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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
RN2311，LXHF	0.3900	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2311		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
2SA1586-y t5lnd，f）	-	RFQ	5318	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			100兆	SC-70	下载		（1 （无限）	264-2SA1586-Y（T5LNDF）TR	Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
TPCC8066-H，LQ（s	-	RFQ	6818	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8066	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	15mohm @ 5.5a，10v	2.3V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	700MW（TA），17W（17W）TC）
RN1406，LF	0.2200	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1406		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
TPH4R003NL，L1Q	1.0700	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH4R003	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	40a（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 200µA	14.8 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	1.6W（TA），36W（tc）
2SA1162-y，LF	0.1800	RFQ	1595年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1162		150兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	150 ma	100µA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
HN1C03FU-A （TE85L，f	0.4400	RFQ	9755	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1C03		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							20V	300mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	100mv @ 3mA，30mA	200 @ 4mA，2V	30MHz
2SJ438（植物，A，Q）	-	RFQ	3224	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通过洞	TO-220-3完整包	2SJ438			TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1					5A（TJ）
RN4910 （T5L，F，T）	-	RFQ	1644年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4910		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	4.7kohms	-
CLH07（TE16R，Q）	-	RFQ	2938	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面安装	l-flat™	CLH07	标准		l-flat™（4x5.5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.8 V @ 5 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	5a	-
RN2310，LXHF	0.3900	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2310		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
TK12J60U（f）	-	RFQ	9902	东芝半导体和存储	dtmosii	托盘	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK12J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	12a（12a）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 10 V	-	144W（TC）
2SA1837（PAIO，F，M）	-	RFQ	8587	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							230 v	1 a	1µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
2SK4016（Q）	-	RFQ	1323	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK4016	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	13A（TA）	10V	500mohm @ 6.5a，10v	4V @ 1mA	62 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TJ8S06M3L，LXHQ	0.9500	RFQ	8204	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ8S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		60 V	8a（8a）	6V，10V	104mohm @ 4A，10V	3V @ 1mA	19 nc @ 10 V	+10V，-20V	890 pf @ 10 V	-	27W（TC）
RN4904 （T5L，F，T）	-	RFQ	1192	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4904		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	47kohms
tpca8008-h te12l，q	-	RFQ	6043	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8008	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		250 v	4A（ta）	10V	580MOHM @ 2A，10V	4V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
MT3S20P（TE12L，F）	-	RFQ	2879	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	MT3S20		1.8W	PW-Mini	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000			16.5db																				12V	80mA		NPN		100 @ 50mA，5V	7GHz			1.45db @ 1GHz
2SC4881（cano，f，m）	-	RFQ	8922	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4881		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							50 V	5 a	1µA（ICBO）	NPN	400MV @ 125mA，2.5a	100 @ 1A，1V	100MHz
TK4P50D（t6rss-Q）	-	RFQ	2672	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P50	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK4P50DT6RSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		500 v	4A（ta）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.4V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	80W（TC）
CMG05（TE12L，Q，M）	-	RFQ	3727	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOD-128	CMG05	标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	CMG05（TE12LQM）	Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														400 v		1.1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	1a	-
RN4990FE，LF（ct	0.2600	RFQ	6683	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4990		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	-
2SC2235-Y，T6USNF （M	-	RFQ	4600	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
TK20A60W5，S5VX	3.2700	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK20A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	20A（TA）	10V	175mohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	45W（TC）
TK4A53D（sta4，Q，m）	-	RFQ	7821	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK4A53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		525 v	4A（ta）	10V	1.7OHM @ 2A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	35W（TC）
2SA1020-y t6toj，FM	-	RFQ	9874	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
HN1C01FU-gr，LF	0.3400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1C01		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
RN1104，LXHF（ct	0.3300	RFQ	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1104		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
RN2107，lf（Ct	0.2300	RFQ	55	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2107		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
1SS361，lj（ct	0.2700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	1SS361	标准		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²