电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX55B51 A0G | - | ![]() | 4521 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 ma | 100 na @ 38 V | 51 v | 125欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12GC M6G | - | ![]() | 5736 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S12G | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 12 A | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 12a | 78pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1050CT C0G | - | ![]() | 3852 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR1050 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 900 mv @ 10 a | 100 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8JC R7 | - | ![]() | 7394 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-S8JCR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 985 mv @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS20P03GH | - | ![]() | 3457 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | 标准 | TS-6P | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-TS20P03GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 200 V | 20 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C4V3 A0G | - | ![]() | 1726年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX79 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD860H | 0.7200 | ![]() | 9288 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRAD860 | 肖特基 | Thindpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 MV @ 8 A | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 8a | 253pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2MAF-T | 0.0988 | ![]() | 7630 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | 标准 | SMAF | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-S2MAF-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 11pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
HS2DFS | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | HS2D | 标准 | SOD-128 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 32pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B5V6 L0G | 0.0385 | ![]() | 3556 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | BZT55 | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 1 V | 5.6 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4751A L0G | 0.0830 | ![]() | 8996 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 175°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | ZM4751 | 1 w | 梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30L120CT | 1.3494 | ![]() | 5629 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF30 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 30a | 950 MV @ 30 A | 20 ma @ 120 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSU2M60H | 0.4200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TSU2 | 肖特基 | Micro SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-TSU2M60HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 770 mv @ 2 a | 100 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | 2a | 100pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C39P R3G | - | ![]() | 1698年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.12% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 30 V | 39 v | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KTC3198-Y-B0 A1G | - | ![]() | 5430 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-KTC3198-Y-B0A1GTB | 过时的 | 1 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 120 @ 150mA,6v | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS14ALH | 0.0948 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | SS14 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-SS14ALHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 1 a | 100 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 69pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP1604H | 0.6437 | ![]() | 1128 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | GP1604 | 标准 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-GP1604H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 16a | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C22 | 0.0287 | ![]() | 9627 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX79 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZX79C22TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 ma | 50 NA @ 15.4 V | 22 v | 55欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF2006pth | 1.4290 | ![]() | 8317 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SF2006 | 标准 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 20a | 175pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM10N60CZ C0G | - | ![]() | 7025 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TSM10N60CZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 750MOHM @ 5A,10V | 4V @ 250µA | 45.8 NC @ 10 V | ±30V | 1738 PF @ 25 V | - | 166W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B4V7 | 0.0412 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52B | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52B4V7TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF1007GHC0G | - | ![]() | 2419 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SFAF1007 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.7 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 10a | 140pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1045CT MNG | - | ![]() | 4582 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS1045 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2MAH | 0.0906 | ![]() | 9661 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-HS2MAHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 1.5 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 30pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906 | 0.0288 | ![]() | 3818 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBT3906 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MMBT3906TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 40 V | 200 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4753AH | 0.1188 | ![]() | 2101 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4753 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60N380CZ C0G | 2.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 380MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 20.5 NC @ 10 V | ±30V | 1040 pf @ 100 V | - | 125W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
1SMA5929H | 0.0995 | ![]() | 6455 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1SMA5929 | 1.5 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 NA @ 11.4 V | 15 v | 9欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM8N80CI C0G | 2.6700 | ![]() | 995 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSM8N80 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 800 v | 8A(TC) | 10V | 1.05OHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±30V | 1921 PF @ 25 V | - | 40.3W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S3D R6G | - | ![]() | 7834 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-S3DR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.15 V @ 3 A | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库