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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRG4RC10UDTRRP	1.0000	RFQ	1038	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRG4RC10	标准		38 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			480V，5A，100OHM，15V														28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRAM256-1567A	1.0000	RFQ	7074	国际整流器	Imotion™	大部分	过时的		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期			15 a	600 v	2000vrms
IRF7834pbf	-	RFQ	6385	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	（19a ta）		4.5MOHM @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3710 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
SI4420DYPBF	-	RFQ	6614	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	95		n通道					30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFB3207ZGPBF	-	RFQ	9377	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	145		n通道					75 v	120A（TC）		4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
AUIRFS4010-7P	-	RFQ	1043	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	190a（TC）		4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRGP4660D-EPBF	5.7700	RFQ	150	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		330 w	TO-247AD	下载					Ear99	8541.29.0095	52			400V，48a，10ohm，15V														115 ns	-	600 v	100 a	144 a	1.9V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	140 NC	60NS/145NS
IRFZ34NSPBF	-	RFQ	3502	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	7		n通道					55 v	29A（TC）		40mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IRG7PH42UPBF	1.0000	RFQ	4705	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		385 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			600V，30a，10ohm，15V															沟	1200 v	90 a	90 a	2V @ 15V，30a	（2.105mj）（在），1.182mj（OFF）中）	236 NC	25NS/229NS
IRGP4086PBF	-	RFQ	3911	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		160 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			196V，25a，10ohm															沟	300 v	70 a		2.96V @ 15V，120a	-	65 NC	36NS/112NS
IRFP4227pbf	-	RFQ	9408	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载						0000.00.0000	1		n通道					200 v	65A（TC）	10V	25mohm @ 46a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRF9143	4.3400	RFQ	80	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE				MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	80		P通道					80 V	15a		-	-		-		标准	125W
IRL520NSPBF	-	RFQ	7791	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-				2156-irl520NSPBF			1		n通道					100 v	10A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
IRFR5305pbf	-	RFQ	5132	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道					55 v	31a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRF9540N	1.0400	RFQ	5	国际整流器	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道					100 v	23A（TC）	10V	117mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRLR3110ZTRPBF	-	RFQ	3091	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道					100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRF9Z34N	0.7700	RFQ	11	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道					55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRF7413ZPBF	-	RFQ	8243	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	13A（TA）		10mohm @ 13a，10v	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFS7730pbf	-	RFQ	4097	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263ab）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					75 v	195a（TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRAMS12UP60A-2	-	RFQ	4473	国际整流器	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT						下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	80	3期			12 a	600 v	2000vrms
AUIRF7805Q	0.8800	RFQ	1826年	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8541.29.0095	90		n通道					30 V	13A（TA）	4.5V	11MOHM @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
IRF7389pbf	1.0000	RFQ	9724	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF738		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n和p通道						30V	-		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
AUIRF1010ZL	1.2400	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）		7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRFB3806-IR	-	RFQ	6895	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRFB3806-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	43A（TC）		15.8mohm @ 43a，10v	-		-		-	71W（TC）
IRF253	2.0200	RFQ	7000	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-204aa				MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	19		n通道					150 v	25a		-	-		-		-	150W
IRFL024NPBF	-	RFQ	7709	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	2.8A（ta）	10V	75MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRL1404ZSPBF	1.0000	RFQ	1407	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRFI7536GPBF-IR	-	RFQ	5802	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	86A（TC）	10V	3.4mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 48 V	-	75W（TC）
IRG7PH37K10D-EPBF	4.0700	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		216 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			600V，15a，10ohm，15V														120 ns	-	1200 v	45 a	60 a	2.4V @ 15V，15a	1MJ（在）上，600µJ（600µJ）	135 NC	50NS/240NS
IRFSL4310ZPBF	-	RFQ	3516	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²