分立半导体产品(28)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	额定电流（安培）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	当前 - 平均调整 (Io)	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	晶体管类型
CPC3708CTR	0.9600	询价	1	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～110℃（TA）		表面贴装	TO-243AA	CPC3708	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		350伏	5mA（塔）	0.35V	14欧姆@50毫安，350毫伏	-	±20V	300pF@0V	成熟模式	1.1W（塔）
CPC3714CTR	0.4416	询价	7626	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	TO-243AA	CPC3714	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		350伏	-		14欧姆@240mA，0V	-		100pF@25V	成熟模式
CPC3701CTR	0.9200	询价	第576章	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA	CPC3701	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		60V	-	0V	1欧姆@300mA，0V	-	±15V		成熟模式	1.1W（塔）
CPC3720CTR	0.3891	询价	9802	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	TO-243AA	CPC3720	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		350伏	-		22欧姆@130mA，0V	-		350pF@25V	成熟模式
CPC3701C	-	询价	7205	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA	CPC3701	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200	N沟道		60V	-	0V	1欧姆@300mA，0V	-	±15V		成熟模式	1.1W（塔）
CPC5608N	-	询价	4430	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-		-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CPC5608		8-SOIC	-		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	80		-															-
CPC3703CTR	0.9700	询价	8	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-55℃～125℃（TA）		表面贴装	TO-243AA	CPC3703	MOSFET（金属O化物）	SOT-89-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		250伏	360mA（塔）	0V	4欧姆@200mA，0V	-	±15V	350pF@25V	成熟模式	1.1W（塔）
CPC3714C	-	询价	1426	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA	CPC3714	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200	N沟道		350伏	-	0V	14欧姆@240mA，0V	-	±15V	100pF@25V	成熟模式	1.4W（塔）
CPC3710CTR	0.8800	询价	7924	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA	CPC3710	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		250伏	-	0V	10欧姆@220mA，0V	-	±15V	350pF@25V	成熟模式	1.4W（塔）
CPC3730C	-	询价	2383	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA	CPC3730	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200	N沟道		350伏	-	0V	35欧姆@140mA，0V	-	±20V	200pF@25V	成熟模式	1.6W（塔）
CPC3710C	-	询价	9742	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA	CPC3710	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200	N沟道		250伏	-	0V	10欧姆@220mA，0V	-	±15V	350pF@25V	成熟模式	1.4W（塔）
CPC3960ZTR	0.8900	询价	3	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	CPC3960	MOSFET（金属O化物）	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		600伏	-	0V	44欧姆@100mA，0V	-	±15V	100pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
CPC3909CTR	0.4608	询价	5733	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～110℃（TA）		表面贴装	TO-243AA	CPC3909	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		400V	300mA（塔）	0V	9欧姆@300mA，0V	-	15V		成熟模式	1.1W（塔）
CPC3708ZTR	0.9000	询价	1	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～110℃（TA）		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	CPC3708	MOSFET（金属O化物）	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		350伏	5mA（塔）	0.35V	14欧姆@50毫安，350毫伏	-	±20V	300pF@0V	成熟模式	2.5W（塔）
CPC7557N	-	询价	4951	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CPC7557	标准	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	100												1.49V@250mA	1μA@100V	250毫安	单相	120V
CPC3720C	-	询价	8496	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA	CPC3720	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200	N沟道		350伏	-	0V	22欧姆@130mA，0V	-	±15V	350pF@25V	成熟模式	1.4W（塔）
CPC7556NTR	-	询价	8625	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CPC7556	标准	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	2,000												1.49V@250mA	1μA@100V	250毫安	单相	120V
CPC3902ZTR	0.9300	询价	500	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-55℃～110℃（TA）		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	CPC3902	MOSFET（金属O化物）	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		250伏	-	0V	2.5欧姆@300mA，0V	-	±15V	230pF@20V	成熟模式	1.8W（温度）
CPC5608NTR	-	询价	6807	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	过时的	-		-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CPC5608		8-SOIC	-		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000		-															-
CPC7557NTR	-	询价	9126	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CPC7557	标准	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	2,000												1.49V@250mA	1μA@100V	250毫安	单相	120V
CPC3730CTR	0.4032	询价	8504	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	TO-243AA	CPC3730	MOSFET（金属O化物）	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		350伏	140mA（塔）		35欧姆@140mA，0V	-		200pF@25V	成熟模式
CPC3703C	-	询价	7699	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-243AA	CPC3703	MOSFET（金属O化物）	SOT-89-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	Q3317037	EAR99	8541.29.0095	100	N沟道		250伏	360mA（塔）	0V	4欧姆@200mA，0V	-	±15V	350pF@25V	成熟模式	1.6W（塔）
CPC5602CTR	0.9600	询价	196	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	CPC5602	MOSFET（金属O化物）	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		350伏	5mA（塔）	0.35V	14欧姆@50毫安，350毫伏	-	±20V	300pF@0V	成熟模式	2.5W（塔）
CPC7556N	-	询价	6107	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CPC7556	标准	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	100												1.49V@250mA	1μA@100V	250毫安	单相	120V
CPC5603CTR	0.9700	询价	9775	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	CPC5603	MOSFET（金属O化物）	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		415V	5mA（塔）	0.35V	14欧姆@50毫安，350毫伏	-	±20V	300pF@0V	成熟模式	2.5W（塔）
CPC3980ZTR	1.0000	询价	1386	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	CPC3980	MOSFET（金属O化物）	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		800V	-	0V	45欧姆@100mA，0V	-	±15V	115pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
CPC3909ZTR	1.1400	询价	5375	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～110℃（TA）		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	CPC3909	MOSFET（金属O化物）	SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		400V	300mA（塔）	0V	9欧姆@300mA，0V	-	15V		成熟模式	2.5W（塔）
CPC3982TTR	0.6300	询价	2	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极		-55℃～110℃（TA）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	CPC3982	MOSFET（金属O化物）	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		800V	-	0V	380欧姆@20mA，0V	-	±15V	20pF@25V	成熟模式	400毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(28)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²