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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBU603HD2G | - | ![]() | 1414 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU603 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | GBU604HD2G | - | ![]() | 1395年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU604 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||
![]() | GBU605H | - | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU605 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | GBU804 | 0.7104 | ![]() | 2618 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU804 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | 8 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||
![]() | GBU805H | 0.8550 | ![]() | 6497 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU805 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | HDBL102G C1G | - | ![]() | 6039 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | HDBL102 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||
![]() | HDBL105G | 0.3999 | ![]() | 9061 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | HDBL105 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.7 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | 1 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
HDBLS102G C1G | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | HDBLS102 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||
![]() | murf1640cthc0g | - | ![]() | 6341 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | Murf1640 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 16a | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SF1003GHC0G | - | ![]() | 9747 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | SF1003 | 标准 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 10a | 70pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | TS10K80 | 1.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | TS10K80 | 标准 | TS4K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 10 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||
TS10KL80 | 0.5997 | ![]() | 5073 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbjl | TS10KL80 | 标准 | kbjl | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 10 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||
![]() | TS25P05G | 2.6300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS25P05 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | TS6K60 | 1.2600 | ![]() | 998 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | TS6K60 | 标准 | TS4K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | TS6K80 | 1.2500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | TS6K80 | 标准 | TS4K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 6 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||
![]() | GBU1007 | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU1007 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 10 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | GBU406 | 1.1900 | ![]() | 184 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU406 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||
![]() | GBU407 | 1.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU407 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 4 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | GBU807 | 1.5600 | ![]() | 293 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU807 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 8 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | LL4448 L1G | 0.2000 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | LL4448 | 标准 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 100 ma | 54 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 150mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||||
![]() | MB0 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-Besop (0.173“,4.40mm宽度) | MB0 | 标准 | MBS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 800 MA | 单相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | MBS6 | 0.5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-Besop (0.173“,4.40mm宽度) | MBS6 | 标准 | MBS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 800 MA | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | ABS10 | 0.4800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | ABS10 | 标准 | 腹肌 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 950 MV @ 400 mA | 10 µA @ 1000 V | 1 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | ABS15M Reg | 0.2700 | ![]() | 6601 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | ABS15 | 标准 | 腹肌 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | ABS6 Reg | 0.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | ABS6 | 标准 | 腹肌 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 MV @ 400 mA | 10 µA @ 600 V | 1 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
BZD27C24P RVG | 0.2753 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24.2 v | 15欧姆 | |||||||||||||
BZD27C36P R3G | 0.1600 | ![]() | 6390 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 27 V | 36 V | 40欧姆 | |||||||||||||
BZD27C43P | 0.4400 | ![]() | 251 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45欧姆 | |||||||||||||
BZD27C75P RVG | 0.6900 | ![]() | 793 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 74.5 v | 100欧姆 | |||||||||||||
![]() | BZT52B10 RHG | 0.2700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52B | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 180 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 |
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