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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF9133	5.4900	RFQ	200	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1		P通道		80 V	10a	-	-	-		-		-	88W
IRF9395MTRPBF	1.1200	RFQ	154	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MC	IRF9395		MOSFET （金属 o化物）	2.1W（ta），57W（tc）	DirectFet™等距MC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	2（p 通道（双）			30V	（14a）（ta），75a（tc）		7mohm @ 14a，10v	2.4V @ 50µA	64NC @ 4.5V		3241pf @ 15V	-
IRG7PG35UPBF	2.5700	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		210 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			600V，20a，10ohm，15V												沟	1000 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06mj（在）（620µJ）上）	85 NC	30NS/160NS
IRG7PH44K10D-EPBF	4.3700	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		320 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			600V，25a，10ohm，15V											130 ns	-	1200 v	70 a	100 a	2.4V @ 15V，25a	2.1mj（在）上，1.3MJ off）	200 NC	75NS/315NS
IRG7PK35UD1-EPBF	2.9400	RFQ	944	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		167 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			600V，20a，10ohm，15V												-	1400 v	40 a	200 a	2.35V @ 15V，20A	650µJ（离）	98 NC	- /150ns
IRFR6215TRRPBF-IR	-	RFQ	9716	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000		P通道		150 v	13A（TC）		295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFH8316TRPBF-IR	0.3500	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	27a（27A），50A（50A）（TC）	4.5V，10V	2.95MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 10 V	-	3.6W（TA），59w（tc）
IRGS30B60KTRRP	1.0000	RFQ	7851	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS30B60	标准		370 w	D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1			400V，30a，10ohm，15V												npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	102 NC	46NS/185NS
auirfs3006-7trl	-	RFQ	1535年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	800		n通道		60 V	240a（TC）		2.1MOHM @ 168A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V		8850 pf @ 50 V	-	375W（TC）
AUIRFS3207Z	-	RFQ	6461	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	120A（TC）		4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRGP4063-EPBF	3.5200	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		330 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，48a，10ohm，15V												沟	600 v	96 a	144 a	2.14V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	95 NC	60NS/145NS
IRGS4B60KD1TRLP	0.8000	RFQ	1168	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS4B60	标准		63 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	266			400V，4A，100OHM，15V											93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
IRF7241pbf	-	RFQ	2031	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		P通道		40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFH4210DTRPBF	1.2000	RFQ	937	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH4210		MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		25 v	44A（TA）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 50A，10V	2.1V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.5W（TA），125W（tc）
irlu9343pbf	-	RFQ	3358	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		P通道		55 v	20A（TC）		105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
AUIRF1405	1.8600	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	75A（TC）		5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IRGR4045DTRPBF	0.9200	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		77 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	2,000			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	沟	600 v	12 a	12 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRF7601pbf	0.2500	RFQ	4069	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	870		n通道		20 v	5.7A（ta）		35mohm @ 3.8A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
IRG4BC40W-STRRP	-	RFQ	5987	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		160 w	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.5V @ 15V，20A	（110µJ）（在230µJ上）	98 NC	27n/100ns
IRG4BC30WPBF	1.3900	RFQ	658	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
Auirls4030-7p	2.7000	RFQ	1	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	121		n通道		100 v	190a（TC）	4.5V，10V	3.9MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11490 pf @ 50 V	-	370W（TC）
AUIRR2203N	1.0000	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRG4PC60FPBF	-	RFQ	1735年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		520 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，60a，5ohm，15V												-	600 v	90 a	360 a	1.8V @ 15V，60a	300µJ（在）上，4.6MJ off）	290 NC	42NS/310NS
IRG4BC40FPBF	1.0000	RFQ	7501	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		160 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			480V，27a，10ohm，15V												-	600 v	49 a	200 a	1.7V @ 15V，27a	370µJ（在）上，1.81mj off）	150 NC	26NS/240NS
IRG4BC30W-SPBF	-	RFQ	6645	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	76 NC	25NS/99NS
IRF431	1.2400	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		450 v	4.5a		1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRG4PH50KDPBF	-	RFQ	6143	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			800V，24A，5OHM，15V											90 ns	-	1200 v	45 a	90 a	3.5V @ 15V，24a	3.83mj（在）上，1.9MJ off）	180 NC	87NS/140NS
AUIRFS3206	-	RFQ	5001	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	120A（TC）	10V	3mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRFS3006-7ppbf	-	RFQ	4157	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	240a（TC）	10V	2.1MOHM @ 168A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8850 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRG4BC20UDPBF	-	RFQ	2008	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，6.5a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	41 NC	39NS/93NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²