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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
Auirls3034-7trl	3.0900	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 200a，10v	2.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 V	±20V	10990 pf @ 40 V	-	380W（TC）
IRLR9343PBF	-	RFQ	6788	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		55 v	20A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
AUIRF7749L2TR	-	RFQ	6915	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L8	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRF7749L2TR-600047			1		n通道		60 V	（36a）（ta），345a （TC）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	10655 pf @ 25 V	-	3.8W（341W）（TC）
IRF7420pbf	1.0000	RFQ	7766	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道		12 v	11.5A（TC）	1.8V，4.5V	14mohm @ 11.5a，4.5V	900mv @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±8V	3529 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRGP4750DPBF	3.5900	RFQ	31	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		273 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25			400V，35a，10ohm，15V											150 ns	-	650 v	70 a	105 a	2V @ 15V，35a	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	105 NC	50NS/105NS
IRFF9211	-	RFQ	7628	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	145		n通道		150 v	1.6a	-	-	-		-		-	15W
IRL6297SDTRPBF	0.6000	RFQ	84	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SA	IRL6297		MOSFET （金属 o化物）	1.7W	DirectFet™SA	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）			20V	15a		4.9mohm @ 15a，4.5V	1.1V @ 35µA	54NC @ 10V		2245pf @ 10V	逻辑级别门
IRFAUIRF4905	-	RFQ	8218	国际整流器	-	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	95
Irfae30	1.0000	RFQ	9399	国际整流器	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRF7205TRPBF	0.3000	RFQ	32	国际整流器	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	1,013
IRF7468pbf	-	RFQ	2612	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	30		n通道		40 V	9.4A（TA）	4.5V，10V	15.5MOHM @ 9.4a，10V	2V @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±12V	2460 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
IRG7PH46UDPBF	-	RFQ	5453	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		390 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG7PH46UDPBF-600047			1			600V，40a，10ohm，15V											140 ns	沟	1200 v	108 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.61mj（在）上，1.85mj off）	220 NC	45NS/410NS
AUIRF7732S2TR	0.9400	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SC			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SC	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	14A（TA）	10V	6.95mohm @ 33a，10v	4V @ 50µA	45 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
IRG4BC30KDSTRLP-IR	-	RFQ	4621	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			480V，16a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
IRFR3505pbf	1.0000	RFQ	5064	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		55 v	30A（TC）	10V	13mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 25 V	-	140W（TC）
irfba1405ppbf	-	RFQ	3070	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		55 v	174a（TC）	10V	5mohm @ 101a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	330W（TC）
AUIRF2804S-7P-IR	-	RFQ	8609	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRF2804S-7P-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRF7834TRPBF	-	RFQ	3796	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	（19a ta）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3710 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRL60SL216	4.6500	RFQ	1	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载					Ear99	8542.39.0001	65		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	15330 PF @ 25 V	-	375W（TC）
AUIRFR5410TRL	1.0000	RFQ	7598	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRF7328pbf	1.0000	RFQ	1583年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF732		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）			30V	8a		21mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	78nc @ 10V		2675pf @ 25V	逻辑级别门
irfu7540pbf	-	RFQ	4150	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		60 V	90A（TC）	6V，10V	4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
irfu2405pbf	-	RFQ	7486	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	-				2156-IRFU2405pbf			1		n通道		55 v	56A（TC）	10V	16mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRF7739L2TR	-	RFQ	1972	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载					Ear99	8541.29.0095	69		n通道		40 V	46A（ta），270a （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
AUIRFS3004-7P-IR	-	RFQ	6647	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.25MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W（TC）
AUIRF3710Z	-	RFQ	2231	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	59A（TC）		18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRG4PC50WPBF	1.0000	RFQ	1929年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	-	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，27a，5ohm，15V												-	600 v	55 a	220 a	2.3V @ 15V，27a	80µJ（在）（320µJ）（OFF）上）	180 NC	46NS/120NS
IRG4BC30SPBF	1.4000	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，18a，23ohm，15v												-	600 v	34 a	68 a	1.6V @ 15V，18A	（260µJ）（在3.45MJ上）	75 NC	22NS/540NS
IRG4IBC20FDPBF	1.4900	RFQ	6690	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		34 W	TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，9a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	14.3 a	64 a	2V @ 15V，9a	（250µJ）（在640µJ上）	27 NC	43NS/240NS
IRF1405ZSTRLPBF	1.2000	RFQ	410	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	75A（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²