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（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	8932	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP			MOSFET （金属 o化物）		176-LQFP（24x24）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
Auirru024Z	0.4800	RFQ	13	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRAM535-1065AS	-	RFQ	8678	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRAM535-1065AS-600047			1
IRGS4630DPBF	1.0000	RFQ	5550	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		206 w	pg-to263-3-2	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50		400V，18A，22OHM，15V											100 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
AUIRFS4115-7P	2.8900	RFQ	323	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRFS4115-7P-600047			1	n通道		150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRGP4266D-EPBF	5.5400	RFQ	141	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		400V，75A，10欧姆，15V											170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
AUIRFL024NTR	-	RFQ	5769	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRFL024NTR-600047			1	n通道		55 v	2.8A（ta）	10V	75MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFAF42	6.5000	RFQ	60	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		500 v	7a		-	-		-		-	125W
IRGPS40B120UDP	1.0000	RFQ	3151	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRGPS40B120UDP-600047			1
IRG8P25N120KD-EPBF	4.1400	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1		600V，15a，10ohm，15V											70 ns	-	1200 v	40 a	45 a	2V @ 15V，15a	（800µJ）（在），900µJ（900µJ）中	135 NC	20N/170NS
IRFF311	-	RFQ	6331	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	163	n通道		350 v	1.35a	-	-	-		-		-	15W
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IRFB61N15DPBF	-	RFQ	4102	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	60a（TC）		32mohm @ 36a，10v	5.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3470 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），330W（tc）
AUIRRU3114Z-701TRL	1.0800	RFQ	2	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	42A（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRFS4115-7PPBF	2.5600	RFQ	9405	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	n通道		150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRL3103PBF	1.0000	RFQ	2105	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	64A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1650 pf @ 25 V	-	94W（TC）
IRFBA1404PPBF	1.5600	RFQ	258	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		40 V	206a（TC）	10V	3.7MOHM @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRF640NSTRRPBF	-	RFQ	5934	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	18A（TC）	10V	150mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF6646TRPBF	1.3800	RFQ	433	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™Mn	下载					Ear99	8542.39.0001	217	n通道		80 V	（12a）（TA），68a tc（TC）	10V	9.5MOHM @ 12A，10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2060 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRGP4760-EPBF	2.6400	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		325 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，48a，10ohm，15V												-	650 v	90 a	144 a	2V @ 15V，48a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	145 NC	70NS/140NS
IRG8P25N120KDPBF	3.2100	RFQ	13	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		600V，15a，10ohm，15V											70 ns	-	1200 v	40 a	45 a	2V @ 15V，15a	（800µJ）（在），900µJ（900µJ）中	135 NC	20N/170NS
AUIRF2805	2.0000	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	75A（TC）	10V	4.7MOHM @ 104A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRLR8729PBF	-	RFQ	2904	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
IRFH7004TRPBF	-	RFQ	3280	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	-						0000.00.0000	1	n通道		40 V	100A（TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	194 NC @ 10 V	±20V	6419 PF @ 25 V	-	156W（TC）
IRFP4368PBF	-	RFQ	6132	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		75 v	195a（TC）	10V	1.85MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	570 NC @ 10 V	±20V	19230 PF @ 50 V	-	520W（TC）
IRG4PC50UPBF	1.0000	RFQ	1578年	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，27a，5ohm，15V												-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（120µJ）（在540µJ上）	180 NC	32NS/170NS
AUIRF1405ZSTRL	1.0000	RFQ	6259	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRF120CECC	-	RFQ	6415	国际整流器	*	大部分	积极的				IRF120		-			-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1											-
IRG4PC60UPBF	1.0000	RFQ	7985	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		520 w	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，40a，5ohm，15V												-	600 v	75 a	300 a	2V @ 15V，40a	280µJ（在）上，1.1MJ OFF）	310 NC	39NS/200NS
IRGS4045DPBF	1.0100	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		77 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，6A，47OHM，15V											74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²