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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | MBRF1660 C0G | - | ![]() | 2296 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | MBRF1660 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 MV @ 16 A | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER204G A0G | - | ![]() | 1969年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | Her204 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 2a | 35pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER102G R0G | - | ![]() | 2857 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | HER102 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B13 A0G | - | ![]() | 2564 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 26欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM250N02CX | 0.2763 | ![]() | 4236 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TSM250 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM250N02CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | n通道 | 20 v | 5.8A(TC) | 1.8V,4.5V | 25mohm @ 4A,4.5V | 0.8V @ 250µA | 7.7 NC @ 4.5 V | ±10V | 535 pf @ 10 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SRT115 | 0.1009 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | T-18,轴向 | SRT115 | 肖特基 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 900 mv @ 1 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA804HC0G | - | ![]() | 3682 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | GPA804 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA120Z R3G | - | ![]() | 9744 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1pgsma120 | 1.25 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1PGSMA120ZR3G | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 91.2 V | 120 v | 550欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
SS310LHRTG | - | ![]() | 4424 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS310 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFA1004G C0G | - | ![]() | 1569年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | SFA1004 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 975 mv @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 10a | 70pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4758AHR1G | - | ![]() | 2219 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4758 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 42.6 V | 56 v | 110欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK515BH | 0.1992 | ![]() | 1465 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SK515 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5368 R7G | - | ![]() | 3733 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 1pgsmc | 5 w | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 35.8 V | 47 V | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER3003PT C0G | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | Her3003 | 标准 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 30a | 1 V @ 15 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SS16LHMHG | - | ![]() | 2300 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS16 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 1 A | 400 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF5150HC0G | - | ![]() | 3471 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | MBRF5150 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.02 V @ 5 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C160PHRHG | - | ![]() | 4649 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.55% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 120 V | 162 v | 350欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
rs1alhmqg | - | ![]() | 6690 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | RS1A | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
RS1BL RTG | - | ![]() | 3286 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | RS1B | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3J M6G | - | ![]() | 2163 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | ES3J | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
RSFJL RFG | - | ![]() | 3861 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | rsfjl | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 500 mA | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m18zh | 0.1667 | ![]() | 6548 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 2M18 | 2 w | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 13.7 V | 18 V | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52B2V4-G RHG | 0.0461 | ![]() | 1686年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8GC | 0.1915 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S8GC | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3HB M4G | - | ![]() | 3470 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | ES3H | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.45 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 3a | 34pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF1040 C0G | - | ![]() | 5285 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SRAF1040 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 10 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5226B RHG | 0.0433 | ![]() | 3332 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | MMSZ5226 | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548C A1G | - | ![]() | 9171 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | BC548 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | - | 420 @ 2mA,5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF27GHA0G | - | ![]() | 5598 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | SF27 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.7 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
RSFGL MTG | - | ![]() | 9596 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | RSFGL | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4pf @ 4V,1MHz |
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