42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	240 NC	26NS/110NS
AUIRFR2407TRL	-	RFQ	6821	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR2407		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					75 v	42A（TC）		26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRFS59N10DTRLP	-	RFQ	4464	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	59A（TC）		25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF7739L2TRPBF	1.0000	RFQ	7657	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L8	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	246		n通道					40 V	46A（TA），375A （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²