RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（1252）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRGP4640pbf	1.9000	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				400V，24a，10ohm，15V																		-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（100µJ）（600µJ）（off）	75 NC	40NS/105NS
AUIRF7734M2TR	0.9400	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M2			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距M2	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		40 V	17A（TA）	10V	4.9MOHM @ 43A，10V	4V @ 100µA	72 NC @ 10 V	±20V	2545 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
IRFB4615pbf	-	RFQ	8373	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		150 v	35A（TC）	10V	39mohm @ 21a，10v	5V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
IRFAE42	-	RFQ	1351	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		800 v	4.4a	-	-	-		-		-	125W
IRGP4062D-EPBF	-	RFQ	6386	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				400V，24a，10ohm，15V															89 ns			沟	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
Auirrr024z	0.5800	RFQ	21	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRG7PH35UPBF	2.4500	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		210 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				600V，20a，10ohm，15V																		沟	1200 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06mj（在）（620µJ）上）	130 NC	30NS/160NS
auirfs4127trl	1.0000	RFQ	4627	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		200 v	72A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRFHM8342TRPBF-IR	-	RFQ	9853	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		30 V	10a（10a），28a（tc）		16mohm @ 17a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	560 pf @ 25 V	-	2.6W（TA），20W（20W）TC）
IRF8915pbf	0.2000	RFQ	3472	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	355	2 n 通道（双）				20V	8.9a		18.3mohm @ 8.9a，10v	2.5V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		540pf @ 10V	逻辑级别门
IRF7905TRPBF	-	RFQ	7911	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7905		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	407	2 n 通道（双）				30V	7.8a，8.9a		21.8mohm @ 7.8A，10V	2.25V @ 25µA	6.9nc @ 4.5V		600pf @ 15V	逻辑级别门
AUIRFR3607	-	RFQ	7019	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRLR8743PBF	-	RFQ	9970	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		30 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	4880 pf @ 15 V	-	135W（TC）
IRG4RC20FTRLPBF	1.1100	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		66 W	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000				480V，12A，50OHM，15V																		-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	40 NC	26NS/194NS
IRFAF42	6.5000	RFQ	60	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		500 v	7a		-	-		-		-	125W
IDW30C65D1XKSA1	-	RFQ	5607	国际整流器	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3			标准		pg-to247-3	-				2156-IDW30C65D1XKSA1			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	650 v	15a	1.7 V @ 15 A	114 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
Auirru024Z	0.4800	RFQ	13	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRG4BC20WPBF	-	RFQ	6248	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4BC20WPBF-600047			1				480V，6.5a，50ohm，15V																		-	600 v	13 a	52 a	2.6V @ 15V，6.5a	60µJ（在）上，80µJ（80µJ）	26 NC	22NS/110NS
IRG4PH40UDPBF	-	RFQ	4910	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	-	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				800V，21a，10ohm，15V															63 ns			-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V，21a	1.8mj（在）上，1.93mj off）	86 NC	46NS/97NS
AUIRR3705Z	1.4700	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	8932	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP			MOSFET （金属 o化物）		176-LQFP（24x24）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRFS4410pbf	-	RFQ	4835	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		100 v	88A（TC）		10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
irlu8729-701pbf	0.3200	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		PG至251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	944			n通道		30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
AUIRRRR024N	0.6000	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
irll3303pbf	-	RFQ	5319	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	160			n通道		30 V	4.6a（ta）		31MOHM @ 4.6A，10V	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	840 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF7483MTRPBF	0.9900	RFQ	13	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MF			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距MF	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		40 V	135a（TC）	6V，10V	2.3MOHM @ 81A，10V	3.9V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3913 PF @ 25 V	-	74W（TC）
IRFU4510pbf	0.8200	RFQ	5003	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	114			n通道		100 v	56A（TC）	10V	13.9mohm @ 38a，10v	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W（TC）
AUIRF1405ZL-308	1.6000	RFQ	22	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRLL3303TRPBF	-	RFQ	9125	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		30 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	31MOHM @ 4.6A，10V	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	840 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF242	1.8700	RFQ	7069	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		200 v	16a		-	-		-		-	125W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²