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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | BZD17C43PH | 0.2790 | ![]() | 6989 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZD17 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZD17C43PHTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 MA | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
SS19L RFG | - | ![]() | 7497 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS19 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 800 mv @ 1 A | 50 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZU52C4V3 | 0.0669 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±4.99% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 0603((1608)) | tszu52 | 150兆 | 0603 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSZU52C4V3TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 95欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5225B RHG | 0.0433 | ![]() | 1529年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | MMSZ5225 | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M3Z36VC | 0.0297 | ![]() | 1693年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | M3Z36 | 200兆 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-M3Z36VCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904T RSG | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | MMBT3904 | 150兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA(iCBO) | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54A RFG | 0.2600 | ![]() | 56 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT54 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 30 V | 200mA | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TST20H200CW | 1.2342 | ![]() | 7037 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | TST20 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 930 MV @ 10 A | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B47S R9G | 0.3000 | ![]() | 6167 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BZT52B | 200兆 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 33 V | 47 V | 170欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C130PHRTG | - | ![]() | 2421 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.41% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 100 V | 132.5 v | 300欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM043NH04LCR RLG | 3.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | Perfet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装,可润湿的侧面 | 8-POWERTDFN | TSM043 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfnu(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 20A(20A),54A (TC) | 4.5V,10V | 4.3mohm @ 27a,10v | 2.2V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±16V | 2480 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5406G | 0.1366 | ![]() | 2217 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 1N5406 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 25pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG5J | - | ![]() | 6981 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-ug5j | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 3 V @ 5 A | 20 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||
BC546A B1G | - | ![]() | 3874 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC546 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | - | 110 @ 2mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54S RFG | 0.2600 | ![]() | 232 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT54 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 200mA | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||
BZD27C11PHRTG | - | ![]() | 1546年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.45% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 4 µA @ 8.2 V | 11 V | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C160PW | 0.1092 | ![]() | 5349 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123W | BZD27 | 1 w | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 MA | 1 µA @ 120 V | 160 v | 350欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM650P02CX | 0.2435 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TSM650 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM650P02CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | P通道 | 20 v | 4.1A(TC) | 1.8V,4.5V | 65mohm @ 3A,4.5V | 0.8V @ 250µA | 6.4 NC @ 4.5 V | ±10V | 515 pf @ 10 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||
BC547C B1G | - | ![]() | 6052 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC547 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | - | 420 @ 2mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSC5802DCP ROG | - | ![]() | 1747年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSC5802 | 30 W | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 450 v | 2.5 a | 250µA | NPN | 3V @ 600mA,2a | 50 @ 100mA,5v | - | |||||||||||||||||||||||||||
TSM220NB06LCR RLG | 1.6800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerldfn | TSM220 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5.2x5.75) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 8a(8a ta),35A (TC) | 4.5V,10V | 22mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1314 PF @ 30 V | - | 3.1W(TA),68W(tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ESH1GM RSG | 0.3700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | ESH1 | 标准 | Micro SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 3pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1090 C0G | - | ![]() | 3244 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SR1090 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 850 mv @ 5 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSC5304EDCP ROG | - | ![]() | 5632 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSC5304 | 35 w | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 4 a | 250µA | NPN | 1.5V @ 500mA,2.5a | 17 @ 1A,5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55C36 RXG | 0.0340 | ![]() | 6061 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 1206 (3216公制) | BZS55 | 500兆 | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 mA | 100 na @ 27 V | 36 V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C5V6 L1G | - | ![]() | 5856 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | BZV55C | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 1 V | 5.6 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF25G B0G | - | ![]() | 8741 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | SF25 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.3 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj22sd | 0.0305 | ![]() | 1658年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJ22 | 500兆 | do-34 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MTZJ22SDTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 17 V | 22.08 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
RS1KL RHG | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | RS1K | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30L120CTHC0G | - | ![]() | 5441 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR30 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 30a | 950 MV @ 30 A | 20 µA @ 120 V | -55°C〜150°C |
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