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离散的半导体产品（（53）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SK3058-Z-E1-AZ	1.7800	RFQ	1	nec公司	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263，TO-220SMD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	55a	4V，10V	17mohm @ 28a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 10 V	20V	2100 PF @ 10 V	-	1.5W
an1l3n	0.2600	RFQ	56	nec公司	-	大部分	积极的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			250兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1													50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	200mv @ 250µA，5mA	80 @ 50mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
2SC3731-TA	0.0900	RFQ	42	nec公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
RD16JS	0.0600	RFQ	30	nec公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
RD2.7ES	-	RFQ	4432	nec公司	-	大部分	积极的	-	175°C（TJ）	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			400兆	do-34	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	3,150
RD10E-NEC	0.1100	RFQ	3	nec公司	-	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1
RD4.3F	0.2400	RFQ	7	nec公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-RD4.3F-600049	Ear99	0000.00.0000	1
rd24f-az	-	RFQ	4175	nec公司	-	大部分	过时的	-	175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RD24F-AZ-600049			1												10 µA @ 19 V					16欧姆
NP80N04NDG-S18-AY	1.8400	RFQ	1	nec公司	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		175°C	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	80A（TC）		4.8mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
NP82N055NUG-S18-AY	1.9800	RFQ	1	nec公司	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	82A（TC）		6mohm @ 41a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V		9600 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
NP82N06NLG-S18-AY	2.0700	RFQ	4	nec公司	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	82A（TC）		7.4mohm @ 41A，10V	2.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V		8550 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
NP80N04NLG-S18-AY	1.8400	RFQ	750	nec公司	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	80A（TC）		4.8mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
NP80N055MDG-S18-AY	1.7300	RFQ	6	nec公司	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	80A（TC）		6.9MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
NP82N04NDG-S18-AY	2.1600	RFQ	1	nec公司	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		175°C	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		3-DLPAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	82A（TC）		4.2MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
HRC0103ATRF-E	0.1000	RFQ	76	nec公司	-	大部分	过时的									-	不适用				Ear99	8541.10.0070	4,000
HZM6.2NB2TR-E	0.1700	RFQ	18	nec公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HZM6.2NB2TR-E-600049			1
rd6.2es-t1-az	0.0500	RFQ	108	nec公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RD6.2ES-T1-AZ-600049			1
2SK3634-Z-AZ	0.9100	RFQ	8	nec公司	-	大部分	积极的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3634	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	200 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4.5V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 10 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
RD12JS-T1-AZ	0.0600	RFQ	184	nec公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
RD12E（2）-t1-az	0.0300	RFQ	12	nec公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
rd6.2e-az	0.0600	RFQ	482	nec公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
2SC945A-TA	1.0900	RFQ	6	nec公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
RD16ES-T1	0.0300	RFQ	40	nec公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
2SC1841-A	0.1200	RFQ	73	nec公司	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1													120 v	50 mA	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	110MHz
RD3.0ES	0.1500	RFQ	3	nec公司	-	大部分	积极的	-	175°C（TJ）	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			400兆	do-34	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
2SK1482-T-AZ	0.3800	RFQ	2	nec公司	-	大部分	积极的		150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	1.5A（TA）	4V，10V	400mohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA		±20V	230 pf @ 10 V	-	750W（TA）
rd2.4e-t1-az	0.1500	RFQ	2	nec公司	-	大部分	积极的	±3.91％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												120 µA @ 1 V				2.43 v	100欧姆
NP82N055MUG-S18-AY	1.9800	RFQ	500	nec公司	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	82A（TC）		6mohm @ 41a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V		9600 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
NP82N04MDG-S18-AY	2.3500	RFQ	4	nec公司	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	900	n通道	40 V	82A（TC）		4.2MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V		9 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
NP82N04NLG-S18-AY	2.1600	RFQ	1	nec公司	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	82A（TC）		4.2MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V		9 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散的半导体产品（（53）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²