电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX585B33 RSG | 0.0476 | ![]() | 5836 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZX585B3 | 200兆 | SOD-523F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 45 na @ 23 V | 33 V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5931H | 0.0995 | ![]() | 4336 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1SMA5931 | 1.5 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 NA @ 13.7 V | 18 V | 12欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C100P M2G | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD17 | 800兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 75 V | 100 v | 200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585B24 RSG | 0.0476 | ![]() | 7692 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZX585B2 | 200兆 | SOD-523F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 45 NA @ 16.8 V | 24 V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZY55C8V2 | 0.0350 | ![]() | 2631 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 0805(2012年) | BZY55 | 500兆 | 0805 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZY55C8V2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 mA | 100 na @ 6.2 V | 8.2 v | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30150PT | 1.8014 | ![]() | 9167 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR30150 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 30a | 1.02 V @ 30 A | 500 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK53C | 0.1897 | ![]() | 2943 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SK53 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFT12G R0G | - | ![]() | 2095 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 通过洞 | T-18,轴向 | SFT12 | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | puad4b | 0.6800 | ![]() | 4935 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 标准 | Thindpak | - | (1 (无限) | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 920 MV @ 4 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 4a | 77pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
ESGLWHRVG | 0.4300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | ESGLW | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 800mA | 20pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR103 B0G | - | ![]() | 3671 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SR103 | 肖特基 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3G R6G | - | ![]() | 6602 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-RS3GR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ht14g a1g | - | ![]() | 4941 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 在sic中停产 | 通过洞 | T-18,轴向 | HT14 | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BC548A B1G | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC548 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | - | 110 @ 2mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD1045H | 0.8200 | ![]() | 8955 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRAD1045 | 肖特基 | Thindpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 750 MV @ 10 A | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 10a | 490pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF1660HC0G | - | ![]() | 3378 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SRAF1660 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 16 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C43PHRVG | 0.1043 | ![]() | 5327 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.97% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
SS115LHMQG | - | ![]() | 4948 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS115 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 900 mv @ 1 A | 50 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2090CT C0G | - | ![]() | 9217 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR2090 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 20a | 950 mv @ 20 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
RS1AHM2G | - | ![]() | 9872 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RS1A | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
SS12LHR3G | 0.2235 | ![]() | 4575 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS12 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 450 MV @ 1 A | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
S1KLHMTG | - | ![]() | 5863 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | S1K | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 1.8 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 1a | 9pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4936GHB0G | - | ![]() | 4248 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4936 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
TSM150NB04LCR RLG | 1.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM150 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 10a(10a),41A(41A)(TC) | 4.5V,10V | 15mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 966 pf @ 20 V | - | 3.1W(TA),56W(tc) | ||||||||||||||||||||||||
BZD27C30P RVG | 0.0980 | ![]() | 1188 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C75PHRFG | - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.04% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 74.5 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V4S RRG | - | ![]() | 3300 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BZT52C | 200兆 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR302G B0G | - | ![]() | 1909年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | FR302 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF2001GHC0G | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SF2001 | 标准 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 975 mv @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 20a | 80pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB190CF C0G | 7.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 18A(TC) | 10V | 190MOHM @ 3.7A,10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1311 pf @ 100 V | - | 59.5W(TC) |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库