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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK59C R7G | 0.7800 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SK59 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA4744 | 0.1096 | ![]() | 3903 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1PGSMA4744 | 1.25 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 v | 14欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TST40L200CW | 2.8500 | ![]() | 1787年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | TST40 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 880 mv @ 20 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4745G A0G | - | ![]() | 1945年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TA) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4745 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4001HB0G | - | ![]() | 7263 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | UF4001 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR106HB0G | - | ![]() | 2831 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SR106 | 肖特基 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 1 A | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B11 | 0.0639 | ![]() | 4994 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZX584 | 150兆 | SOD-523F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZX584B11TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 104,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM16ND50CI C0G | 3.1438 | ![]() | 6511 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 16A(TC) | 10V | 350MOHM @ 4A,10V | 4.5V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±30V | 2551 PF @ 50 V | - | 59.5W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF35G A0G | - | ![]() | 9621 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF35 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12JC R6G | - | ![]() | 9948 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-S12JCR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 12 A | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 12a | 78pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B3V9 L1G | - | ![]() | 8033 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | BZV55B | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 85欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3KB-T R5G | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | RS3K | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
SS215L M2G | - | ![]() | 5030 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS215 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 2 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mtzj2v7sa r0g | 0.0305 | ![]() | 5752 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | mtzj2 | 500兆 | do-34 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 µA @ 1 V | 2.65 v | 110欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ESH2DH | 0.1470 | ![]() | 6067 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-esh2dhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 2 a | 20 ns | 2 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 2a | 25pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M75ZHA0G | - | ![]() | 2731 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 2M75 | 2 w | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 56 V | 75 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR009HR0G | - | ![]() | 1765年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SR009 | 肖特基 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 850 mv @ 500 mA | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 500mA | 65pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55C8V2 RXG | 0.0340 | ![]() | 6896 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 1206 (3216公制) | BZS55 | 500兆 | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 mA | 100 na @ 6.2 V | 8.2 v | 7欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZY55B3V6 | 0.0413 | ![]() | 1828年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 0805(2012年) | BZY55 | 500兆 | 0805 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZY55B3V6TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 mA | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRI30100CT | 0.9495 | ![]() | 7840 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MBRI30100 | 肖特基 | i2pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 30a | 940 mv @ 30 a | 200 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2MALH | 0.1035 | ![]() | 2299 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-HS2MALHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 2 A | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF502G | - | ![]() | 1513年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF502 | 标准 | ITO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-SFF502G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 5A(DA)(DC) | 980 mv @ 2.5 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5956HR3G | - | ![]() | 8424 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1SMA5956 | 1.5 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 500 NA @ 152 V | 200 v | 1200欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR16150H | 0.9237 | ![]() | 8551 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SR16150 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-SR16150H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 16a | 1.05 V @ 8 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP102G C2 | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ24SC R0G | 0.0305 | ![]() | 7251 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJ24 | 500兆 | do-34 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 19 V | 23.72 v | 35欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52C6V2-G | 0.0445 | ![]() | 2473 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52C | 350兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52C6V2-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRS1090HMNG | - | ![]() | 9250 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SRS1090 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 10a | 900 mv @ 5 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-40 B1 | - | ![]() | 3889 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | 到92 | - | 到达不受影响 | 1801-BC337-40B1 | 过时的 | 1 | 45 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52B3V3-G | 0.0461 | ![]() | 2418 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52B3V3-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 |
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