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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRLR3110ZTRPBF	-	RFQ	3091	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道					100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRF9Z34N	0.7700	RFQ	11	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道					55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRF7413ZPBF	-	RFQ	8243	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	13A（TA）		10mohm @ 13a，10v	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFS7730pbf	-	RFQ	4097	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263ab）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					75 v	195a（TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRAMS12UP60A-2	-	RFQ	4473	国际整流器	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT						下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	80	3期			12 a	600 v	2000vrms
AUIRF7805Q	0.8800	RFQ	1826年	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8541.29.0095	90		n通道					30 V	13A（TA）	4.5V	11MOHM @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
IRF7389pbf	1.0000	RFQ	9724	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF738		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n和p通道						30V	-		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
AUIRF1010ZL	1.2400	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）		7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRFB3806-IR	-	RFQ	6895	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRFB3806-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	43A（TC）		15.8mohm @ 43a，10v	-		-		-	71W（TC）
IRF253	2.0200	RFQ	7000	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-204aa				MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	19		n通道					150 v	25a		-	-		-		-	150W
IRFL024NPBF	-	RFQ	7709	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	2.8A（ta）	10V	75MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRL1404ZSPBF	1.0000	RFQ	1407	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRFI7536GPBF-IR	-	RFQ	5802	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	86A（TC）	10V	3.4mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 48 V	-	75W（TC）
IRG7PH37K10D-EPBF	4.0700	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		216 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			600V，15a，10ohm，15V														120 ns	-	1200 v	45 a	60 a	2.4V @ 15V，15a	1MJ（在）上，600µJ（600µJ）	135 NC	50NS/240NS
IRFSL4310ZPBF	-	RFQ	3516	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IRFH5250DTRPBF	0.8300	RFQ	902	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	362		n通道					25 v	40a（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2.35V @ 150µA	83 NC @ 10 V	±20V	6115 PF @ 13 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
IRLZ44ZSPBF	-	RFQ	7338	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	51A（TC）		13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
AUIRFB4410-IR	1.4500	RFQ	1	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-904	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 1.037mA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
Auirlr3110Z	-	RFQ	5139	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	42A（TC）		14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRF4104STRL	1.4000	RFQ	456	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	75A（TC）		5.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V		3000 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRLS3036Trl7pp	-	RFQ	6925	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-						0000.00.0000	1		n通道					60 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 180a，10v	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 V	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IPD50N04S308ATMA1	-	RFQ	1497	国际整流器	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD50		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道					40 V	50A（TC）	10V	7.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 40µA	35 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	68W（TC）
AUIRF3805S-7TRL	-	RFQ	5963	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
auirfz44nstrl	1.1600	RFQ	12	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		n通道					55 v	49A（TC）		17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V		1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRL3803VPBF	1.0000	RFQ	5678	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	140a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 71A，10V	1V @ 250µA	76 NC @ 4.5 V	±16V	3720 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFS7787pbf	-	RFQ	9853	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					75 v	76A（TC）		8.4mohm @ 46A，10V	3.7V @ 100µA	109 NC @ 10 V	±20V	4020 PF @ 25 V	-	125W（TC）
irfr1010ztrlpbf	-	RFQ	1966年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF6721STRPBF	0.4400	RFQ	14	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距平方英尺	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,183		n通道					30 V	14a（TA），60A （TC）		7.3mohm @ 14a，10v	2.4V @ 25µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
AUIRFS6535TRL	-	RFQ	7651	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					300 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a，10v	5V @ 150µA	57 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	210W（TC）
IRL7472L1TRPBF	1.0000	RFQ	8378	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	-					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	375a（TC）	4.5V，10V	0.59MOHM @ 195a，10V	2.5V @ 250µA	330 NC @ 4.5 V	±20V	20082 PF @ 25 V	-	3.8W（341W）（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²