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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | TSM7ND65CI | 3.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSM7 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 7A(TC) | 10V | 1.35OHM @ 1.8A,10V | 3.8V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1124 PF @ 50 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
GBPC3502M T0G | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC-M | GBPC3502 | 标准 | GBPC-M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 200 V | 35 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC5004M T0G | - | ![]() | 6027 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方米,GBPC40-m | GBPC5004 | 标准 | GBPC40-m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 400 V | 50 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B8V2S | 0.0340 | ![]() | 3317 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BZT52B | 200兆 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52B8V2STR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 630 na @ 5 V | 8.2 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC2502W T0G | - | ![]() | 8869 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC2502 | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B4V7 | 0.0305 | ![]() | 4517 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX79 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZX79B4V7TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 ma | 2 ma @ 3 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
rmb2sh | 0.7100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | rmb2 | 标准 | TO-269AA(MBS) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 400 MA | 5 µA @ 200 V | 800 MA | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC2502M T0G | - | ![]() | 9206 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC-M | GBPC2502 | 标准 | GBPC-M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858C RFG | 0.0343 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC858 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | srt13hr0g | - | ![]() | 9180 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 通过洞 | T-18,轴向 | SRT13 | 肖特基 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
DBLS154G C1G | - | ![]() | 1858年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | DBLS154 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54BR | 0.1224 | ![]() | 5443 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BAT54 | 肖特基 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-bat54brtr | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对系列连接 | 30 V | 200mA | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B18 | 0.0385 | ![]() | 7135 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOD-80变体 | 500兆 | QMMELF | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT55B18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 13 V | 18 V | 50欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU1004HD2G | - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU1004 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 400 V | 10 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj7v5sc | 0.0305 | ![]() | 4150 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | mtzj7 | 500兆 | do-34 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MTZJ7V5SCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 v | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
SS23L MHG | - | ![]() | 2208 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS23 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3M R7G | 0.4700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S3M | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.15 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM950N10CW RPG | 1.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | TSM950 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 95MOHM @ 5A,10V | 2.5V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ±20V | 1480 pf @ 50 V | - | 9W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA807 C0G | - | ![]() | 1483 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | GPA807 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 8a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAS806GH | - | ![]() | 7508 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SFAS806 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M82Z | 0.1565 | ![]() | 4396 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 2m82 | 2 w | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 62.2 V | 82 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5926hr5g | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 1pgsmb5926 | 3 W | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 5.5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F1T7G | 0.0742 | ![]() | 7966 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | T-18,轴向 | F1T7 | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C120PH | 0.3075 | ![]() | 7247 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.39% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZD27C120PHTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 91 V | 120.5 v | 300欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DBL101G | - | ![]() | 7880 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 标准 | DBL | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-DBL101G | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1 A | 2 µA @ 50 V | 1 a | 单相 | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBS810 | 1.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | TBS8 | 标准 | TBS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 1.05 V @ 8 A | 5 µA @ 1000 V | 8 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS2BA | 0.1718 | ![]() | 8025 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-RS2BATR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR302 | 0.2282 | ![]() | 8186 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 肖特基 | Do-201 AD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-SR302TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 550 mv @ 3 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM3N90CZ C0G | - | ![]() | 8691 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TSM3N90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 900 v | 2.5A(TC) | 10V | 5.1OHM @ 1.25A,10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 748 pf @ 25 V | - | 94W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
RS1KL RVG | 0.4500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | RS1K | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V,1MHz |
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