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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7201PBF | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 30 V | 7.3A(TC) | 4.5V,10V | 30mohm @ 7.3a,10v | 1V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 550 pf @ 25 V | - | 2.5W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRFP4409 | 3.1200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 300 v | 38A(TC) | 10V | 69MOHM @ 24A,10V | 5V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 5168 PF @ 50 V | - | 341W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR5505-IR | - | ![]() | 6682 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | P通道 | 55 v | 18A(TC) | 10V | 110MOHM @ 9.6a,10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 650 pf @ 25 V | - | 57W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRF3805S-7P | - | ![]() | 3642 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6个线索 +选项卡,TO-263CB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK(7铅) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 55 v | 160a(TC) | 10V | 2.6mohm @ 140a,10v | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ±20V | 7820 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IRF3710LPBF | 1.0000 | ![]() | 2914 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 57A(TC) | 10V | 23mohm @ 28a,10v | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 3130 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IRFI7536GPBF-IR | - | ![]() | 5802 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 60 V | 86A(TC) | 10V | 3.4mohm @ 75a,10v | 4V @ 150µA | 195 NC @ 10 V | ±20V | 6600 PF @ 48 V | - | 75W(TC) | |||||||||||||||
![]() | irlu3105pbf | - | ![]() | 7293 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 300 | n通道 | 55 v | 25A(TC) | 37mohm @ 15a,10v | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 V | 710 PF @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | IRFS77347PPBF | - | ![]() | 6797 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | - | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 75 v | 197a(TC) | 3.05MOHM @ 100A,10V | 3.7V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ±20V | 10130 pf @ 25 V | - | 294W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFSL4310ZPBF | - | ![]() | 3516 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 100 v | 120A(TC) | 10V | 6mohm @ 75a,10v | 4V @ 150µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 6860 pf @ 50 V | - | 250W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IRFS7734Trl7pp | - | ![]() | 7522 | 0.00000000 | 国际整流器 | hexfet®,strongirfet™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-7 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 75 v | 197a(TC) | 6V,10V | 3.05MOHM @ 100A,10V | 3.7V @ 150µA | 270 NC @ 10 V | ±20V | 10130 pf @ 25 V | - | 294W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfs8408-7trl | 1.0000 | ![]() | 4524 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-7-900 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 240a(TC) | 10V | 1MOHM @ 100A,10V | 3.9V @ 250µA | 315 NC @ 10 V | ±20V | 10250 pf @ 25 V | - | 294W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFH7934TRPBF | 0.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-pqfn(5x6) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 30 V | 24A(24A),76A (TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 24A,10V | 2.35V @ 50µA | 30 NC @ 4.5 V | ±20V | 3100 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | IRGS4062DTRLPBF | 1.0000 | ![]() | 5832 | 0.00000000 | 国际整流器 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-IRGS4062DTRLPBF-600047 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3802TRPBF | 1.0000 | ![]() | 9668 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 12 v | 84A(TC) | 2.8V,4.5V | 8.5mohm @ 15a,4.5V | 1.9V @ 250µA | 41 NC @ 5 V | ±12V | 2490 pf @ 6 V | - | 88W(TC) | |||||||||||||||
![]() | irlr7821pbf | - | ![]() | 7115 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 30 V | 65A(TC) | 4.5V,10V | 10mohm @ 15a,10v | 1V @ 250µA | 14 NC @ 4.5 V | ±20V | 1030 pf @ 15 V | - | 75W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFSL8408 | 1.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 40 V | 195a(TC) | 1.6MOHM @ 100A,10V | 3.9V @ 250µA | 324 NC @ 10 V | 10820 PF @ 25 V | - | 294W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRF8113PBF | - | ![]() | 5677 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 30 V | 17.2a(ta) | 4.5V,10V | 5.6MOHM @ 17.2A,10V | 2.2V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 V | ±20V | 2910 PF @ 15 V | - | 2.5W(TA) | |||||||||||||||
![]() | IRF3808SPBF | 1.0000 | ![]() | 5209 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 75 v | 106a(TC) | 10V | 7mohm @ 82a,10v | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ±20V | 5310 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IRFR3410pbf | - | ![]() | 5795 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 100 v | 31a(TC) | 39mohm @ 18a,10v | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 1690 pf @ 25 V | - | (3W)(110W)(TC) | ||||||||||||||||
![]() | Auirlr3110Z | - | ![]() | 5139 | 0.00000000 | 国际整流器 | 汽车,AEC-Q101,Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 100 v | 42A(TC) | 14mohm @ 38a,10v | 2.5V @ 100µA | 48 NC @ 4.5 V | ±16V | 3980 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRL3714ZSPBF | 1.0000 | ![]() | 9621 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 20 v | 36a(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 15a,10v | 2.55V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 V | ±20V | 550 pf @ 10 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | Auirls3034 | 2.6100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 40 V | 195a(TC) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 195a,10V | 2.5V @ 250µA | 162 NC @ 4.5 V | ±20V | 10315 PF @ 25 V | - | 375W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRG4BC30U-S | - | ![]() | 5319 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | auirg4 | 标准 | 100 W | D2PAK | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V,12a,23ohm,15V | - | 600 v | 23 a | 92 a | 2.1V @ 15V,12A | 160µJ(在)上,200µJ(200µJ) | 75 NC | 17NS/78NS | |||||||||||||||
![]() | IRFR3711TRLPBF | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 20 v | 100A(TC) | 4.5V,10V | 6.5MOHM @ 15a,10v | 3V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 V | ±20V | 2980 pf @ 10 V | - | 2.5W(ta),120W(tc) | |||||||||||||||
![]() | Auirlz24ns | 0.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 55 v | 18A(TC) | 4V,10V | 60mohm @ 11a,10v | 2V @ 250µA | 15 NC @ 5 V | ±16V | 480 pf @ 25 V | - | 3.8W(TA),45W(tc) | |||||||||||||||
![]() | auirfs4010-7trl | 3.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | 汽车,AEC-Q101,Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK-7 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 83 | n通道 | 100 v | 180a(TC) | 4.7MOHM @ 106A,10V | 4V @ 250µA | 215 NC @ 10 V | ±20V | 9575 PF @ 50 V | - | 375W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRG8P75N65UD1-EPBF | 3.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4RC10KDTRPBF | 1.0000 | ![]() | 6391 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 标准 | 38 w | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 480V,5A,100OHM,15V | 28 ns | - | 600 v | 9 a | 18 a | 2.62V @ 15V,5A | (250µJ)(在140µJ上) | 29 NC | 49NS/97NS | |||||||||||||||
![]() | AUIRFS8409-7P | 1.0000 | ![]() | 7556 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK(7铅) | - | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 40 V | 240a(TC) | 10V | 0.75MOHM @ 100A,10V | 3.9V @ 250µA | 460 NC @ 10 V | ±20V | 13975 PF @ 25 V | - | 375W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF430 | 1.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-204AA(TO-3) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 500 v | 4.5A(TC) | 10V | 1.8OHM @ 4.5A,10V | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 610 pf @ 25 V | - | 75W(TC) |
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