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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
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![]() | htnfet-d | - | ![]() | 3097 | 0.00000000 | 霍尼韦尔航空航天 | HTMOS™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜225°C(TJ) | 通过洞 | 8-CDIP裸露的垫子 | htnfet | MOSFET (金属 o化物) | 8-CDIP-EP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 342-1078 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | - | 5V | 400MOHM @ 100mA,5V | 2.4V @ 100µA | 4.3 NC @ 5 V | 10V | 290 pf @ 28 V | - | 50W(TJ) | |
![]() | HTNFET-DC | - | ![]() | 1677年 | 0.00000000 | 霍尼韦尔航空航天 | HTMOS™ | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | 8-CDIP裸露的垫子 | htnfet | MOSFET (金属 o化物) | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | - | 5V | 400MOHM @ 100mA,5V | 2.4V @ 100µA | 4.3 NC @ 5 V | 10V | 290 pf @ 28 V | - | 50W(TJ) | ||
![]() | htnfet-t | - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | 霍尼韦尔航空航天 | HTMOS™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜225°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | htnfet | MOSFET (金属 o化物) | 4驱动器选项卡 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | - | 5V | 400MOHM @ 100mA,5V | 2.4V @ 100µA | 4.3 NC @ 5 V | 10V | 290 pf @ 28 V | - | 50W(TJ) | ||
![]() | htnfet-tc | - | ![]() | 9171 | 0.00000000 | 霍尼韦尔航空航天 | HTMOS™ | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | - | htnfet | MOSFET (金属 o化物) | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | - | 5V | 400MOHM @ 100mA,5V | 2.4V @ 100µA | 4.3 NC @ 5 V | 10V | 290 pf @ 28 V | - | 50W(TJ) |
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