RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（15635）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1SMA4764HR3G	-	RFQ	5098	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA	1SMA4764		1.25 w	DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,800																	1 µA @ 76 V						100 v	350欧姆
BZT52B7V5S	0.0340	RFQ	5328	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	BZT52B		200兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BZT52B7V5STR	Ear99	8541.10.0050	10,000															1 V @ 10 mA		900 na @ 5 V						7.5 v	15欧姆
TQM250NB06DCR RLG	3.5800	RFQ	7	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM250	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA），58W（tc）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			60V	6A（6A），30a （TC）		25mohm @ 6a，10v	3.8V @ 250µA	24NC @ 10V		1398pf @ 30V	-
TBS608	1.5300	RFQ	3	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	TBS608	标准		TBS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,800															1 V @ 6 A		2 µA @ 800 V		6 a		单相	800 v
TSM300NB06DCR RLG	2.2400	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM300	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			60V	6a（6a），25a tc（25a））		30mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17NC @ 10V		1079pf @ 30V	-
tuau6gh m3g	1.3600	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	tuau6	标准		SMPC4.6U	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.3 V @ 6 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	6a	64pf @ 4V，1MHz
S2mal	0.4800	RFQ	6	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-221ac，sma平面线索	S2M	标准		SMA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	14,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1000 v	1.1 V @ 2 A		1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	2a	12pf @ 4V，1MHz
S2KFS M3G	0.3600	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	S2K	标准		SOD-128	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												800 v	1.1 V @ 2 A		1 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	2a	12pf @ 4V，1MHz
S1Q	0.4600	RFQ	15	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	S1Q	标准		DO-214AC（SMA）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	1.1 V @ 1 A		1 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
s1jalh	0.4000	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-221ac，sma平面线索	S1J	标准		SMA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	1.1 V @ 1 A		1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
ES2JFS	0.4200	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	ES2J	标准		SOD-128	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	14,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.7 V @ 2 A	35 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	2a	15pf @ 4V，1MHz
GBL203 D2G	-	RFQ	6323	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，gbl	GBL203	标准		GBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25															1 V @ 2 A		5 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v
SS36 R6G	-	RFQ	9442	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	DO-214AB，SMC		肖特基		DO-214AB（SMC）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-SS36R6GTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	750 mv @ 3 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	-
TSM080N03PQ56	0.5916	RFQ	3960	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM080	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM080N03PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	（14A）（ta），73A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	14.4 NC @ 10 V	±20V	843 pf @ 15 V	-	2.6W（TA），69w（tc）
TS6P05G C2G	-	RFQ	9053	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P	TS6P05	标准		TS-6P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15															1.1 V @ 6 A		10 µA @ 600 V		6 a		单相	600 v
MUR320S M6	-	RFQ	3660	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	DO-214AB，SMC		标准		DO-214AB（SMC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-MUR320SM6TR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	875 mv @ 3 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	3a	-
TQM019NH04CR-V RLG	3.3893	RFQ	2041	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	（30a）（100a ta）（TC）	7V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±20V	9044 PF @ 25 V	-	150W（TC）
TQM025NH04LCR RLG	6.3900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±16V	6228 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TSM8N50CH C5G	-	RFQ	1461	台湾半导体公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	500 v	7.2A（TC）	10V	850MOHM @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	26.6 NC @ 10 V	±30V	1595 pf @ 25 V	-	89W（TC）
BZS55C36 RXG	0.0340	RFQ	6061	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	1206 （3216公制）	BZS55		500兆	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000															1.5 V @ 10 mA		100 na @ 27 V						36 V	80欧姆
mtzj22sd	0.0305	RFQ	1658年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJ22		500兆	do-34	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-MTZJ22SDTR	Ear99	8541.10.0050	10,000																	200 na @ 17 V						22.08 v	30欧姆
SF31GH	-	RFQ	3645	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-SF31GHTR	Ear99	8541.10.0080	1,250		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	950 mv @ 3 a	35 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	80pf @ 4V，1MHz
BZV55C5V6 L1G	-	RFQ	5856	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	BZV55C		500兆	迷你梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500															1 V @ 10 mA		100 na @ 1 V						5.6 v	25欧姆
SS23LHMQG	-	RFQ	6408	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-219ab	SS23	肖特基		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	500 mv @ 2 a		400 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	2a	-
TSM650P02CX	0.2435	RFQ	6711	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM650P02CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000			P通道	20 v	4.1A（TC）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	0.8V @ 250µA	6.4 NC @ 4.5 V	±10V	515 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
BZT52C43K RKG	0.0474	RFQ	5058	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT52C		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	2 µA @ 33 V						43 V	150欧姆
BZD17C180P RHG	-	RFQ	5815	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.38％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-219ab	BZD17		800兆	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000															1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 130 V						180 v	450欧姆
tuau8gh	0.3108	RFQ	5927	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	tuau8	标准		SMPC4.6U	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-tuau8ghtr	Ear99	8541.10.0080	6,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.3 V @ 8 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	8a	80pf @ 4V，1MHz
BZD27C9V1PHMQG	-	RFQ	4754	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.07％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-219ab	BZD27		1 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000															1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V						9.05 v	4欧姆
SR503 R0G	-	RFQ	3858	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			通过洞	DO-201 AD，轴向	SR503	肖特基		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	550 mv @ 5 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（15635）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²