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![]() | KBU605G T0G | - | ![]() | 7926 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU605GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBU801G T0G | - | ![]() | 3398 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU801GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 50 V | 8 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||
![]() | KBU802G T0G | - | ![]() | 6063 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU802GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 100 V | 8 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||||
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![]() | KBL603G T0 | - | ![]() | 3516 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | KBL603 | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBL603GT0 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||||||
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![]() | KBU407G | 1.7816 | ![]() | 6998 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU407 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 1000 V | 4 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | KBU603G T0 | - | ![]() | 1466 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU603 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU603GT0 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | KBU604G | 1.7406 | ![]() | 6289 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU604 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBU606G | 1.7406 | ![]() | 7039 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU606 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 800 V | 6 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBU607G | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU607 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | KBU806G | 1.8801 | ![]() | 9225 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU806 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 800 V | 8 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBL401G T0G | - | ![]() | 6302 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBL401GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 50 V | 4 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||
![]() | KBL404G T0G | - | ![]() | 1143 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBL404GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 400 V | 4 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBL406G T0G | - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBL406GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBL601G T0G | - | ![]() | 2522 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBL601GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||
![]() | KBL602G T0G | - | ![]() | 4342 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBL602GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 100 V | 6 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBL604G T0G | - | ![]() | 8172 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBL604GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBU1001G T0G | - | ![]() | 6979 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | kbu1001gt0g | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 50 V | 10 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||
![]() | KBU1004G T0G | - | ![]() | 8389 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU1004GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 400 V | 10 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||||||
![]() | KBU402G T0G | - | ![]() | 5486 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU402GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 100 V | 4 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||||
![]() | TSM9ND50CI | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSM9 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 9A(TC) | 10V | 900mohm @ 2.3a,10v | 3.8V @ 250µA | 24.5 NC @ 10 V | ±30V | 1116 PF @ 50 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||
S1G-JR2 | - | ![]() | 3231 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||
S1M-JR2 | - | ![]() | 2538 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||
S1G-KR3G | - | ![]() | 6281 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | S1G | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz |
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