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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TS6P01GHD2G | - | ![]() | 5407 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS6P01 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 50 V | ||||||||||
![]() | TS6P02G D2G | - | ![]() | 7853 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS6P02 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 100 V | 6 a | 单相 | 100 v | ||||||||||
![]() | TS6P02GHD2G | - | ![]() | 9360 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS6P02 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 100 V | 6 a | 单相 | 100 v | ||||||||||
![]() | TS6P03G D2G | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS6P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | TS6P04G D2G | - | ![]() | 2683 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS6P04 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
![]() | TS6P05GHC2G | - | ![]() | 9788 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS6P05 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | ||||||||||
![]() | TS6P07GHC2G | - | ![]() | 3681 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS6P07 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||
![]() | TS8P01GHD2G | - | ![]() | 8676 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P01 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 50 V | 8 a | 单相 | 50 V | ||||||||||
![]() | TS8P02G C2G | - | ![]() | 2472 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P02 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 100 V | 8 a | 单相 | 100 v | ||||||||||
![]() | TS8P02GHC2G | - | ![]() | 8393 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P02 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 100 V | 8 a | 单相 | 100 v | ||||||||||
![]() | TS8P03G C2G | - | ![]() | 1558年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | TS8P03G D2G | - | ![]() | 6294 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | TS8P03GHC2G | - | ![]() | 3230 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | TS8P03GHD2G | - | ![]() | 8175 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | TS8P04GH | - | ![]() | 7919 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P04 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 400 V | 8 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
![]() | TS8P06G | 1.0245 | ![]() | 6043 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P06 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 800 V | 8 a | 单相 | 800 v | ||||||||||
![]() | TS8P07G C2G | - | ![]() | 3364 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P07 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 1000 V | 8 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||
TSS4B02GHC2G | - | ![]() | 8078 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-4B | TSS4B02 | 标准 | TS4B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mv @ 4 a | 5 µA @ 100 V | 4 a | 单相 | 100 v | |||||||||||
TSS4B03G C2G | - | ![]() | 1395年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-4B | TSS4B03 | 标准 | TS4B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mv @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 a | 单相 | 200 v | |||||||||||
TSS4B03GHD2G | - | ![]() | 8319 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-4B | TSS4B03 | 标准 | TS4B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mv @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 a | 单相 | 200 v | |||||||||||
TSS4B04G C2G | - | ![]() | 5157 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-4B | TSS4B04 | 标准 | TS4B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.3 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 4 a | 单相 | 400 v | |||||||||||
![]() | UR4KB60-B | 0.5982 | ![]() | 9044 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | UR4KB60 | 标准 | D3K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 600 V | 4 a | 单相 | 600 v | ||||||||||
![]() | UR8KB60 | 0.8976 | ![]() | 4773 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | UR8KB60 | 标准 | D3K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | ||||||||||
![]() | BZV55B75 L1G | - | ![]() | 1308 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | BZV55B | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 ma | 100 na @ 56 V | 75 v | 170欧姆 | ||||||||||
![]() | BZV55C62 L1G | - | ![]() | 8651 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | BZV55C | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 47 V | 62 v | 150欧姆 | ||||||||||
![]() | BZY55B16 RYG | 0.0486 | ![]() | 9373 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 0805(2012年) | BZY55 | 500兆 | 0805 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 mA | 100 na @ 12 V | 16 V | 40欧姆 | ||||||||||
![]() | BZY55B4V3 RYG | - | ![]() | 5316 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 0805(2012年) | BZY55 | 500兆 | 0805 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 80欧姆 | ||||||||||
![]() | ES3B R7G | - | ![]() | 1507 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | ES3B | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V,1MHz | ||||||||
![]() | ES3DHR7G | - | ![]() | 1632年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | ES3D | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V,1MHz | ||||||||
![]() | MUR310SHR7G | - | ![]() | 2344 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | MUR310 | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 3a | - |
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