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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF6620TRPBF	0.6800	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载					Ear99	8542.39.0001	439		n通道					20 v	27a（27A），150a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 27A，10V	2.45V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4130 PF @ 10 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
AUIRR1404ZL	1.5200	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFB7746PBF	-	RFQ	8932	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					75 v	59A（TC）	6V，10V	10.6mohm @ 35a，10v	3.7V @ 100µA	83 NC @ 10 V	±20V	3049 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRG4BC15UDPBF	-	RFQ	5419	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		49 W	TO-220AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4BC15UDPBF-600047			1			480V，7.8a，75ohm，15V														28 ns	-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IRLR6225PBF	-	RFQ	8922	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					20 v	100A（TC）		4mohm @ 21a，4.5V	1.1V @ 50µA	72 NC @ 4.5 V	±12V	3770 pf @ 10 V	-	63W（TC）
IRAM136-1061A2-IR	13.5300	RFQ	561	国际整流器	Imotion™	大部分	积极的		通过洞	23-sip，19个领先优势，形成铅	IGBT						下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器			12 a	600 v	2000vrms
IRF6641TRPBF	2.0100	RFQ	22	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz		IRF6641		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					200 v	4.6A（TA），26a （TC）	10V	59.9MOHM @ 5.5A，10V	4.9V @ 150µA	48 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRFR4615pbf	-	RFQ	4318	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道					150 v	33A（TC）	10V	42MOHM @ 21a，10v	5V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
2N6759	-	RFQ	2657	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-204（TO-3）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2N6759-600047			1		n通道					350 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF3315SPBF	-	RFQ	1127	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRGSL10B60KDPBF	1.5800	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			标准		156 w	TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，10a，47ohm，15V														90 ns	npt	600 v	22 a	44 a	2.2V @ 15V，10a	140µJ（在）上，250µJ（OFF）	38 NC	30NS/230NS
IRFZ34NSTRRPBF	-	RFQ	8825	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	100		n通道					55 v	29A（TC）	10V	40mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IRAM236-1067A	-	RFQ	8710	国际整流器	-	大部分	过时的		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	-						下载					Ear99	8542.39.0001	1	-					-
irg4rc10udtrlp-ir	-	RFQ	9446	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		38 w	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			480V，5A，100OHM，15V														28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRGP4062-EPBF	1.9900	RFQ	250	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		250 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，24a，10ohm，15V															沟	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
IRGR4607DPBF	-	RFQ	4548	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		58 w	D-pak	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	75			400V，4A，100OHM，15V														48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IRFF9133	-	RFQ	1380	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐				MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					Ear99	8542.39.0001	70		n通道					80 V	6.5a	-	-	-		-		-	25W
IRFB4620pbf	1.0000	RFQ	2310	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					200 v	25A（TC）	10V	72.5Mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
AUIRFS3206TRL-IR	-	RFQ	5162	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRFS3206TRL-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	3mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRF6616TRPBF	1.1500	RFQ	37	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRF6616TRPBF-600047	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	（19a）（ta），106a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
AUIRFN7107TR	1.2300	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道					75 v	（14a）（ta），75a（tc）	10V	8.5MOHM @ 45A，10V	4V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	3001 PF @ 25 V	-	4.4W（ta），125W（tc）
AUIRFR1018E-IR	-	RFQ	1703	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	56A（TC）	10V	8.4mohm @ 47a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 50 V	-	110W（TC）
IRGS4B60KD1TRRP	1.1800	RFQ	259	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRGS4B60	标准		63 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	259			400V，4A，100OHM，15V														93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
Auirlr3105	1.0000	RFQ	6933	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	25A（TC）		37mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	710 PF @ 25 V	-	57W（TC）
AUIRF2805STRL	1.9700	RFQ	24	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	135a（TC）		4.7MOHM @ 104A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V		5110 PF @ 25 V	-	200W（TC）
auirfs8405trl	1.2500	RFQ	134	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
AUIRF1405ZS-7TRL	1.0000	RFQ	5434	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	120A（TC）	10V	4.9mohm @ 88a，10v	4V @ 150µA	230 NC @ 10 V	±20V	5360 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRGP50B60PDPBF	-	RFQ	8520	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		370 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			390V，33a，3.3孔，15V														50 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.6V @ 15V，50a	（360µJ）（在380µJ上）	360 NC	34NS/130NS
AUIRRR3636TRL	-	RFQ	9614	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRRR3636		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	50A（TC）		6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V		3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IRF332	1.1900	RFQ	9430	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	49		n通道					400 v	4.5a	-	-	-		-		-	75W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²