RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRF2804S-7P-IR	-	RFQ	8609	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRF2804S-7P-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRF7834TRPBF	-	RFQ	3796	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	（19a ta）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3710 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRL60SL216	4.6500	RFQ	1	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载					Ear99	8542.39.0001	65		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	15330 PF @ 25 V	-	375W（TC）
AUIRFR5410TRL	1.0000	RFQ	7598	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRF7328pbf	1.0000	RFQ	1583年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF732		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）			30V	8a		21mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	78nc @ 10V		2675pf @ 25V	逻辑级别门
irfu7540pbf	-	RFQ	4150	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		60 V	90A（TC）	6V，10V	4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
irfu2405pbf	-	RFQ	7486	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	-				2156-IRFU2405pbf			1		n通道		55 v	56A（TC）	10V	16mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRG8P45N65UD1PBF	4.6800	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的									-					Ear99	8542.39.0001	1
IRG7PH42UD-EP	-	RFQ	5281	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		320 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			600V，30a，10ohm，15V											153 ns	沟	1200 v	85 a	90 a	2V @ 15V，30a	2.11mj（在）上，1.18MJ OFF）	157 NC	25NS/229NS
IRF143	1.5300	RFQ	203	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	203		n通道		60 V	24A（TC）		110mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	125W（TC）
AUIRF7739L2TR	-	RFQ	1972	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载					Ear99	8541.29.0095	69		n通道		40 V	46A（ta），270a （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
AUIRFS3004-7P-IR	-	RFQ	6647	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.25MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W（TC）
AUIRF3710Z	-	RFQ	2231	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	59A（TC）		18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRG4PC50WPBF	1.0000	RFQ	1929年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	-	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，27a，5ohm，15V												-	600 v	55 a	220 a	2.3V @ 15V，27a	80µJ（在）（320µJ）（OFF）上）	180 NC	46NS/120NS
IRG4BC30SPBF	1.4000	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，18a，23ohm，15v												-	600 v	34 a	68 a	1.6V @ 15V，18A	（260µJ）（在3.45MJ上）	75 NC	22NS/540NS
IRG4IBC20FDPBF	1.4900	RFQ	6690	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		34 W	TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，9a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	14.3 a	64 a	2V @ 15V，9a	（250µJ）（在640µJ上）	27 NC	43NS/240NS
IRF1405ZSTRLPBF	1.2000	RFQ	410	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	75A（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRGR3B60KD2TRP	-	RFQ	5663	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR3B60	标准		52 w	D-pak	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			400V，3A，100OHM，15V											77 ns	npt	600 v	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V，3A	（62µJ）（在），39µJ（39µJ）中	13 NC	18NS/110NS
IRF3710ZLPBF	-	RFQ	5873	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRFB3256PBF	1.5900	RFQ	444	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRFB3256PBF-600047			205		n通道		60 V	75A（TC）	10V	3.4mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 48 V	-	300W（TC）
AUIRFSL4010-313TRL	1.0000	RFQ	9944	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	180a（TC）	10V	4.7MOHM @ 106A，10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±8V	9575 PF @ 50 V	-	375W（TC）
IRGIB4630DPBF	1.9200	RFQ	3	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		206 w	pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			400V，18A，22OHM，15V											100 ns	npt	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
IRG4PC30WPBF	-	RFQ	5171	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	-					Ear99	8542.39.0001	1			480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
IRGP4620DPBF	1.6800	RFQ	30	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		140 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25			400V，12A，22OHM，15V											68 ns	-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
IRFI3205pbf	-	RFQ	1939年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载						0000.00.0000	1		n通道		55 v	64A（TC）	10V	8mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	63W（TC）
IRGP4650D-EPBF	-	RFQ	8420	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRGP4650D-EPBF-600047			1
IRG4PC30FDPBF	1.0000	RFQ	9564	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	-	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，17a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	630µJ（在）上，1.39mj off）	51 NC	42NS/230NS
IRG7PH42UDPBF	8.7600	RFQ	787	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		320 w	TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			600V，30a，10ohm，15V											153 ns	沟	1200 v	85 a	90 a	2V @ 15V，30a	2.11mj（在）上，1.18MJ OFF）	157 NC	25NS/229NS
IRF6714MTRPBF	1.0100	RFQ	62	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		25 v	29a（ta），166a （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 29A，10V	2.4V @ 100µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3890 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
AUIRRR2905Z	-	RFQ	4445	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²